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產(chǎn)品編號：
11110365316
產(chǎn)品名稱：
| CVD SiC襯底單層石墨烯
規(guī) 格：
產(chǎn)品備注：
產(chǎn)品類別：
石墨烯系列產(chǎn)品
 
   產(chǎn) 品 說 明
通常，石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術(shù)生長的，在微電子或電子器件的應(yīng)用中不得不將其從導(dǎo)電的金屬上用化學(xué)方法剝離，將其置于分離的襯底上再應(yīng)用。這在器件的制備上存在很大的局限性，而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件，如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等，尤其是在SiC襯底上用CVD技術(shù)生長的石墨烯與CMOS工藝兼容，因而無需進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移，即可應(yīng)用于電子器件研制。
在4H和6H型SiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯
晶型
晶體性質(zhì)
石墨烯生長面
石墨烯
4H-SiC
半絕緣型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
P型或N型
4H-SiC
導(dǎo)電型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
—
6H-SiC
半絕緣型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
P型或N型
6H-SiC
導(dǎo)電型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
—
標(biāo)準(zhǔn)尺寸
10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x 2英寸，4英寸x 4英寸
標(biāo)準(zhǔn)尺寸
φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸
定制尺寸
根據(jù)客戶要求
 
描述：
● 生長方法：CVD生長
● 覆蓋率：*
● 石墨烯層數(shù)：1層，2層，3層
● 單層厚度：0.345 nm
● 載流子密度：N型5x1011-1.5x1013cm-2，P型1x1013-1.5x1013cm-2
● N型遷移率：3000 cm2/Vs
● P型遷移率：可達(dá)6500乃至8000 cm2/Vs(溫度：300K)
 
應(yīng)用
● 高頻電子器件
● 光電子器件
● 量子器件
● 自旋電子學(xué)
● 光電探測器
● 新碳電子學(xué)
● 石墨烯半導(dǎo)體芯片
● 石墨烯計(jì)算機(jī)存儲器
● 生物技術(shù)
● 生物傳感器

● 氣體傳感器

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名稱:     | CVD SiC襯底單層石墨烯
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