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      北京羲和陽光科技發(fā)展有限公司

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      裸片及鍍膜片 全光譜 反色率、色度、膜厚測量儀
      參考價: 面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 產(chǎn)品型號
      • 品牌
      • 生產(chǎn)商 廠商性質(zhì)
      • 北京市 所在地

      訪問次數(shù):656更新時間:2020-07-15 15:42:52

      聯(lián)系我們時請說明是智能制造網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
      產(chǎn)品簡介
      硅晶電池片表面制絨效果對電池片效率提高扮演著非常重要的角色。電池片的制絨減少了因為反射而丟失的光,并且對電池片的鈍化效果也有很大的影響。另外就制絨工藝本身來講,硅片材料和硅片切割效果對其也有影響。因此,很有必要獲得制絨效果的詳細信息,從制絨后整理體反射率光譜的精確測量可以獲得這些重要的信息。
      產(chǎn)品介紹

      裸片及鍍膜片 全光譜 反色率、色度、膜厚測量儀
      型號: XH-LAB-RC
      硅晶電池片表面制絨效果對電池片效率提高扮演著非常重要的角色。電池片的制絨減少了因為反射而丟失的光,并且對電池片的鈍化效果也有很大的影響。另外就制絨工藝本身來講,硅片材料和硅片切割效果對其也有影響。因此,很有必要獲得制絨效果的詳細信息,從制絨后整理體反射率光譜的精確測量可以獲得這些重要的信息。

      XH-LAB-RC是一款很好的化學(xué)制絨工藝測量,分析和工藝優(yōu)化的工具,同時也可以測量鍍膜后硅片的膜厚和顏色??蛇M行雙面x,y全自動測量;保證測量的精準(zhǔn)度。

      系統(tǒng)使用簡單,無需操作人員具有專業(yè)的技能。因為系統(tǒng)有手動的單軸移動平臺,所以能快速進行線性掃描。用戶可以在移動的硅片上進行連續(xù)性測量,也可以測量硅片上的固定點。系統(tǒng)可自動生成測試報告并存儲數(shù)據(jù)。


      測量原理
      系統(tǒng)利用一個寬頻譜的鹵素?zé)糇鳛楣庠矗瓷涔獗惶貏e設(shè)計的積分球收集并探測,積分球通過光纖與一個高精度光譜儀連接。不管樣品表面是絨面還是拋光面,所有的反射光和散射光都會被收集測量,整體光譜反射率的值及變動情況可以用來管控硅片的制絨工藝,同時可以測量出鍍膜硅片的總的反射損失。通過標(biāo)準(zhǔn)邏輯運算,可計算出在不同顏色空間的顏色值,如Lab,xyY顏色空間等。

      薄膜的上表面和下表面反色光由于相位不同而發(fā)生干涉,干涉光譜的頻率與膜厚是成正比的。這種現(xiàn)象用來計算硅片的膜厚。的計算方法是通過擬合測量光譜和薄膜理論光譜,使其吻合,計算出薄膜的實際厚度。

      系統(tǒng)特點
      ■ 全波段整體反射率測量
      ■ 任意波段zui小反射率及對應(yīng)波長測量
      ■ 自定義單一波長反射率測量
      ■ 任意波段平均反射率測量
      ■ 鍍膜膜層厚度測量
      ■ 色度計算
      ■ 集成參考校正片
      ■ 用戶自定門限設(shè)置
      ■ Goog/Bad指示
      ■ 手動單軸測試臺
      ■ 手動全硅片Mapping
      ■ 測量速度快, <0.8s /點
      ■ 可以提供第三方認(rèn)證標(biāo)片(選項)
      ■ 裸片和鍍膜片的測量:
      -離線
      -非接觸式
      -靜態(tài)單點測量
      ■ 測量參數(shù):
      -反射率: r(全光譜)
      -色度: c(Lab, xyY , ...)
      -膜厚 r(鍍膜片)
      ■ 應(yīng)用范圍:
      -多晶(拋光、粗糙、絨化)
      -單晶(拋光、粗糙、絨化)
      -125mm×125mm / 156mm×156mm
      ■ 應(yīng)用在所有向光制絨工藝
      -化學(xué)蝕刻(酸/堿)
      -RIE(離子反應(yīng)蝕刻)
      ■ 操作簡單
      -只需點擊測量按鈕,即出測量結(jié)果
      -手動單軸移動測試臺,可全硅片Mapping
      -線性掃描簡單






      技術(shù)參數(shù)
      ■ 測量參數(shù): 反射率/膜厚/色度
      ■ 反射率范圍: 0-*
      ■ 波長范圍: 380-1070nm
      ■ siN膜厚: 25-120nm
      ■ siO膜厚: 35-169nm
      ■ 反射率精度: ±0.1%
      ■ 反射率重復(fù)性: <0.05%
      ■ 膜厚精度:±1nm
      ■ 膜厚重復(fù)性: ±0.2nm
      ■ 色度表達: Lab/xyY/XYZ/Lch
      ■ 色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
      ■ 色度重復(fù)性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
      ■ 測量光斑: ~8mm
      ■ 測量速度: 0.8s/點
      ■ 硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圓形或更小
      ■ 樣品臺: 310*160mm
      ■ 環(huán)境溫度: 15-35℃
      ■ 濕度: <90%
      ■ 電源: AC100-240;50/60Hz
      ■ PC要求: WindoP, 2GB RAM, >100GB HDD



       



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