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半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù) 詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體測(cè)試儀 MOS管IGBT等器件靜態(tài)參數(shù)本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線(xiàn)，也可根據(jù)客戶(hù)的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2000 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
高溫柵偏測(cè)試系統(tǒng)（HTGB） 詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X   功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSF...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
半導(dǎo)體管測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： ST-SP 200_5晶體管測(cè)試儀可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2002_5 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試 詳細(xì)摘要： ST-DP3020 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1500V/600A，短路電流2500A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP3020 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
大功率IGBT測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： ST-SP2010 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 IGBTs,MOSFETs, Diode,靜態(tài)直流參數(shù)3000V/2000A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_2010 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
瞬熱阻測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： 瞬熱阻測(cè)試儀ST-Thermal_X   功率器件熱特性測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODE...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth 所在地：西安市 更新時(shí)間：2022-08-19 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
IGBT參數(shù)測(cè)試儀器 詳細(xì)摘要： IGBT參數(shù)測(cè)試儀器，用于測(cè)試MOSFETs, Diode , IGBT靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試主極輸出 3300V/1200A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP3312 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 詳細(xì)摘要： IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)IGBT參數(shù)包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_X 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
熱阻測(cè)試系統(tǒng) 詳細(xì)摘要： 熱阻測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（J-C）散熱：設(shè)備采用水冷散熱，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性
產(chǎn)品型號(hào)：T3Ster 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
分鐘級(jí)功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái) 詳細(xì)摘要： 分鐘級(jí)功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)測(cè)試范圍：Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的分鐘級(jí)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_PCmin 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
測(cè)試范圍廣 19大類(lèi)，27分類(lèi) 功率器件測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： 測(cè)試范圍廣 19大類(lèi)，27分類(lèi) 功率器件測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域：院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠(chǎng)商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車(chē)、軌道機(jī)...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2001 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
PN結(jié)電容測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控PN結(jié)電容測(cè)試儀測(cè)試參數(shù): 二極管、三極管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體分立器件的柵電阻Rg、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反饋電容Crss.測(cè)...
產(chǎn)品型號(hào)：0 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
半導(dǎo)體器件老化測(cè)試篩選系統(tǒng) 詳細(xì)摘要： *品牌：天光測(cè)控半導(dǎo)體器件老化測(cè)試篩選系統(tǒng)*型號(hào)：ST-PC_X*用途：可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSF...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-PC_X 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
晶閘管綜合測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： 晶閘管綜合測(cè)試儀測(cè)試范圍：1. 門(mén)極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT2. 維持電流測(cè)試：IH3. 擎住電流測(cè)試：IL4. 阻斷參數(shù)測(cè)試：VD、VR 、ID、IR5. 壓...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP_X 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀 詳細(xì)摘要： ST-DC2000_X 系列·半導(dǎo)體特性測(cè)試儀,可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 的大中小功率的半導(dǎo)體分立器件及模塊的靜態(tài)直流參數(shù)，高壓源2000V ，大電流...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_X 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言 -
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開(kāi)關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試 詳細(xì)摘要： IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)開(kāi)關(guān)短路反向恢復(fù)測(cè)試系統(tǒng)概述IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及...
產(chǎn)品型號(hào)：TRd 2015 所在地：西安市 更新時(shí)間：2020-11-14 參考價(jià)： 面議 在線(xiàn)留言