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北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司
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更新時(shí)間:2023-02-18 14:13:33瀏覽次數(shù):552次
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CTLD-100型 LiF:Mg,Ti熱釋光探測(cè)器
CTLD-100型
LiF:Mg,Ti熱釋光探測(cè)器
LiF:Mg,Ti探測(cè)器探測(cè)器具有衰退小、精確度高、量程范圍寬、組織等效性和能量響應(yīng)好等特點(diǎn),可測(cè) X、γ、β 等射線,在核工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生系統(tǒng)、地質(zhì)找礦和石油勘探等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
主要?jiǎng)┝繉W(xué)持性
1、發(fā)光曲線:LiF;Mg,Ti探測(cè)器在300℃以下具有6個(gè)發(fā)光峰,一般將第5個(gè)峰作為劑量測(cè)定峰,峰值溫度為210℃左右。
2、衰退:≤5.6%/年(在常溫下儲(chǔ)存);
3、均 勻 性: ≤±5%(和探測(cè)器的分散性有關(guān))
3、線性范圍:10-4~3Gy;
4、重復(fù)性:LiF:Mg,Ti探測(cè)器的重復(fù)性符合國標(biāo)(GBl0264—88)要求,其重復(fù)使用性能隨使用次數(shù)的增加趨于更加穩(wěn)定,一般均在上百次以上;
5、長(zhǎng)期穩(wěn)定性:在環(huán)境溫度低于40℃的環(huán)境下,累積劑量信息的衰退在3-6個(gè)月內(nèi)可以忽賂不計(jì),若環(huán)境溫度≥50℃時(shí),則其劑量信息的衰退約為(3-5)%/月。
6、能量響應(yīng):1.30(對(duì)30keV X射線與60Co γ射線的響應(yīng)比);
7、光照效應(yīng):對(duì)于室內(nèi)散射日光、白熾燈光、日光燈無明顯響應(yīng),對(duì)于直射陽光照射則有明顯響應(yīng)。
使用條件
探測(cè)器可采用熱風(fēng)加熱式讀出器測(cè)量,也可采用直接電加熱式(電阻帶式加熱盤)讀出器測(cè)量;
退火:400℃,l小時(shí)、迅速冷卻后100℃,2小時(shí)退火;
測(cè)量:對(duì)于直接電加熱式讀出器,其測(cè)量條件加熱方式、參數(shù)等因素有關(guān),直接電加熱式讀出器測(cè)量參數(shù)見下表。
直接電加熱式讀出器測(cè)量參數(shù)
測(cè)量方式 | 預(yù) 熱 | 測(cè) 量 | 加熱速率 (℃?s-1) | 備 注 | ||
溫度(℃) | 時(shí)間(s) | 溫度(℃) | 時(shí)間(s) | |||
線性 | - | - | 400 | 400 | 1 | 測(cè) 量 TL曲線 |
- | - | 400 | 200 | 2 | ||
兩階段程序 | 140 | 20 | 240 | 15-20 | 20 | |
一階段程序 | - | - | 240 | 15-20 | 20 | 測(cè)前低 溫退火 |
- | - | 270 | 15-20 | 20 |
表中參數(shù)僅供參考,建議用戶根據(jù)具體情況確定,其確定原則是使劑量測(cè)定峰落在測(cè)量周期(測(cè)量上升和恒溫時(shí)間)內(nèi),而測(cè)量周期要盡可能的短。
表中時(shí)間參數(shù)為上升、恒溫時(shí)間。
使用注意事項(xiàng)
1、探測(cè)器要存放在環(huán)境溫度、干燥(干燥瓶)的環(huán)境條件下保存,避免陽光直射、有機(jī)氣氛的影響;
2、探測(cè)器退火時(shí)要嚴(yán)格控制退火條件,如有條件應(yīng)采用專用探測(cè)器退火冷卻爐,以保證探測(cè)器的性能;
3、采用直接電加熱式讀出器測(cè)量時(shí),可在玻管探測(cè)器加熱盤兩端開兩個(gè)孔,以保證探測(cè)器和加熱盤有良好的熱接觸。
4、退火時(shí),應(yīng)在溫度達(dá)到設(shè)置的溫度后,再將裝有探測(cè)器的托盤放入退火爐中,放入托盤后爐溫會(huì)略有下降,當(dāng)其溫度達(dá)到設(shè)置的溫度時(shí)開始計(jì)時(shí);
5、探測(cè)器從爐中取出后,要放在冷卻冷卻板上冷卻(在濕度比較大時(shí),冷卻時(shí)間不宜過長(zhǎng),以防受潮,一般控制在10幾秒);
6、測(cè)量后應(yīng)將探測(cè)器放在金屬盒里或金屬板上;
7、要用清潔的鑷子輕取探測(cè)器,切勿用手接觸探測(cè)器,以免沾污。對(duì)污染的片狀探測(cè)器(用手觸摸、掉在地板或桌面上)剔除,切勿用酒精棉球擦洗再用,清洗后可在以后探測(cè)器篩選時(shí)使用;
8、探測(cè)器要用清潔、光滑、不起毛紙包裝;
9、放置探測(cè)器的器具要保持清潔,要用清潔的鑷子輕取探測(cè)器,切勿用手接觸探測(cè)器;
10、探測(cè)器在照射后和經(jīng)過熱處理后放在專用的熱釋光探測(cè)器低本底鉛室或其它低本底鉛室中保存。
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