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     阻抗參數(shù)的測(cè)量可首先轉(zhuǎn)化為電壓測(cè)量及電壓分量的計(jì)算，最終可得到復(fù)阻抗的電阻參數(shù)和電抗參數(shù)，并可間接計(jì)算其他參數(shù)，如損耗參數(shù)、不同等效模式下的阻抗參數(shù)等。圖2為ZJD-C材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀一般原理框圖。流過(guò)待測(cè)元件的電流轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電壓信號(hào)，與待測(cè)元件的電壓經(jīng)緩沖放大后送給相敏模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(PSADC)。PSADC 主要由相敏檢波器(PSD)和積分型模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)構(gòu)成，PSADC 根據(jù)相位參考基準(zhǔn)信號(hào)與輸入的電壓信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于被測(cè)電壓與電流信號(hào)的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，并提供給微處理器CPU。CPU 接收控制按鍵的操作信號(hào)并按要求執(zhí)行特定的程序處理PSADC 提供的數(shù)據(jù)，最終經(jīng)計(jì)算得到被測(cè)阻抗參數(shù)數(shù)值并顯示。

三、實(shí)驗(yàn)儀器及樣品
    1、智德ZJD-C型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
    2、電極夾具（使用前需進(jìn)行零位校準(zhǔn)）
    3、標(biāo)準(zhǔn)電容
    4、待測(cè)樣品

四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1、打開(kāi)電源，預(yù)熱15分鐘以上。
2、對(duì)儀器進(jìn)行點(diǎn)頻清零。
3、測(cè)量并記錄某電容器在以下頻率時(shí)的Cp 和D 值：
Hz 200 400 600 800
kHz 1 2 3 4 5 6 8 10 20 40 80 100 120
MHz 1 1.2 1.5 2.0

4、寬頻介電常數(shù)測(cè)試儀對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行測(cè)量：
     a 右旋測(cè)量裝置的千分尺，將極板間距調(diào)到零，接近零位時(shí)要慢慢旋動(dòng)頂部按鈕，聽(tīng)到“咯"聲停止旋轉(zhuǎn)，記錄零位讀數(shù)L₀ 。
      b左旋千分尺至讀數(shù)L，記錄L，此時(shí)兩極板間距d=L-L₀
      c在頻率1KHz進(jìn)行開(kāi)、短路點(diǎn)頻清零，選擇Cp-D 功能。將接線夾子連接到測(cè)量裝置的接線柱上，測(cè)量極板間為空氣時(shí)的電容C₁
      d將樣品慢慢放入到極板中心，測(cè)試放入樣品時(shí)的電容C₂
      e相同地分別測(cè)量10KHz時(shí)的C₁ 、C₂ 和100KHz時(shí)的 C₁ 、C₂
      f用千分尺測(cè)出樣品的厚度t，用游標(biāo)卡尺測(cè)出樣品直徑d，均應(yīng)在不同位置重復(fù)測(cè)量三次。

五、數(shù)據(jù)處理
 1.將測(cè)得的某電容器在不同頻率下對(duì)應(yīng)的Cp 和D值記錄在下表中：

2.將表中數(shù)據(jù)導(dǎo)入到Origin中分別得到Cp--f,以及D--f的曲線關(guān)系圖如下：

圖二：D 隨 f 的變化曲線圖

3.寬頻介電常數(shù)測(cè)試儀結(jié)合圖表進(jìn)行分析：
      我們知道電容容量與頻率是曲線關(guān)系，在諧振點(diǎn)之前，電容容量隨頻率的增加而減小，在諧振點(diǎn)之后，電容容量隨頻率的增加而增加。
      結(jié)合表格和圖一我們發(fā)現(xiàn)該電容原件在 600KHz前電容是隨頻率f的增大而減小的，而在600KHz之后電容隨頻率f的增大而增大，即600KHz左右為諧振點(diǎn)。上面說(shuō)的曲線關(guān)系，是電容與頻率的關(guān)系，而電容與頻率的關(guān)系可以間接反映出電容容量與f的關(guān)系，即Z(=ESR+jwL-j/wC)與頻率的關(guān)系。在低頻范圍內(nèi)，電容呈現(xiàn)容抗特性；中頻范圍內(nèi)，主要是ESR特性；高頻范圍內(nèi)，感抗占主導(dǎo)作用。
     一般的大容量的電容對(duì)高頻的響應(yīng)很差對(duì)低頻的響應(yīng)卻好，而容量小的電容對(duì)低頻的響應(yīng)很差而對(duì)高頻的響應(yīng)卻非常好。因此可以根據(jù)不同的頻率需要選擇合適的電容。
      由圖二介電損耗D隨頻率f的變化關(guān)系圖可以看出，一開(kāi)始開(kāi)始損耗隨著頻率的增加是緩慢增加的，當(dāng)頻率增加大1500KHz時(shí)，損耗D陡然增大。而在實(shí)際中，我們可以由電容在不同測(cè)試頻率下的損耗因子的變化來(lái)決定電路的模式選擇。若頻率升高而損耗增加，則應(yīng)選用串聯(lián)等效電路；若頻率升高而損耗減小，則應(yīng)選用并聯(lián)等效電路。該測(cè)試的電容有圖二看出，其損耗隨f增加而增加，所以該電容適用于串聯(lián)等效電路。

4.多功能介電常數(shù)損耗測(cè)定儀對(duì)測(cè)試樣品的測(cè)量
相關(guān)數(shù)據(jù)說(shuō)明:零位Lo=19.66mm; 復(fù)位L=24.66mm; 極板間距d=LLo=5mm;
           測(cè)試樣品 直徑d=3cm; 樣品厚度t=4mm；
           測(cè)量極板間為空氣的電容：C1；
           測(cè)量放入樣品時(shí)的電容：C2； 頻率：f；

根據(jù)相關(guān)公式（結(jié)合圖示進(jìn)行說(shuō)明）
不同頻率下測(cè)得的C1和C2，算出的介質(zhì)的介電常數(shù)數(shù)值如下：

      通過(guò)相關(guān)資料的查閱，我們知道：材料的介電常數(shù)形成主要是由某些極化引起的，所謂極化是某些偶極子定向排列產(chǎn)生，由于頻率的變化，偶極子隨外場(chǎng)反轉(zhuǎn)，當(dāng)頻率很高，由于材料內(nèi)部一定的阻力，使偶極子反轉(zhuǎn)跟不上電場(chǎng)的速度，就會(huì)形成一種馳豫，馳豫也是介質(zhì)材料產(chǎn)生損耗的原因之一，高頻情況下，有些偶極子停止反轉(zhuǎn)，所以對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)為零。材料中一般都存在好幾種極化方式，各種極化馳豫發(fā)生的頻段不一樣，所以總的來(lái)說(shuō)，隨著頻率的升高，介電常數(shù)一般減小。
     因此由于介電損耗的存在，當(dāng)f 增大時(shí)，損耗增大，從而發(fā)現(xiàn)我們得到樣品的介電常數(shù)隨頻率增大而減小。