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      武漢瑞德儀科技有限公司


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      Hysitron PI95用于TEM的納米壓痕儀

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      更新時(shí)間:2022-10-14 11:59:59瀏覽次數(shù):248次

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      產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      用于TEM的納米壓痕儀------個(gè)能夠直接在透射電子顯微鏡內(nèi)觀察納米力學(xué)測(cè)試的設(shè)備,原位納米力學(xué)測(cè)試儀器

      詳細(xì)介紹

      布魯克的Hysitron PI 95 TEM PicoIndenter 是能夠直接在透射電子顯微鏡 (TEM) 內(nèi)觀察的深度感應(yīng)納米壓痕設(shè)備。有了這種測(cè)試儀器,不僅能夠?qū){米級(jí)材料的力學(xué)響應(yīng)進(jìn)行成像,還可以同時(shí)獲取載荷-位移數(shù)據(jù)。此外,集成視頻接口允許在載荷-位移曲線(xiàn)和對(duì)應(yīng)的 TEM 視頻之間進(jìn)行同步。

      一、亮點(diǎn)

      1)全面------深度感應(yīng)納米壓痕

      實(shí)現(xiàn)TEM內(nèi)納米力學(xué)測(cè)試的直接觀測(cè);

      2)高性能------高級(jí)控制模塊

      提供高達(dá) 78 kHz 反饋速率和38 kHz 的數(shù)據(jù)采集速率,以捕獲瞬態(tài)事件(如錯(cuò)位突變等)。

      3)精確------三級(jí)定位系統(tǒng)

      包括三軸定位器、3D 壓電調(diào)整器和用于靜電驅(qū)動(dòng)和電容位感應(yīng)的高級(jí)傳感器。

      二、特點(diǎn)

      1)針對(duì)您的 TEM 的定制解決方案

      Hysitron PI 95 經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可與 JEOL、FEI、日立和蔡司顯微鏡兼容。有了這種儀器,不僅能夠?qū){米尺度材料的力學(xué)反應(yīng)進(jìn)行成像,而且可以同時(shí)獲取定量機(jī)械數(shù)據(jù)。集成的視頻接口允許載荷-位移曲線(xiàn)和相應(yīng)的 TEM 視頻同步。

      2)針對(duì)納米級(jí)研究進(jìn)行了優(yōu)化

      Hysitron PI 95 特別適用于納米尺度現(xiàn)象的研究。在 TEM 中執(zhí)行這些類(lèi)型的研究可以明確區(qū)分力或位移瞬變的許多可能原因,這些原因可能包括錯(cuò)位爆發(fā)、相變、剝落、剪切帶或斷裂產(chǎn)生。

      3)的性能

      Hysitron PI 95 采用三級(jí)控制進(jìn)行定位和力學(xué)測(cè)試。除了三軸粗定位器和用于精細(xì)定位的三維壓電調(diào)整器外,該儀器還配備了用于靜電驅(qū)動(dòng)的傳感器和用于獲取定量納米級(jí)力學(xué)測(cè)試數(shù)據(jù)的電容位移傳感器。

      三、提供泛的創(chuàng)新表征技術(shù)------選項(xiàng)和附件

      1) 樣品安裝------納米級(jí)材料的多種設(shè)計(jì);

      2SEM TEM 加熱臺(tái)------直接測(cè)量和觀察熱啟動(dòng)材料轉(zhuǎn)化;

      3) 原位納米劃痕模塊------同時(shí)具有正壓力和橫向力的高分辨率測(cè)量功能;

      4)納米動(dòng)態(tài)力學(xué)------施加振蕩力,持續(xù)測(cè)量粘彈性和疲勞特性,獲得其作為接觸深度、頻率和時(shí)間的函數(shù);

      5)電學(xué)特性模塊(ECM)------在納米壓痕、壓縮或拉伸加載期間同時(shí)進(jìn)行原位電特性測(cè)量;

      6)壓轉(zhuǎn)拉模塊(PTP)------專(zhuān)為納米線(xiàn)和獨(dú)立薄膜而設(shè)計(jì)。


       四、相關(guān)圖片


      1Hysitron PI 95 經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可與 JEOL、FEI、日立和蔡司顯微鏡兼容

       

      2)壓縮前和壓縮后鎳納米柱的暗場(chǎng) TEM 圖像。最初在柱子中觀察到的高錯(cuò)位密度在壓縮時(shí)已經(jīng)消失。(來(lái)源:Nature Materials 7, 115-119 2007.

       

      3)示例 1 μN(yùn) 劃痕測(cè)試:(1) 正向和橫向載荷,正向位移隨時(shí)間變化;(2-5) 原位 TEM 視頻中的相應(yīng)幀,顯示 DLC 薄膜在顆粒頂部的變形

       

      4)壓縮VLS法生長(zhǎng)的n型摻雜的硅納米柱時(shí)的電學(xué)表征。 D.D. Stauffer 博士論文,“納米級(jí)脆性材料的變形機(jī)理",明尼蘇達(dá)大學(xué)(2011),第 150-152 頁(yè)



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