刻蝕鍍膜儀型號(hào):PECS II 685.M庫(kù)號(hào)：M398493

刻蝕鍍膜儀PECS II

型號(hào)685

刻蝕鍍膜儀(PECS™)II是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)

備。

對(duì)于同一個(gè)樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜.

PECS II是一款 獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺(tái)式設(shè)備。采用兩個(gè)寬

束氬離子源對(duì)樣品表面進(jìn)行拋光，損傷層，從而得到高

質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成

像、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。

PECS II采用WhisperLok®技術(shù)，可選配溫控液氮冷卻臺(tái)。該

功能有助于避免拋光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)

構(gòu)變化。.

PECS II內(nèi)置了一個(gè)10英寸的觸摸屏。無(wú)論新手還是級(jí)用戶，

都可提高樣品的加工可控性及可重復(fù)性。數(shù)碼變焦顯微鏡配合

DigitalMicrograph®軟件，可實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加工過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)控及

儲(chǔ)存彩照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析。

主要應(yīng)用

•半導(dǎo)體

•金屬（氧化物，合金）

•陶瓷

•自然資源

技術(shù)規(guī)格

PECS II系統(tǒng)

離子源

離子兩個(gè)配有稀土磁鐵的潘寧離子

拋光角度0到18°

每支離子可獨(dú)立調(diào)節(jié)

離子束能量(kV)0.1–8.0

離子束流密度峰值(mA/cm2)10

拋光速率(µm/h)300（對(duì)于硅試樣）

離子束直徑可用氣體流量計(jì)或放電電壓來(lái)調(diào)節(jié)

樣品臺(tái)

樣品大小(長(zhǎng)*寬*高,mm)32 x*15

轉(zhuǎn)速(rpm)1–6

離子束調(diào)制角度范圍可調(diào)的單向調(diào)制或雙向調(diào)制

樣品觀察數(shù)碼變焦顯微鏡，配有PC及

DigitalMicrograph軟件（選配件）

真空系統(tǒng)

干泵系統(tǒng)兩級(jí)隔膜泵支持80 L/s的渦輪分子泵

壓力(torr)

基本壓力5 x 10-6

工作壓力8 x 10-5

真空規(guī)冷陰極型，用于主樣品室；固體型，

用于前級(jí)機(jī)械泵

樣品氣鎖WhisperLok技術(shù)，樣品交換時(shí)

間小于1分鐘

用戶界面

10英寸彩觸摸屏操作簡(jiǎn)單，且能夠 控制所有參數(shù)

和配方式操作

尺寸及使用要求

外形尺寸(長(zhǎng)x*寬*高,mm)575*495*615

運(yùn)輸重量(kg)45

功耗(W)

運(yùn)行時(shí)待200

機(jī)時(shí)100

電源要求通用100–240 VAC，50/60 Hz（用

戶 電壓和頻率）

氬氣(psi)25

注：以上技術(shù)規(guī)格如有變化將不另行通知

訂購(gòu)型號(hào)

型號(hào)描述

685 Cold(685.C)帶有冷臺(tái)的PECS II

685 Pro(685.O)帶有冷臺(tái)和數(shù)字成像顯微系統(tǒng)的

PECS II

685 Advantage(685.A)帶有冷臺(tái)、數(shù)字成像顯微系統(tǒng)和馬達(dá)

驅(qū)動(dòng)離子系統(tǒng)的PECS II

685 Met Etch(685.M)PECS II基本版,不帶濺射沉積

685 ProTransfer(685.OV)帶有真空轉(zhuǎn)移裝置的PECS II Pro系

統(tǒng)

685 AdvantageTransfer(685.AV)帶有真空轉(zhuǎn)移裝置的PECS II

Advantage系統(tǒng)

注：關(guān)于配件和耗材的詳細(xì)情況，請(qǐng)咨詢當(dāng)?shù)氐匿N售代表。