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      微納(香港)科技有限公司


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      REAL RTP150型快速退火爐

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      具體成交價以合同協(xié)議為準

      產(chǎn)品型號

      品       牌

      廠商性質(zhì)其他

      所  在  地

      聯(lián)系方式:劉經(jīng)理查看聯(lián)系方式

      更新時間:2022-11-01 12:32:15瀏覽次數(shù):294次

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      經(jīng)營模式:其他

      商鋪產(chǎn)品:9條

      所在地區(qū):北京北京市

      聯(lián)系人:劉經(jīng)理

      產(chǎn)品簡介

      REAL RTP150型快速退火爐

      詳細介紹

      ? 產(chǎn)品簡介:
      REAL RTP150型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償,溫度控制精確,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇。

      ? 技術(shù)特色:

      ? 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補償

      ? 紅外鹵素管燈加熱

      ? 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性

      ? 快速數(shù)字PID溫度控制

      ? 不銹鋼冷壁真空腔室

      ? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

      ? 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)

      ? 帶觸摸屏的PC控制

      ? 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

      ? 3路氣體(MFC控制)

      ? 沒有交叉污染,沒有金屬污染

      ? 真實基底溫度測量技術(shù)介紹



      如上圖,由陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實的溫度,必須進行溫度補償。

      REAL RTP150型快速退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫,如上圖,接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進行熱量傳遞,并很快達到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度,從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。

      ? 主要技術(shù)參數(shù)

      ? 基片尺寸:6英寸

      ? 基片基座:石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

      ? 溫度范圍:150-1250℃

      ? 加熱速率:10-150℃/S

      ? 溫度均勻性:≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

      ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

      ? 溫度控制精度:≤ ±3℃

      ? 溫度重復性:≤ ±3℃

      ? 真空度:5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

      ? 氣路供應:標準1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(最多可選3路)

      ? 退火持續(xù)時間:≥35min@1250℃

      ? 溫度控制:快速數(shù)字PID控制

      ? 尺寸:870mm*650mm*620mm

      ? 基片類型

      ? Silicon wafers硅片

      ? Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

      ? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片

      ? Silicon carbide wafers碳化硅基片

      ? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

      ? Glass substrates玻璃基片

      ? Metals金屬

      ? Polymers聚合物

      ? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

      ? 應用領域

      離子注入/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN),可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介電材料,晶體化,致密化,太陽能電池片鍵合等。

      關(guān)鍵詞:PID 觸摸屏 熱電偶
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