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      球差場發(fā)射透射電子顯微鏡 HF5000

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      更新時間:2022-10-14 10:36:44瀏覽次數(shù):241次

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      產(chǎn)品簡介

      200 kV相差校正TEM/STEM,平衡了空間分辨率和傾斜、分析性能通過單極片實現(xiàn)0.078 nm的STEM空間分辨率和高樣品傾斜度、高立體角EDX。 透射電子顯微鏡除了延續(xù)了日立公司配備的具有掃描透射電子顯微鏡HD-2700的球面像差校正器的功能、自動校正功能,像差校正后的SEM圖像和對稱Dual SDD技術(shù)等特點。還融匯了透射電子顯微鏡HF系列中所積累的技術(shù)。 對于包括用戶在內(nèi)的廣泛用戶......

      詳細介紹

      球差場發(fā)射透射電子顯微鏡 HF5000

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      球差場發(fā)射透射電子顯微鏡 HF5000

      200 kV相差校正TEM/STEM,平衡了空間分辨率和傾斜、分析性能

      通過單極片實現(xiàn)0.078 nm的STEM空間分辨率和高樣品傾斜度、高立體角EDX。
      透射電子顯微鏡除了延續(xù)了日立公司配備的具有掃描透射電子顯微鏡“HD-2700”的球面像差校正器的功能、自動校正功能,像差校正后的SEM圖像和對稱Dual SDD技術(shù)等特點。還融匯了透射電子顯微鏡HF系列中所積累的技術(shù)。
      對于包括用戶在內(nèi)的廣泛用戶,我們提供亞Å級空間分辨率和高分析性能以及更多樣化的觀察和分析方法。

      附帶第二顯示器(可選),顯示屏為嵌入式合成界面。

      • 特點

      • 規(guī)格

      特點

      1. 標(biāo)配日立生產(chǎn)的照射系統(tǒng)球差校正器(附自動校正功能)
      2. 搭載具有高輝度、高穩(wěn)定性的冷場FE電子槍
      3. 鏡體和電源等的高穩(wěn)定性使機體的性能大幅度提升
      4. 觀察像差校正SEM/STEM圖像的同時觀察原子分辨率SE圖像
      5. 采用側(cè)面放入樣品的新型樣品臺結(jié)構(gòu)以及樣品桿
      6. 支持高立體角EDX*的對稱配置(對稱Dual SDD*
      7. 采用全新構(gòu)造的機體外殼蓋
      8. 配備日立生產(chǎn)的高性能樣品桿*
      *
      選項

      高輝度冷場FE電子槍×高穩(wěn)定性×日立制球面像差校正器

      以長年積累起來的高輝度冷場FE電子源技術(shù)為基礎(chǔ),進行優(yōu)化,進一步實現(xiàn)電子槍的高度穩(wěn)定性。
      此外,還更新了鏡體,電源系統(tǒng)和樣品臺,以支持觀察亞Å圖像,并提升了機械和電氣穩(wěn)定性,然后與日立公司的球差校正器結(jié)合使用。
      不僅可以穩(wěn)定地獲得更高亮度更精密的探頭,而且自動像差校正功能可以實現(xiàn)快速校正,從而易于發(fā)揮設(shè)備的固有性能。使像差校正可以更實用。

      Si(211)單晶體HAADF-STEM圖像(左)和圖像強度曲線分布(右下)、FFT功率譜(右上)
      Si(211)單晶體HAADF-STEM圖像(左)和圖像強度曲線分布(右下)、FFT功率譜(右上)

      支持高立體角EDX*的對稱Dual SDD*

      支持雙重配置100 mm2 SDD檢測器,以實現(xiàn)更高的靈敏度和處理能力進行EDX元素分析。
      由于第二檢測器位于檢測器的對面位置,因此,幾乎不會因為樣品傾斜,導(dǎo)致X射線中的信號檢測量發(fā)生變化。所以,即使是結(jié)晶性樣品,也不用顧忌信號量,可*按照樣品的方向與位置進行元素分析。
      此外,對于電子束敏感樣品、低X光輻射量的樣品,除了原子列映射,在低倍、廣視野的高精細映射等領(lǐng)域也極為有效。

      GaAs(110)的原子柱EDX映射
      GaAs(110)的原子柱EDX映射

      像差校正SEM圖像/STEM圖像 同時觀察

      配有標(biāo)配二次電子檢測器,可同時觀察像差校正SEM/STEM圖像。通過同時觀察樣品的表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu),可以掌握樣品的三維構(gòu)造。
      在像差校正SEM圖像中,除了可以通過校正球差來提高分辨率之外,還可以獲取更真實地樣品表面圖像。

      Au/CeO2催化劑的SEM/ADF-/BF-STEM圖像(上段)和Au粒子的高分辨率圖像(下段)
      Au/CeO2催化劑的SEM/ADF-/BF-STEM圖像(上段)和Au粒子的高分辨率圖像(下段)

      規(guī)格

      主要規(guī)格

      項目內(nèi)容
      電子源 W(310)冷陰極場發(fā)射型
      加速電壓 200 kV、60 kV*1
      圖像分辨率STEM 0.078 nm(ADF-STEM圖像)
      TEM 0.102 nm(晶格像)
      倍率STEM ×20~×8,000,000
      TEM ×100~×1,500,000
      樣品微動樣品臺 偏心測角儀(Eucentric Goniometer)5軸樣品臺
      樣品尺寸 3 mm Φ
      移動范圍 X, Y=±1.0 mm,Z=±0.4 mm
      樣品傾斜 α=±25°、β=±35°(日立2軸傾斜樣品桿*1
      像差校正器 配有日立照射系統(tǒng)球面像差校正器(標(biāo)配)
      圖像顯示PC Windows® 7 *2
      顯示器 27英寸寬屏液晶顯示器(機體控制顯示器、第二顯示器*1
      攝像頭 標(biāo)配伸縮式攝像頭
      屏幕攝像頭*1(用于熒光板觀察)

      機體尺寸/重量

      項目寬度×進深×高度(mm)重量(kg)
      鏡體(含電子槍) 1,060×1,742×2,970 1,940
      機體外殼蓋 1,678×1,970×3,157 429
      操作臺 1,400×819×740 132
      擴展操作臺*1 580×819×740 53
      FE槽 1,041×840×1,317 482
      V0槽 398×630×1,046 164
      控制電源 1,400×693×816 173
      像差校正器電源 606×529×1,096 81
      排氣系統(tǒng)電源 913×663×1,790 378
      轉(zhuǎn)向系統(tǒng)電源 913×663×1,790 394
      配重塊 280×130×130 23
      Gatan控制器*1*3 576×648×1,173 150
      冷卻水控制裝置 470×540×350 25
      冷卻水循環(huán)裝置*1*3 970×970×1,064 95
      干式泵*1 252×400×336 23
      空壓機*1 275×560×576 25

      安裝條件

      項目內(nèi)容
      室溫 15~23℃(溫度變化:0.2℃/h以內(nèi))
      濕度 40~60% RH
      電源機體 單相AC200~240 V ±10%、50/60 Hz、10 kVA
      斷路器容量 50 A
      冷卻水循環(huán)裝置*1*3 三相AC200 V ±5%、50/60 Hz、30 A
      接地 D種接地(100 Ω以下)
      冷卻水水量 5.1~5.3 L/min 1系統(tǒng)、2.0~2.2 L/min 1系統(tǒng)
      (水壓0.25 MPa)
      水溫 16~18℃(變動:±0.1℃以內(nèi))
      氣體SF6 99.9%以上、180 k~200 kPa
      干氮 99.9%以上、0~100 kPa
      壓縮空氣 600 k~800 kPa

      購買之前,請設(shè)置預(yù)定安裝處測量振動、磁場和噪聲,如果超過容許值,請務(wù)必另行咨詢。
      關(guān)于容許值,請另行咨詢。

      備注
      *1:選項。*2:Windows是在美國以及其他國家的注冊的美國Microsoft Corp.商標(biāo)。*3:規(guī)格、尺寸均根據(jù)廠家、型號和配置的不同而會有所不同。

      布局示例

      布局示例
      ※使用上述配置(包含維護工具),整體設(shè)備總重量約為5,000kg。
      ※請檢查地面強度(kg/m2)>3×設(shè)備總重量(kg)/占地面積(m2)。

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      • TEM/SEM樣品的前處理裝置

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