硅探測器

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西安立鼎光電科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

si探測器光譜響應(yīng)圖硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分，是可見光和近紅外波段主要的探測器

詳細(xì)介紹

si探測器光譜響應(yīng)圖

硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分，是可見光和近紅外波段主要的探測器。硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，

該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控

制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設(shè)備中。

1.室溫Si探測器

Detector type	Active Dia (mm)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance pF),tpy	OperatingWavelength (nm)	Spectral Responsivity (A/W)	NEP (W/ HZ ^1/2 ) @800nm,1KHz
LD-S-010	1.0	500	25	300-1000	0.55@850nm	<1.0x10^-14
LD-UVS-010	1.0	500	50	200-1000	0.55@800nm	<1.0x10^-14
LD-S-025	2.5	500	400	300-1000	0.55@850nm	<1.0x10^-14
LD-UVS-025	2.5	200	300	200-1000	0.50@800nm	<1.5x10^-14
LD-S-050	5	200	1500	350-1100	0.55@850nm	<1.5x10^-14@850nm
LD-UVS-050	5	50	1000	200-1100	0.50@800nm	<3.0x10^-14@700nm
LD-S-100	10	10	1000	350-1100	0.50@850nm	<1.0x10^-13@850nm
LD-UVS-100	10	50	1800	200-1000	0.50@800nm	<5x10^-14@800nm
LD-S-113	11.3	200	9000	300-1100	0.55@850nm	<1.5x10^-14
LD-UVS-113	11.3	10	4000	200-1000	0.50@800nm	<1.0x10^-13

2. 二級制冷Si探測器

type	OperatingTemperature(℃)	Shunt Resistanve (MΩ)	Shunt Capacitance (pF),tpy	NEP (W/ HZ ^1/2 )@800nm	Responsivity@850nm (A/W)	Cooler Current (A)
LD-S-010-TE2	22	500	25	——	0.55	0.00
LD-S-010-TE2	-30	>1000	25	——	0.55	0.65
LD-UVS-010-TE2	22	500	50	——	0.55	0.00
LD-UVS-010-TE2	-30	>1000	50	——	0.55	0.65
LD-S-025-TE2	22	100	400	<1.9x10^-14	0.55	0.00
LD-S-025-TE2	-30	>1000	400	<5x10^-15	0.55	0.65
LD-UVS-025-TE2	22	200	300	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-025-TE2	-30	>1000	300	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-050-TE2	22	>200	1000	<1.5x10^-14	0.55	0.00
LD-S-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-UVS-050-TE2	22	>100	1000	<2x10^-14	0.55	0.00
LD-UVS-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
LD-S-100-TE2	22	10	1000	<1.0x10^-13	0.50	0.00
LD-S-100-TE2	-30	500	900	<1.0x10^-14	0.50	0.70
LD-UVS-100-TE2	22	50	1800	<5.0x10^-14	0.50	0.00
LD-UVS-100-TE2	-30	1000	1600	<1.0x10^-14	0.50	0.70

關(guān)鍵詞：探測器光電器件光纖連接器氣體分析

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