IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT廣泛應(yīng)用于高鐵、節(jié)能變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)中，但IGBT的核心技術(shù)與產(chǎn)業(yè)主要掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家相關(guān)企業(yè)手中。近年來(lái)，我國(guó)受高鐵等領(lǐng)域的投資規(guī)模提振，IGBT的國(guó)產(chǎn)化要求迅速提升，目前已有突破的態(tài)勢(shì)。據(jù)資料顯示，株州某企業(yè)在2009年就實(shí)現(xiàn)了5寸線IGBT的量產(chǎn)，并獲得了*約2億元的訂單。這意味著我國(guó)已掌握了大功率IGBT產(chǎn)品的技術(shù)突破，我國(guó)IGBT的相關(guān)企業(yè)將獲得廣闊的市場(chǎng)空間。

 IGBT是節(jié)能與新能源領(lǐng)域核心電子元器件，其國(guó)產(chǎn)化符合國(guó)家節(jié)能與新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。大功率IGBT國(guó)產(chǎn)將提升家電企業(yè)（如變頻空調(diào)）試用國(guó)產(chǎn)化IGBT的積極性。而中國(guó)IGBT企業(yè)技術(shù)成熟與產(chǎn)品良品率提升也將推動(dòng)家電領(lǐng)域IGBT國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，畢竟中國(guó)家電企業(yè)對(duì)IGBT國(guó)產(chǎn)化需求迫切。因此，目前是投資中國(guó)IGBT行業(yè)*時(shí)機(jī)，IGBT的進(jìn)口替代指日可待，在高鐵與智能電網(wǎng)領(lǐng)域，2010年下半年就有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破；而在家電節(jié)能領(lǐng)域的量產(chǎn)突破或?qū)⒃?/span>2011年實(shí)現(xiàn)。中國(guó)正在成長(zhǎng)為zui大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2010年中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將超過(guò)1000億元，未來(lái)幾年將以15%~20%的速度持續(xù)增長(zhǎng)。

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