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      武漢普賽斯儀表有限公司
      初級(jí)會(huì)員 | 第2年

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      當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)>>IGBT測(cè)試設(shè)備>> PMST-2200Vigbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

      igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

      參   考   價(jià): 1000

      訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號(hào)PMST-2200V

      品       牌普賽斯儀表

      廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

      所  在  地武漢市

      更新時(shí)間:2024-10-11 09:45:31瀏覽次數(shù):147次

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      武漢普賽斯儀表igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試,并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

      隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn),功率半導(dǎo)體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速崛起,它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點(diǎn),使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

      不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間,如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

      靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC(直流)狀態(tài)測(cè)試,施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試。主要包括:柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級(jí)間耐壓、源極漏級(jí)間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。

      圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題,如掃描模式對(duì)SiC  MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對(duì)SiC MOSFET 導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對(duì)SiC  MOSFET導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響、線路等效電容對(duì)SiC   MOSFET測(cè)試的影響等多個(gè)維度,針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題,普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,具有更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。

      igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

      普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。

      測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率最高支持1MHz。


      系統(tǒng)特點(diǎn)

      高電壓:支持高達(dá)8KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);  
      大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
      高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試;
      豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
      配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
      數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
      模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
      可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
      可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);


      測(cè)試項(xiàng)目

      igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備


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