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      行業(yè)產(chǎn)品

      • 行業(yè)產(chǎn)品

      西安法特電子科技有限公司


      • 美國(guó)InfraRed HgCdTe 中長(zhǎng)波光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 美國(guó)InfraRed公司主要生產(chǎn)HgCdTe和InSb紅外探測(cè)器,提供各種制冷方式的HgCdTe和InSb探測(cè)器,包括液氮制冷、斯特林制冷和熱電制冷

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-04 在線留言

      • 美國(guó)EOS短波PbS探測(cè)器1-2.8um

        詳細(xì)摘要: 硫化鉛的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在1.0-4.5微米

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-04 在線留言

      • 美國(guó) Infrared中波InSb探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 光伏銻化銦探測(cè)器采用平頂技術(shù)的pn結(jié)結(jié)構(gòu),利用的是單晶材料,在1um-5.5um之間有著很好的光譜響應(yīng)

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-04 在線留言

      • 德國(guó)IFW紫外探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 光譜響應(yīng)范圍于200-400nm或(210-380nm),不需要額外的濾光片來屏蔽可見光或紅外輻射試驗(yàn)證明,即使在1000W/m2強(qiáng)度的254nm光輻照下,仍然...

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      • 西班牙NIT公司PbSe 中波探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: LEPTONDETECTOR響應(yīng)波段:MWIR(1-5microns).Formats:1x1毫米

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-04 在線留言

      • X射線探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: AmptekX射線探測(cè)器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測(cè)器,根據(jù)不同探測(cè)器類型和峰化時(shí)間,55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV,的FA...

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • ID Qube 紅外單光子探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: IDQube系列是為電信波長(zhǎng)優(yōu)化的快速門控/自由空間模式下的紅外單光子探測(cè)器,分為IDQubeNIRGated和IDQubeNIRFree-Running2個(gè)型...

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • ID221紅外單光子探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: ID221為電信波長(zhǎng)的自由運(yùn)行模式下的單光子探測(cè)帶來了重大突破

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • ID230 InGaAs/InP紅外單光子探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: ID230是電信波長(zhǎng)自由運(yùn)行模式下單光子探測(cè)的重大突破

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • ID120可見光單光子探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: IDQ的ID120系列由緊湊而廉價(jià)的基于硅雪崩光電二極管單光子探測(cè)器模塊組成

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • ID100可見光單光子探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: IDQ的ID100系列由緊湊而廉價(jià)的基于硅雪崩光電二極管單光子探測(cè)器模塊組成,具有的時(shí)間分辨率和的暗計(jì)數(shù)率,在可見光譜范圍為:350-900nm

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      • 鍺探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 1

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      • InGaAs高速探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 3

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      • PbSe中紅外大面積功率探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: PbSe中紅外大面積功率探測(cè)器可以用于測(cè)量的波長(zhǎng)范圍是1.5m-5.0m,增益可調(diào)倍數(shù)為2X或100X,有效面積達(dá)到5mmx5mm,易于校準(zhǔn)

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      • 22GHz InGaAs光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: EOT22GHz(25GHz)InGaAs光電探測(cè)器內(nèi)置PIN光電二極管,通過光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換成電流

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • >12.5GHz放大光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 12.5GHz放大光電探測(cè)器

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • <2GHz放大光電探測(cè)器2

        詳細(xì)摘要: EOT放大光電探測(cè)器內(nèi)置的PIN光電二極管,通過光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換成電流

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      • InGaAs/Silicon光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: EOTInGaAs/Silicon光電探測(cè)器內(nèi)置的PIN光電二極管,通過光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換成電流

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • >10GHz放大光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: 10GHz放大光電探測(cè)器

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

      • <2GHz放大光電探測(cè)器

        詳細(xì)摘要: EOT放大光電探測(cè)器內(nèi)置的PIN光電二極管,通過光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換成電流

        產(chǎn)品型號(hào):所在地:更新時(shí)間:2024-03-03 在線留言

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