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產(chǎn)品型號(hào)SPA-6100
品 牌普賽斯儀表
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時(shí)間:2024-07-18 09:52:33瀏覽次數(shù):301次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 智能制造網(wǎng)半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀+大電流高壓分析儀
工控機(jī) | 內(nèi)置品牌專業(yè)工控機(jī) | 輸入電源 | 220V 50/60Hz |
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測(cè)試范圍 | 30μV-1200V;1pA-100A | 接口 | USB,LAN |
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀+大電流高壓分析儀概述:
SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開發(fā),具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。
基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過程,實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。
產(chǎn)品特點(diǎn):
30μV-1200V;1pA-100A寬量程測(cè)試能力;
測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度;
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便;
自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);
在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強(qiáng);
免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集;
典型應(yīng)用:
納米、柔性等材料特性分析;
二極管;
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;
第三代半導(dǎo)體材料/器件;
有機(jī)OFET器件;
LED、OLED、光電器件;
半導(dǎo)體電阻式等傳感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量;
太陽(yáng)能電池;
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備;
失效分析;
系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀+大電流高壓分析儀訂貨信息
硬件指標(biāo)-IV測(cè)試
半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征,往往包括電特性參數(shù)測(cè)試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試,都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU),具有四象限,多量程,支持
四線測(cè)量等功能,可用于輸出與檢測(cè)高精度、微弱電信號(hào),是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配,實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開支的平衡。
靈活可定制化的夾具方案
針對(duì)市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn),可
用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類產(chǎn)品的測(cè)試;也可與探針臺(tái)連接,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片
測(cè)試。
探針臺(tái)連接示意圖
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!
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