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      北京羲和陽光科技發(fā)展有限公司

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      母合金
      參考價: 面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 產(chǎn)品型號
      • 品牌
      • 生產(chǎn)商 廠商性質(zhì)
      • 北京市 所在地

      訪問次數(shù):453更新時間:2020-07-15 15:43:23

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      產(chǎn)品簡介
      母合金
      半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素
      產(chǎn)品介紹

      母合金
      半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素

      產(chǎn)品特點(diǎn)
      進(jìn)口12N電子極原生多晶硅,配摻高純度硼粉(7N)級。目前廣泛應(yīng)用在拉單晶上的為硅硼負(fù)三合金。

      母合金摻雜計(jì)算方法
      電阻率P的單晶,它的頭部對應(yīng)的的雜質(zhì)濃度為C頭,多晶硅原料的重量為W,的雜質(zhì)濃度為C母,應(yīng)摻重量為M
      應(yīng)摻重量為M =W*C頭/(K*C母—C頭),其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數(shù)。

      參數(shù)
      ■ 硅單晶P型10的-3次方
      ■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2
      ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
      硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
      1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

      ■ 硅單晶P型10的-3次方
      ■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2
      ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
      硼含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
      3.04E+19 <5E+16 <1E+18

      ■ 硅單晶N型10的-3次方
      ■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2
      ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
      磷含量(atom/cm3) 碳含量(atom/cm3) 氧含量(atom/cm3)
      2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18

       

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