在電力機(jī)車用高壓大容量的電氣傳動(dòng)領(lǐng)域，自從GTO研制成功以來，就成為該領(lǐng)域的主力器件。隨后，日本日立公司成功研制出用2 500 V/1 000 A 的大功率GTO器件組成的600 kVA GTO變頻器用于電力機(jī)車上。國(guó)外利用4 500 V/2 000A GTO研制成5 600kW PWM控制的時(shí)速為200 km的電力機(jī)車。

      近幾年來，電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展重點(diǎn)是MOS雙極型器件（IGBT 和IGCT）和場(chǎng)控器件，其中IGBT已日趨成熟，并在中小功率應(yīng)用中成為主要器件。IGBT是80年代中期問世的一種新型電力半導(dǎo)體器件。它兼有MOSFET的快速響應(yīng)，高輸入阻抗和GTR的低通態(tài)壓降，高電流密度的特性。

      電力機(jī)車采用IGBT器件有如下優(yōu)點(diǎn)： 可以進(jìn)行高頻開關(guān)控制 IGBT 開關(guān)頻率到20k～50kHz，而GTO一般不過幾百赫茲，頻率提高可使系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)低噪聲和小型化。通過電壓驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小。由于IGBT 是M O S 與雙極型復(fù)合器件。它具有MOSFET 高輸入阻抗特性，可以通過電壓驅(qū)動(dòng)。而GTO的關(guān)斷門極電流可達(dá)導(dǎo)通電流的20%～50%。它的驅(qū)動(dòng)電路需要專門設(shè)計(jì)。IGBT易于并聯(lián)，可做成模塊化的IPM，以簡(jiǎn)化裝置結(jié)構(gòu)。為一種趨勢(shì)。

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