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額定電流	2 x 12A	額定電壓	2 x 9kV

behlke雙向推挽高壓開(kāi)關(guān)HTS 91-01-HB-AC-C

高速高壓開(kāi)關(guān)：

我們正在快速設(shè)計(jì)和制造高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)模塊，采用單通道和推挽式交換機(jī)配置，在 MOSFET、SiC、IGBT、

MCT 和晶閘管技術(shù)，用于交流和直流，

用于電壓高達(dá) 200 kV。固態(tài) 切換程序分為兩個(gè)基本類(lèi)別：具有固定導(dǎo)通時(shí)間的開(kāi)關(guān) （產(chǎn)品組 A 至 B4）

以及具有可變導(dǎo)通時(shí)間的開(kāi)關(guān)（產(chǎn)品組 C1 至 C8）。

交流 MOSFET 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)允許輸入負(fù)電壓和正電壓，無(wú)需改變開(kāi)關(guān)極的極性--無(wú)需復(fù)雜的極性反轉(zhuǎn)繼電器電路！

上升和下降時(shí)間相同

● 無(wú)源開(kāi)關(guān)路徑鎖定確保安全運(yùn)行 ● 無(wú)交叉電流 ● 適合將精確的高壓方波脈沖輸入電容性負(fù)載

● 無(wú)需工作電阻器 ● 無(wú)需大型高壓輸入儲(chǔ)能電容器

產(chǎn)品編號(hào)：

型號(hào) 包含有關(guān)電壓、電流和導(dǎo)通行為的編碼信息。一位數(shù)字代表電壓，單位為 kV，最后一位數(shù)字在破折號(hào)表示

開(kāi)啟行為（0 = 固定導(dǎo)通時(shí)間，1 = 可變導(dǎo)通時(shí)間）。

破折號(hào)后面的數(shù)字表示當(dāng)前安培 x10。特殊功能由字母編碼第二個(gè)破折號(hào)。

示例 HTS 31-03-HB-C： HTS = 高壓晶體管開(kāi)關(guān)，3 = 3 kV，1 = 可變導(dǎo)通時(shí)間，03 = 30 安培，HB = 半橋，

C = 緊湊系列。

behlke雙向推挽高壓開(kāi)關(guān)HTS 91-01-HB-AC-C

HTS 91-01-HB-AC-C技術(shù)參數(shù)

專(zhuān)為 PCB 組裝而設(shè)計(jì)。其他外殼可選配。

電壓[kV] 2 x 9

電流[A] 2 x 12

電阻[Ω] 2 x 84

導(dǎo)通時(shí)間[ns] 70…∞

尺寸[mm 3] 125 x 38 x 20

產(chǎn)品選擇：

高壓和脈沖電源應(yīng)用暗示著總是有一定的火花和閃現(xiàn)的風(fēng)險(xiǎn)，特別是當(dāng)環(huán)境條件、操作條件或負(fù)載條件出乎意料

地變化。

因此，峰值電流能力固態(tài)開(kāi)關(guān)的應(yīng)始終盡可能高，至少高于可能的短路電流應(yīng)用。關(guān)于額定電壓的選擇，

我們建議 MOSFET開(kāi)關(guān)的安全裕度為>5%，>20% 適用于所有雙極開(kāi)關(guān)（IGBT、MCT、SCR），

以最大限度地降低意外的電壓波動(dòng)或可能的損壞反激式電壓。

長(zhǎng)期可靠性（平均值高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)的故障間隔時(shí)間，MTBF）取決于工作溫度。因此，我們高度

建議僅在中等溫度下操作開(kāi)關(guān) 盡可能。

這主要是通過(guò)足夠的導(dǎo)通電阻和電流能力可較大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。低流浪電容可降低高頻下的功耗。

behlke雙向推挽高壓開(kāi)關(guān)HTS 91-01-HB-AC-C

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