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      武漢匡旭電子科技有限公司


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      新潔能半導體 N溝道TO-251封裝

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      參  考  價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準

      產(chǎn)品型號NCE60T2K2I

      品       牌其他品牌

      廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

      所  在  地武漢市

      聯(lián)系方式:董經(jīng)理查看聯(lián)系方式

      更新時間:2022-05-27 14:41:03瀏覽次數(shù):502次

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      經(jīng)營模式:經(jīng)銷商

      商鋪產(chǎn)品:18條

      所在地區(qū):湖北武漢市

      聯(lián)系人:董經(jīng)理 (銷售經(jīng)理)

      產(chǎn)品簡介
      封裝 TO-251 三極管類型 功率三極管
      型號 NCE60T2K2I 品牌 NCE/新潔能
      封裝 TO-251    

      新潔能提供擊穿電壓等級范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品,以優(yōu)秀的導通電阻,極低的柵極電荷,出色的開關速度,成為開關電源應用中的理想選擇。同時,新潔能SJ-III系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)lx的雪崩耐量(EAS)以及靜電釋放能力,提高了系統(tǒng)可靠性。此外,該系列產(chǎn)品采用新潔能自主創(chuàng)新技術,優(yōu)化了產(chǎn)品開關特性,使其在系統(tǒng)應用時具有更好的EMI表現(xiàn)。

      詳細介紹

      MOSFET的工作原理
      為了使N溝道MOSFET裸片工作,需要在G和S之間加一個正電壓VGS,在D和S之間加一個正電壓VDS,以產(chǎn)生正向工作電流ID。工作電流ID可以通過改變VGS的電壓來控制。如果不先接VGS(即VGS=0),則在D、S電極之間加一個正電壓VDS,漏極D和襯底部之間的pN結方向反了,所以漏源不能通電。如果在柵極G和源極S之間加一個電壓VGS。此時柵極和襯底部可以看成器件的兩塊極板,以氧化絕緣層作為電容的介質(zhì)。添加VGS后,在絕緣層與柵極的界面上感應出正電荷,而在絕緣層與p型襯底部的界面上感應出負電荷。該層感應出的負電荷與p型底部中的多數(shù)載流子(空穴)的極性相反,故稱為“反型層"。該反型層可以連接漏極和源極的兩個N型區(qū)。連接形成導電通道。當VGS電壓過低時,感應出的負電荷較少,會被p型襯底中的空穴中和,因此此時漏極和源極之間仍然沒有電流ID。當VGS增加到一定值時,感應的負電荷連通兩個分開的N區(qū),形成N溝道。這個臨界電壓稱為開啟電壓(或閾值電壓,thresholdvoltage),用符號VT表示(一般規(guī)定ID=10uA時的VGS為VT)。當VGS繼續(xù)增.大時,負電荷增.大,導電溝道擴大縮小,ID也增.大,呈較好的線性關系,這條曲線稱為傳遞特性。因此,在一定范圍內(nèi),可以認為通過改變VGS來控制漏源極間的電阻,達到控制ID的效果。由于這種結構在VGS=0時ID=0,所以這種MOSFET裸片被稱為增.強型。另一種MOSFET裸片在VGS=0時也有一定的ID(稱為IDSS),這種MOSFET稱為耗盡型。Vp為夾斷電壓(ID=0)。耗盡型和增.強型的主要區(qū)別在于SiO2絕緣層中存在大量的正離子,從而在p型襯底部的界面處感應出更多的負電荷,即p型硅在兩個N型區(qū)域的中間。內(nèi)部形成N型硅薄層形成導電溝道,所以當VGS=0時,VDS作用時有一定的ID(IDSS);當VGS有電壓(可以是正電壓或負電壓)時,改變感應負電荷的數(shù)量,從而改變ID的大小。ID=0時Vp為-VGS,稱為夾斷電壓。

      新潔能提供擊穿電壓等級范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品,以優(yōu)秀的導通電阻,極低的柵極電荷,出色的開關速度,以競爭力的性價比,成為開關電源應用中的理想選擇。同時,新潔能SJ-III系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)lx的雪崩耐量(EAS)以及靜電釋放能力,提高了系統(tǒng)可靠性。此外,該系列產(chǎn)品采用新潔能自主創(chuàng)新技術,優(yōu)化了產(chǎn)品開關特性,使其在系統(tǒng)應用時具有更好的EMI表現(xiàn)。廣泛應用在家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS、電動汽車充電等領域。

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      N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。


      無錫新潔能功率半導體有限公司專注于MOS半導體功率器件(溝槽型大功率MOS器件、超結MOS器件、NPT-IGBT)以及射頻(微波)RF-LDMOS器件的設計、生產(chǎn)、測試與質(zhì)量考核、銷售及服務。擁有自主知識產(chǎn)權和“新功率"、“NCE Power"品牌。公司在中國大陸、香港分別建立了設計與運營中心、銷售公司以及外包芯片流片基地、成品封裝基地、成品測試基地,并有完善的質(zhì)量控制保證系統(tǒng),保證產(chǎn)品品質(zhì)的一致性和穩(wěn)定性。


      新潔能股份有限公司 擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一,產(chǎn)品電壓已經(jīng)覆蓋了12V~1700V的全系列產(chǎn)品、達1500余種,為國內(nèi)MOSFET等功率器件本土企業(yè)。

      更多新潔能 溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT 信息歡迎來電垂詢。




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