2015 04-14

IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展

IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法1總發(fā)...

2014 11-25

可控硅的原理和應用中需要進行注意的事項

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一...

2014 07-10

IGBT模塊散熱器的發(fā)展與應用

摘要：電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管(SCR)、可關(guān)斷晶閘管(GTO)、晶體管(BJT)、絕緣柵晶體管(IGBT)等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動、低損耗、模塊化、復合化方向發(fā)展，與其他電力電...

2012 08-23

igbt保管時的注意事項

igbt保管時的注意事項：一般保存igbt模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體...

2012 08-23

FF200R12KS4特點

FF200R12KS4特點：產(chǎn)品種類:IGBT模塊（三極管）配置:Dual集電極—射極擊穿電壓:1200V集電極—射極飽和電壓:3.2V集電極zui大連續(xù)電流Ic:200A柵極—射極漏泄電流:400n...

2012 06-28

FF200R12KS4的技術(shù)參數(shù)

FF200R12KS4的技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品種類:IGBT模塊集電極—射極擊穿電壓:1200V集電極—射極飽和電壓:3.2V集電極zui大連續(xù)電流Ic:200A柵極—射極漏泄電流:400nA功率耗散:1.4K...

2012 06-28

IGBT工作原來的等效電路

IGBT工作原理的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射...

2012 05-16

IGBT高頻感應加熱設(shè)備正確使用方法

正確使用IGBT高頻感應加熱設(shè)備的操作方法，可以避免人為操作失誤，給自己的生產(chǎn)帶來不必要的麻煩。首先，一定要嚴格按順序開機。一、IGBT高頻感應加熱設(shè)備開機順序：1、根據(jù)工件大小，選擇并安裝合適的感應...

2012 05-16

高壓IGBT模塊的特性和應用

新一代3300V1200A的IGBT模塊，仍保持IGBT模塊的典型特性，即損耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其飽和壓降與1600V的產(chǎn)品差不多，通過降低50%左右的短路電流而實現(xiàn)其可與1200V/16...

2012 03-12

IGBT節(jié)能趨勢

在過去20多年中，圍繞IGBT器件產(chǎn)生了非常多的，歐洲、美國和日本的公司已經(jīng)在這個領(lǐng)域形成了巨大的技術(shù)優(yōu)勢在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是zui為重要的器件，與歐洲...

2009 12-30

IGBT的并聯(lián)問題

用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯(lián)。并聯(lián)時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。為使并聯(lián)時電流...

2009 12-04

IGBT往散熱器上安裝固定時的注意事項

由于熱阻隨IGBT安裝位置的不同而不同，因此，若在散熱器上僅安裝一個IGBT時，應將其安裝在正中間，以便使得熱阻zui小；當要安裝幾個IGBT時，應根據(jù)每個IGBT的發(fā)熱情況留出相應的空間；使用帶紋路...

2009 12-02

為IGBT設(shè)計保護時需要注意的問題

在進行電路設(shè)計時，應針對影響IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相應的保護措施。1.IGBT柵極的保護2.集電極與發(fā)射極間的過壓保護過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況，一種是施加到IGBT集電極－發(fā)射極間的直...

2009 12-01

影響IGBT安全可靠與否的主要因素

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶...

2009 05-09

IGBT模塊工作原理以及檢測方法

1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，...

2009 05-09

IGBT智能驅(qū)動模塊（續(xù)）

３ＳＣＡＬＥ的主要工作模式３．１直接模式在直接模式下，各路ＩＧＢＴ將獨立地工作。該模式可用于已產(chǎn)生死區(qū)時間的ＰＷＭ信號的驅(qū)動，也可用于獨立工作的各路ＩＧＢＴ。將ＭＯＤ輸入與Ｖ相連，ＲＣ１和ＲＣ２接地，...

2009 05-09

一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動電路

1引言隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（Metallicoxidesemiconductorf...

2009 05-09

IGBT智能驅(qū)動模塊

SCALE驅(qū)動是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動板，可用于驅(qū)動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應用電路。１概述:由于ＩＧＢ...

2009 05-09

IGBT 模塊 應用指南-基本知識

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身...

2009 05-09

MOS管和IGBT模塊的測試方法

MOS管（MOSFET）的測試方法:場效應管,如果已知型號與管腳,用萬用電表測G（柵極）和S（源極）之間,G與D（漏極）之間沒有PN結(jié)電阻,說明該管子已壞.用萬用電表的R×1kΩ檔,其表棒分別接在場效...