普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，單管igbt測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表

SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)，具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量，同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開(kāi)發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程，實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測(cè)試能力；

測(cè)量精度高，全量程下可達(dá)0.03%精度；

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便；

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線；

提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)；

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集；

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件；

有機(jī)OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量；

太陽(yáng)能電池；

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備；

失效分析；

系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

訂貨信息

單管igbt測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析儀主要性能指標(biāo)：

低壓直流I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-最大電壓300V，最大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區(qū)間
-支持二線，四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

低壓脈沖I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-最大電壓300V,最大直流1A或3A可選，最大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區(qū)間.
-支持二線，四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

高壓I-V源測(cè)量單元
-精度0.1%    
-最大電壓1200V,最大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區(qū)間
-支持二線、四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

高流I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-最大電壓100V，最大直流30A,最大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區(qū)間
支持二線、四線制測(cè)試模式
-支持GUARD保護(hù)

電壓電容C-V測(cè)量單元

-基本精度0.5%
-測(cè)試頻率10hZ~1MHz，可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置，最大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測(cè)試，C-V、 C-f、 C-t

硬件指標(biāo)-IV測(cè)試

半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測(cè)試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試，都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測(cè)量等功能，可用于輸出與檢測(cè)高精度、微弱電信號(hào)，是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開(kāi)支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對(duì)市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn)，可
用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測(cè)試;也可與探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片
測(cè)試。

探針臺(tái)連接示意圖