大光敏面鍺（Ge）光電二極管－近紅外波長(zhǎng)

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產(chǎn)品型號(hào)MP-FDG50

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海市

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更新時(shí)間：2024-06-07 10:21:53瀏覽次數(shù)：69次

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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

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大光敏面鍺（Ge）光電二極管－近紅外波長(zhǎng)Microphotons的MP-FDG50鍺光電探測(cè)器（germanium(Ge)photodiode）是用來測(cè)量連續(xù)激光或者脈沖激光在工作波長(zhǎng)800to1800nm的選擇.此探測(cè)器為TO-8封裝，便于集成到系統(tǒng)也便于客戶單獨(dú)使用

詳細(xì)介紹

大光敏面鍺（Ge）光電二極管－近紅外波長(zhǎng)

Microphotons的 MP-FDG50鍺光電探測(cè)器（germanium (Ge) photodiode ）是用來測(cè)量連續(xù)激光或者脈沖激光在工作波長(zhǎng) 800 to 1800 nm的選擇. 此探測(cè)器為TO-8 封裝，便于集成到系統(tǒng)也便于客戶單獨(dú)使用。

Specifications
Sensor Material	Ge
Wavelength Range	800 - 1800 nm
Peak Wavelength	1550 nm (Typ.)
Responsivity	0.85 A/W (Typ.)
Active Area Diameter	19.6 mm2 (Ø5 mm)
Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V)	220 ns / 220 ns (Typ.)
NEP, Typical (1550 nm)	4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)
Dark Current (5 V)	60 µA (Max.)
Capacitance (10 V) Capacitance (0 V)	1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)
Shunt Resistance	4000 Ohm (Typ.)
Package	TO-8

Max Ratings
Max Bias (Reverse) Voltage	10 V
Operating Temperature	-55 to 60 °C
Storage Temperature	-55 to 60 °C

Ge探測(cè)器光譜響應(yīng)圖

尺寸圖：

更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:17

關(guān)鍵詞：探測(cè)器

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