磁控濺射儀型號:KM1-SD-900M庫號：M402591
原理：
在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到提高，可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以
改善薄膜的質(zhì)量。同時，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。
參數(shù)：
?主機規(guī)格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）
?靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）
?靶材：Au（標配）
?樣品室：玻璃腔體160mm×120mm（D×H）
?靶材尺寸：Ф50mm
?高真空度：≤4X10-2 mbar
?大電流：100mA
?定時器：數(shù)碼計時0-999S
?鍍膜面積：50mm
?微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管
?可通入氣體：多種
?高電壓：-1600 DCV
?機械泵：標準配置2L/S（國產(chǎn)VRD-8）
?冷卻方式：冷水機（可根據(jù)實驗具體要求自備）
?速率：0--60nm/min
用途：
1、適用于電鏡實驗室的掃描電子顯微鏡（SEM）觀察前對樣品的噴金、噴鉑。
2、非導(dǎo)體材料實驗電極制作（噴金、噴鉑。噴銀等）
3、其他可以滿足條件的鍍膜實驗。
特點：
1、成膜速率高。
2、基片溫度低，可以對溫度敏感的材料進行鍍膜。
3、可實現(xiàn)大面積鍍膜。
4、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強以控制鍍膜的速率和顆粒的大小，顆粒大小約4-20nm。
5、SETPLASMA手動啟動按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強和濺射電流避免對膜造成不必要的損傷。
6、真空保護可避免真空過低造成設(shè)備短路。
7、同時可以通過換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達到細顆粒的涂層。
8、通過通入不同的惰性氣體以達到純凈的涂層。