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馭锘實(shí)業(yè)(上海)有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)量色散X熒光光譜儀
品 牌
廠(chǎng)商性質(zhì)代理商
所 在 地上海市
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更新時(shí)間:2017-11-28 04:53:25瀏覽次數(shù):947次
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賽黙飛世爾量色散X熒光光譜儀(原美國(guó)熱電)(ED XRF) *端窗超高通量RH靶,76um鈹窗,空氣冷卻**的大面積高厚度硅鋰Si(Li)檢測(cè)器*全數(shù)字化譜分析器 32bit 4096通道*高穩(wěn)定性:RSD<0.3% 8小時(shí) *檢測(cè)元素:F~U
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賽黙飛世爾科技 ThermoFisher(美國(guó)熱電)能量色散X-射線(xiàn)熒光光譜儀(ED-XRF)
樣品室:樣品類(lèi)型 固體、粉末、液體、濾渣、鍍層和其它
尺寸 30.5cm(w)x38.9cm(D)x6.6cm(H)
增高室(選購(gòu)件): 21.5cm或37.1cm
單位盤(pán) 樣品可大至樣品室大小
10位盤(pán)(選購(gòu)件) 帶自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),樣品可大至47mm
20位盤(pán)(選購(gòu)件) 樣品可大至31mm
自動(dòng)和手動(dòng)盤(pán) 為特種樣品的樣品盤(pán),選購(gòu)件
環(huán)境 空氣、真空(選購(gòu)件)和充氦(選購(gòu)件)
激發(fā)(核心元件):
X-光管:超高通量,端窗,RH靶,76um鈹窗,空氣冷卻,其它靶可選
X-光發(fā)生器 4-50KV,1KV間隔。O.02-2.OmA,0.02mA 間隔
濾光片 7種濾光片加1空位,自動(dòng)選擇
準(zhǔn)直器(選購(gòu)件) 1.0、2.0、3.5、6.8和8.8 五種
X射線(xiàn)檢測(cè)配置器(核心元件)
類(lèi)型:Si(Li)硅鋰
晶體面積:
Si(Li)面積15mm?,分辨率<155 eV
Si(Li)LN Si(Li)面積30mm?,分辨率<149 eV
晶體厚度: 3.5mm
檢測(cè)元素:F~U
制冷方式:電致冷/液氮致冷
穩(wěn)定性:RSD<0.3% 8小時(shí)
靈敏度:Fe, Pb <3pmm(油)
再現(xiàn)性:RSD<0.3%/1x10負(fù)6次方計(jì)數(shù)
譜處理器(核心元件)
處理器類(lèi)型:全數(shù)字話(huà) 32bit 3 DSP
譜通道:2048 20eV/通道
修正時(shí)間:1~40ms, 用戶(hù)選擇
計(jì)數(shù)率:>100,000cps (live)
能量范圍:400~4096eV
死時(shí)間影響:<3.0%
重疊校正:<0.3%
能量校正:軟件自動(dòng)
尺寸和重量
外形尺寸寬71.88cm,高41.15cm,深59.18cm
重量 90.7kg
使用要求
電源 100、115或230VAC,50或60hz,功率1000W,真空泵需2000W
遙控診斷和遙控監(jiān)測(cè)需要通過(guò)因特網(wǎng)連線(xiàn)
環(huán)境要求
溫度 O~32℃
濕度 20~80%RH(無(wú)冷凝水)
超大Si(Li) 硅鋰離晶體,具有*的痕量分析的靈敏度,打破lng的檢測(cè)限壁壘
全數(shù)字脈沖處理器技術(shù),死時(shí)間達(dá)60%, 以及優(yōu)異的峰背比
高級(jí)FP無(wú)標(biāo)樣分析軟件,進(jìn)行無(wú)標(biāo)樣分析,減少對(duì)標(biāo)樣的依賴(lài)性
高靈敏電制冷Si(Li) 探測(cè)器技術(shù), 儀器免維護(hù)和*運(yùn)行
超大樣品室,可容納300mm400mm的樣品
全自動(dòng)校準(zhǔn),自動(dòng)監(jiān)測(cè),自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng),*計(jì)算機(jī)控制
鍍層和薄膜測(cè)量技術(shù), 具有無(wú)標(biāo)樣分析測(cè)厚技術(shù)
數(shù)據(jù)采集
數(shù)字脈沖處理器 全部參數(shù)程序控制,自動(dòng)能量校正
多道脈沖分析器 32位,4096道多道分析器
數(shù)據(jù)接口 計(jì)算機(jī)以太網(wǎng)接口
分析處理器和 WinTrace
計(jì)算機(jī)/打印機(jī) 主流計(jì)算機(jī)和彩色打印機(jī)
顯示 X-射線(xiàn)能譜,重疊譜比較,峰鑒定標(biāo)記,分析參數(shù)
輸出 監(jiān)視器,圖形打印機(jī)和調(diào)制解調(diào)器
自動(dòng)化 樣品室環(huán)境,X一射線(xiàn)源輸出,濾光片選擇,多次激發(fā)條件, 和樣品選擇
譜處理 自動(dòng)元素鑒定,數(shù)字濾波本底扣除,zui小二乘法經(jīng)驗(yàn)峰去卷積, 總峰強(qiáng)度,和凈峰強(qiáng)度
分析技術(shù) 經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法和基本參數(shù)法,歸一化,校正曲線(xiàn)圖顯示
操作系統(tǒng) 微軟WindowsXP及更新的版本
參考方法
ASTM方法
D5839-96(2001) X-熒光能譜法測(cè)定危險(xiǎn)廢燃料中痕量元素的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法
D6052.97 X-熒光能譜法對(duì)液體危險(xiǎn)廢料中元素分析的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法 。
* 用于美國(guó)H.R.4040(HR4040)法規(guī)檢測(cè)(2009年8月實(shí)施)
【2008年8月14日,美議會(huì)第4040號(hào)提案(H.R.4040)生效,此法案對(duì)美國(guó)消費(fèi)品委員會(huì)(CPSC)進(jìn)行了重新*,大大加強(qiáng)了CPSC在保證美國(guó)消費(fèi)品安全中的作用,尤其是對(duì)兒童玩具及護(hù)理產(chǎn)品的要求達(dá)到了*的高度。H.R.4040有幾項(xiàng)重大變化:檢測(cè)范圍擴(kuò)大至玩具上任何可觸及材料;總鉛限呈逐級(jí)遞減,由600ppm,2009年8月14日起降至300ppm, 2011年8月14日降至100ppm。而兒童產(chǎn)品中油漆等表面涂層材料的要求更為嚴(yán)格,其總鉛*將在2009年8月14日后銳減至 90ppm。
H.R.4040不僅使玩具業(yè)會(huì)面臨更為嚴(yán)峻的法律環(huán)境,同時(shí)對(duì)玩具實(shí)驗(yàn)室也提出了更高的檢測(cè)要求。標(biāo)準(zhǔn)的提高對(duì)檢測(cè)儀器的靈敏度、精度、連續(xù)穩(wěn)定性也提出了更高的要求?!?nbsp;
連續(xù)穩(wěn)定性也提出了更高的要求?!?br />* ROHS檢測(cè)、RoHS & WEEE 指令分析 、HR4040標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)應(yīng)對(duì)
* 氣溶膠顆粒濾膜
* 刑偵以及痕量分析
* 營(yíng)養(yǎng)添加劑
* 磁性磁性介質(zhì)和半導(dǎo)體
高性能,操作簡(jiǎn)便WinTrace軟件
直觀(guān)
功能強(qiáng)大
安全
操作靈活,方便用戶(hù)
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