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1.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/strong>
①了解測定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測定的基本原理
②掌握高分子材料材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測定的測定方法

2.實(shí)驗(yàn)原理
      介電常數(shù)是表征絕緣材料在交流電場下，介質(zhì)極化程度的一個(gè)參數(shù)，它是充滿此絕緣材料的電容器的電容量與以真空為電介質(zhì)時(shí)同樣電極尺寸的電容器的電容量的比值。介質(zhì)損耗角正切是表征該絕緣材料在交流電場下能量損耗的一個(gè)參數(shù)，是外施正弦電壓與通過試樣的電流之間的相對的余角正切。測定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切實(shí)驗(yàn)方法有：工頻高壓電橋法和變電納法。
      本實(shí)驗(yàn)采用工頻高壓電橋法。其工作原理為：被測試樣與無損耗標(biāo)準(zhǔn)電容C_o是電橋的兩相鄰橋臂，橋臂R₃是無感電阻，與它相鄰的臂由電容C₄和恒定電阻R₄并聯(lián)構(gòu)成。在電阻R₄的中點(diǎn)和屏蔽間接有一可調(diào)電容C_a來完成線路的對稱操作。線路的對稱在這里理解為使“臂R₃對屏蔽"及“臂R₄對屏蔽"的寄生電容固定且相等。由于電阻線圈R₃中的金屬線比電阻R₄長得多，臂R₃的寄生電容也將大于臂R₄的寄生電容。附加電容C_a可以增大臂R₄的電容泄漏，使其數(shù)值與臂R₃的泄漏相等。臂C_a和C_o的寄生電容不大，因此不用對他們加以平衡。
       保護(hù)電壓e的作用是消除放大器P處頂點(diǎn)可能存在的泄漏電流，為此e是一個(gè)將橋P處頂點(diǎn)的電位引向地電位的裝置。
這主類電橋平衡后必然有：Z_x·Z₄＝Z_s·Z₃ ……（3-45）
其中 Z_x＝j(luò) / (ωC_x)  
Z_s＝j(luò) / (ωC_s)  
Z₃=R₃  
Z4=[（1 / R4）+ jωC₄]^-1
由平衡條件及tgδ定義可計(jì)算出：tgδ=2πf C₄·R₄·10^-12
當(dāng)f＝50Hz，R₄＝10000/πΩ時(shí)，有tgδ= C₄·10^-6，即可用C₄直接表示tgδ值。根據(jù)式（3-45）計(jì)算可得到：
C₄=C₃·(R₄ / R₃)·[1+(1/ tg²δ)]
ε＝C_s / C_o
      本方法適用于測試固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖維制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等的相對介電常數(shù)與介質(zhì)損耗角正切以及由它們計(jì)算出來的相關(guān)參數(shù)，例如損耗因素。
對有些絕緣材料如橡膠以及橡膠制品，薄膜等的上述性能實(shí)驗(yàn)，可按照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或者參考本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。

3.實(shí)驗(yàn)試樣
       本次實(shí)驗(yàn)采用多型腔圓片模具注塑成型的高密度聚乙烯圓片試樣.直徑120mm厚度3mm(由材料形狀,電極選二電極,板狀電極)

4.實(shí)驗(yàn)設(shè)備
ZJD-C高低頻介電常數(shù)測試儀 北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司生產(chǎn)
電極   采用板狀圓形電極

5.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

6.思考題
1.實(shí)驗(yàn)要求試樣厚度不大于3mm的原因?答：試樣的厚度如果大于3mm，為了測得他的介電常數(shù)，需要一個(gè)很高的電壓，這樣使得設(shè)備條件更加苛刻，實(shí)驗(yàn)環(huán)境也不安全。
3.試樣中含有雜質(zhì)的測試結(jié)果?答：介電系數(shù)增大，導(dǎo)電介質(zhì)或極性雜質(zhì)的存在，會增加高聚物的導(dǎo)電電流和極化率，因而使介電損耗增大，特別是對于非極性高聚物來說，雜質(zhì)成了引起介電損耗的主要原因。
3.實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件如溫度、濕度對測定結(jié)果的影響。
溫度：溫度變化會引起高聚物的粘度變化，因而極化建立過程所需要的時(shí)間也起變化。溫度對取向極化（介電常數(shù)）有兩種相反的作用，一方面溫度升高，分子間相互作用減弱，粘度下降，使偶極轉(zhuǎn)動(dòng)取向容易進(jìn)行，介電常數(shù)增加；另一方面，溫度升高，分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，對偶極轉(zhuǎn)動(dòng)干擾增加，使極化減弱，介電系數(shù)下降。對于一般的高聚物來說，在溫度不太高時(shí)，前者占主導(dǎo)地位，因而溫度升高，介電常數(shù)增大，到一定范圍，后者超過前者，介電常數(shù)即開始隨溫度升高而減小。
濕度：濕度越大，水分越多，能明顯增加高聚物介電損耗的極性雜質(zhì)。在低頻下，它主要以離子電導(dǎo)形式增加電導(dǎo)電流，引起介電損耗；在微波頻率范圍，水分子本身發(fā)生偶極松弛，出現(xiàn)損耗峰。對于極性高聚物，水有不同程度的增塑作用，尤其是聚酰胺類和聚丙烯酸酯類等，結(jié)果將使高聚物的介電損耗峰向較低溫度移動(dòng)。水對熱固性塑料也有影響。

      介電損耗角正切常用來表征介質(zhì)的介電損耗。介電損耗是指電 介質(zhì)在交變電場中, 由于消耗部分電能而使電介質(zhì)本身發(fā)熱的現(xiàn)象。 原因是電介質(zhì)中含有能導(dǎo)電的載流子,在外加電場作用下,產(chǎn)生導(dǎo)電電 流,消耗掉一部分電能,轉(zhuǎn)為熱能。任何電介質(zhì)在電場作用下都有能量損耗，包括由電導(dǎo)引起的損耗和由某些極化過程引起的損耗。用 tg δ作為綜合反應(yīng)介質(zhì)損耗特性優(yōu)劣的指標(biāo)， 其是一個(gè)僅僅取 決于材料本身的損耗特征而與其他因素?zé)o關(guān)的物理量， tgδ的增大意 味著介質(zhì)絕緣性能變差， 實(shí)踐中通常通過測量 tgδ來判斷設(shè)備絕緣性 能的好壞。
        由于介電損耗的作用電解質(zhì)在交變電場作用下將長生熱量， 這些 熱會使電介質(zhì)升溫并可能引起熱擊穿， 因此， 在絕緣技術(shù)中， 特別是 當(dāng)絕緣材料用于高電場強(qiáng)度或高頻的場合，應(yīng)盡量采用介質(zhì)損耗因 數(shù)， 即電介質(zhì)損耗角正切 tgδ較低的材料。但是， 電介質(zhì)損耗也可用 作一種電加熱手段，即利用高頻電場（一般為0.3--300兆赫茲）對介 電常數(shù)大的材料（如木材、紙張、陶瓷等） 進(jìn)行加熱。這種加熱由于 熱量產(chǎn)生在介質(zhì)內(nèi)部， 比外部加熱速度更快、熱效率更高， 而且熱均 勻。頻率高于300兆赫時(shí)，達(dá)到微波波段，即為微波加熱（家用微波 爐即據(jù)此原理）。
       在絕緣設(shè)計(jì)時(shí)， 必須注意材料的 tgδ值。若 tgδ過大則會引起嚴(yán) 重發(fā)熱，使絕緣材料加速老化，甚至導(dǎo)致熱擊穿。
一下例舉一些材料的 ε 值：
石英-----3.8
絕緣陶瓷-----6.0
紙------70
有機(jī)玻璃------2.63    
PE-------2.3
PVC--------3.8
高分子材料的 ε 由主鏈中的鍵的性能和排列決定
分子結(jié)構(gòu)極性越強(qiáng)， ε 和 tg δ越大。
非極性材料的極化程度較小， ε 和 tg δ都較小。

      當(dāng)電介質(zhì)用在不同場合時(shí)對介電常數(shù)與耗散因素的大小有不同 的要求。做電容介質(zhì)時(shí) ε 大、 tg δ?。粚娇蘸教觳牧隙?， ε 要小 tg δ要大。
       另外要注意材料的極性越強(qiáng)受濕度的影響越明顯。主要原因是高 濕的作用使水分子擴(kuò)散到高分子的分子之間， 使其極性增強(qiáng)； 同時(shí)潮 濕的空氣作用于塑料表面， 幾乎在幾分鐘內(nèi)就使介質(zhì)的表面形成一層 水膜， 它具有離子性質(zhì)， 能增加表面電導(dǎo)， 因此使材料的介電常數(shù)和 介質(zhì)損耗角正切 tgδ都隨之增大。故在具體應(yīng)用時(shí)應(yīng)注意電介質(zhì)的周 圍環(huán)境。
      電介質(zhì)在現(xiàn)代生活中經(jīng)常被用到， 而介電常數(shù)與耗散因素是電介 質(zhì)的兩個(gè)重要參數(shù)， 根據(jù)不同的要求， 應(yīng)當(dāng)選用具有不用介電常數(shù)與 耗散因數(shù)的材料， 以達(dá)到較佳的效果。同時(shí)還應(yīng)當(dāng)注意外界因素對介 電常數(shù)與耗散因數(shù)的影響。

測試介電常數(shù)與介損因數(shù)試驗(yàn)裝置