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當前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導體參數(shù)測試系統(tǒng)>>功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)>> PMST-3500V大功率分立器件半自動測試儀
產(chǎn)品型號PMST-3500V
品 牌普賽斯儀表
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時間:2024-11-29 09:44:38瀏覽次數(shù):66次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件(DUT)施加電壓或電流,然后測試其對激勵做出的響應(yīng);通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,過程既復雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是大功率分立器件半自動測試儀,普賽斯分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計,方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)特點和優(yōu)勢:
單臺Z大3500V輸出;
單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;
15us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標全指標的自動化測試;
系統(tǒng)指標
項目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯大功率分立器件半自動測試儀感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們
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