SEM中EDS分析高空間分辨率和低能端性能。將Extreme電子電路、無窗設(shè)計與幾何結(jié)構(gòu)和傳感器的優(yōu)化設(shè)計相結(jié)合，靈敏度比傳統(tǒng)大面積SDD高15倍。
◆ 設(shè)備特點
可對鋰元素進行檢測和成像
加速電壓小于2kV時塊狀樣品中的空間分辨率低于10nm
在低于1kV加速電壓下對材料進行表征
與浸沒式電鏡相配合，可在高達30kV的加速電壓下收集高質(zhì)量的元素信息
Ultim Extreme 硅漂移探測器是高分辨率場發(fā)射掃描電鏡應(yīng)用的一個突破，可提供遠遠超越傳統(tǒng)微米和納米分析的解決方案。
Ultim Extreme是Ultim Max系列中的一款無窗能譜，晶體面積100mm2，經(jīng)優(yōu)化設(shè)計來盡可能提高靈敏度和空間分辨率。它采用跑道型結(jié)構(gòu)設(shè)計，優(yōu)化高分辨率場發(fā)射掃描電鏡在低加速電壓和短工作距離下工作時的成像和EDS性能，使用Ultim Extreme，EDS的空間分辨率接近掃描電鏡的分辨率。
Ultim Extreme是高分辨率場發(fā)射掃描電鏡應(yīng)用中的一個突破性解決方案。該探測器實現(xiàn)了在低的加速電壓（例如1-3kV）和非常短的工作距離下進行EDS數(shù)據(jù)采集和元素分析，從而在高SEM分辨率下分析納米材料和表面的元素信息。
高分辨率場發(fā)射掃描電鏡可以用來研究更小的納米結(jié)構(gòu)、界面和表面。然而，在這些分析條件下，工作距離很小，工作電壓非很低，束流需要盡可能小以充分利用鏡筒內(nèi)探測器的電子信號，但現(xiàn)在沒有EDS可提供此類元素表征。Ultim Extreme的出現(xiàn)改變了這種現(xiàn)狀，它專為此類分析而設(shè)計：
◆ 優(yōu)化的幾何設(shè)計
在更小的工作距離下工作
在傳統(tǒng)EDS安裝接口上使立體角盡可能提高。立體角通常比Ultim 170大5倍，傳感器與試樣的距離縮短為普通探測器的一半
◆ 無窗設(shè)計
與任何其他大面積探測器相比，立體角提高的同時，對低能端X射線的靈敏度提高了10～30倍
新型電子電路提高對極低能量X射線的靈敏度， 增強了高計數(shù)率下低能量X射線的分析能力
將AZtec Live和Tru-Q ®分析引擎結(jié)合實現(xiàn)低加速電壓下的數(shù)據(jù)處理和分析
優(yōu)化TruMap用于低電壓譜峰重疊校正
為了實現(xiàn)這種的幾何結(jié)構(gòu)，Ultim Extreme采用非圓形100mm2傳感器和無窗設(shè)計，這種設(shè)計已成功用于X-Max N 100TLE，以優(yōu)化TEM的靈敏度。此外，該探測器采用新型的體積更小的的電子陷阱設(shè)計，可在高達7kV的電壓下進行準確定量分析，并在較高能量下進行元素定性分析
