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      北京同創(chuàng)互達(dá)科技有限公司

      XT技術(shù)延長IGBT模塊使用壽命,實現(xiàn)200攝氏度高結(jié)溫鋪平道路

      時間:2011-10-13閱讀:533
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      德國Neubiberg——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會上,推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù),英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求,并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。

        英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總Martin Hierholzer指出:通過推出全新的.XT技術(shù),英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)地位。英飛凌在功率循環(huán)周次方面,樹立了行業(yè)新*,可實現(xiàn)更高的工作結(jié)溫。這些全新技術(shù)可滿足各種要求苛刻的應(yīng)用的需求,例如商用車、工程車和農(nóng)用車或風(fēng)力發(fā)電。

        全新.XT技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù),可使IGBT模塊的使用壽命延長10倍,或者使輸出功率提高25%。這種新技術(shù)可支持高達(dá)200°C的結(jié)溫。

        功率循環(huán)會造成溫度變化,并導(dǎo)致IGBT模塊內(nèi)部連接部位產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。芯片各層的熱膨脹系數(shù)不同,會造成熱應(yīng)力,導(dǎo)致材料疲勞和損壞。全新.XT技術(shù)涵蓋IGBT模塊內(nèi)部有關(guān)功率循環(huán)功能的所有關(guān)鍵點(diǎn):芯片正面的鍵合線、芯片背面的焊接(芯片至DCB)和DCB(直接鍵合銅)至基板的焊接。

        這種全新的連接技術(shù)經(jīng)過精心開發(fā),可滿足英飛凌現(xiàn)有的多數(shù)封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術(shù)都可是基于標(biāo)準(zhǔn)工藝,十分適用于批量生產(chǎn)。

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