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蘇州上器試驗設(shè)備有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地蘇州市
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更新時間：2024-03-13 17:40:54瀏覽次數(shù)：503次
聯(lián)系我時，請告知來自 智能制造網(wǎng)不用接觸就可以簡單準(zhǔn)確地測量原生或成型硅塊的真實壽命。與半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PV(光伏）－13相符合。
操作簡單、靈敏度高
BLS-I and BCT-400測量系統(tǒng)對于單晶硅或多晶硅（硅錠或硅塊）不需要進行表面鈍化就可以進行壽命測量。因為壽命測量是描述生長特征和污染缺陷靈敏度的技術(shù)，這些工具允許你評估硅生長后的質(zhì)量。
性能*
非接觸方式量測真正意義上的硅塊少子壽命，符合SEMI的PV13標(biāo)準(zhǔn)；相比業(yè)界其他少子壽命測試儀BLS-I/BCT系列是性能更*的少子壽命測試儀。
多型號選擇
如果想要設(shè)備能夠測量多種的表面類型（150mm直徑到平滑的）請選BLS-1.如果是僅需要測量平滑表面，請選擇BCT-400.
BCT400/BLS-1應(yīng)用
廠商品質(zhì)監(jiān)控常見的測量設(shè)備，擁有廣泛客戶群
?測量壽命在1-5ms(豪秒）范圍內(nèi)的高純度硅
?測量沒有進行特殊表面處理的原生直拉硅
?測量多晶硅塊的壽命和俘獲濃度
?探測氧化硼缺陷，鐵污染，和表面損害
?測試直拉硅，區(qū)熔硅，多晶硅或高純冶金硅的初始原料質(zhì)量
| 項目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 測量參數(shù) | 少子壽命、電阻率、陷阱密度 |
| 可測量的少子壽命范圍 | 0.1us-10ms |
| 可測量的電阻率范圍 | 0.5-300ohm.cm |
| 分析模式 | 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)方法少子壽命分析 瞬態(tài)方法少子壽命分析 一般方法少子壽命分析 |
| 可施加的用于修正陷阱的偏執(zhí)光范圍 | 0-50suns |
| 可以測量的樣品的表面類型 | 表面為平的硅塊樣品（BCT-400） 表面不平整的硅塊樣品（BLS-I） 不平整弧度的直徑可達150mm |
| 光源光譜 | 白光和紅外光 |
| 感應(yīng)器的面積 | 45cm*45cm |
| 可測量深度 | 3mm |
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