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應(yīng)用范圍

● 提供手提及無(wú)線藍(lán)牙半成品的屏蔽測(cè)試

●  隔離手機(jī)測(cè)試時(shí)的高頻信號(hào)干擾

●  發(fā)射及接收的隔離測(cè)試

●  無(wú)線網(wǎng)卡、藍(lán)牙產(chǎn)品的測(cè)試

●  新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)*的設(shè)備

主要性能

●  高頻屏蔽＞75dB （2.4GHz）

●  高頻接口：N或SMA

●  數(shù)據(jù)接口：D型9針或15/25針

●  直流DC電源接口

●  全部數(shù)據(jù)線及DC線經(jīng)EMI濾波器

●  數(shù)據(jù)及RF接法可根據(jù)客戶要求提供

●  氣動(dòng)操作箱蓋開(kāi)合

●  工作電壓：AC 220V

●  工作空間：400mm（L） ×400mm（W） ×290mm（H）

射頻屏蔽室屏蔽效能的測(cè)試技術(shù)
１　前言
　　 本文解釋和描述了工業(yè)上所采用的屏蔽室屏蔽效能的測(cè)試過(guò)程。
２　屏蔽效能測(cè)試
　　測(cè)試屏蔽效能zui經(jīng)常用到的兩個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)或測(cè)試程序是ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５和ＮＳＡ?。叮担?。這些文件描述了對(duì)設(shè)備配置和測(cè)試場(chǎng)地的要求。每個(gè)程序中也規(guī)定了測(cè)試頻率和衰減量。
３　測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的描述
３.１?。停蒐－ＳＴＤ－２８５
　　近年來(lái)，ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５不但在工業(yè)界廣為應(yīng)用，而且迄今為止應(yīng)用。ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５規(guī)定的測(cè)試程序在屏蔽室規(guī)范上經(jīng)常被引用，但其頻率需根據(jù)用戶要求進(jìn)行調(diào)整。
　　ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５是*個(gè)頒布的用于測(cè)試射頻屏蔽小室標(biāo)準(zhǔn)，它頒布于１９５６年６月，用于替代頒布于１９５４年８月的ＭＩＬ－Ａ－１８１２３（ＳＨＩＰＳ）。
　?。停桑蹋樱裕模玻福禈?biāo)準(zhǔn)的主要目的是為了建立一種標(biāo)準(zhǔn)或者方法，用于測(cè)量射頻屏蔽室的衰減特性，這些屏蔽室用于頻率范圍從１００ＫＨｚ到１０ＧＨｚ的電子測(cè)試。該標(biāo)準(zhǔn)包括對(duì)測(cè)試頻率、測(cè)試場(chǎng)地和屏蔽衰減（或者屏蔽效能）的要求。ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５也提供了關(guān)于測(cè)試所需設(shè)備種類的描述。
　　盡管ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５標(biāo)準(zhǔn)覆蓋了從１００ＫＨｚ到１０ＧＨｚ的頻率范圍，但它僅僅要求測(cè)量屏蔽室在５個(gè)頻率點(diǎn)的衰減特性（參見(jiàn)表１）。
表１?。停桑蹋樱裕模玻福岛停危樱粒叮担秾?duì)衰減的要求
　 MIL-STD-285 NSA-65-6
磁場(chǎng) 頻率150KHz～200KHz間1個(gè)頻率點(diǎn)
要求的衰減或屏蔽效能：70dB 1KHz到1MHz間4個(gè)頻率點(diǎn)：
　　1KHz要求的屏蔽效能：20dB
　　10KHz要求的屏蔽效能：56dB
　　100KHz要求的屏蔽效能：96dB
　　1MHz要求的屏蔽效能：100dB
電場(chǎng) 三個(gè)頻率點(diǎn)：200KHz、1MHz、18MHz
要求的衰減或屏蔽效能：100dB 1KHz到10MHz間5個(gè)頻率點(diǎn)：
　　1KHz要求的屏蔽效能：70dB
　　10KHz要求的屏蔽效能：100dB
　　100KHz要求的屏蔽效能：100dB
　　1MHz要求的屏蔽效能：100dB
　　10MHz要求的屏蔽效能：100dB
平面波 一頻率點(diǎn)：400KHz
要求的衰減或屏蔽效能：100dB 100KHz到10GHz間4個(gè)頻率點(diǎn)：
　　100MHz要求的屏蔽效能：100dB
　　400MHz要求的屏蔽效能：100dB
　　1GHz要求的屏蔽效能：100dB
　　10GHz要求的屏蔽效能：100dB
起初ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５專門(mén)用來(lái)評(píng)價(jià)屏蔽室，它規(guī)定得極為詳盡，甚至包括建議的測(cè)試點(diǎn)的位置，明確規(guī)定測(cè)試應(yīng)在公用設(shè)施入口、門(mén)、觀測(cè)窗等附近位置進(jìn)行。ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５也要求要給出屏蔽室四個(gè)面的測(cè)量結(jié)果，以及天線要根據(jù)截面接縫（section seam）和平面接縫（panel seam）進(jìn)行水平和垂直定向的方法。
３.２　ＮＳＡ６５－６
　?。危樱粒叮担犊赡苁顷P(guān)于評(píng)價(jià)射頻屏蔽室的zui重要的標(biāo)準(zhǔn)，它發(fā)布于１９６４年１０月。ＮＳＡ６５－６也包括屏蔽室的裝配、設(shè)計(jì)目標(biāo)、屏蔽室的可靠性和電子濾波器要求等規(guī)范，并附加了對(duì)屏蔽性能的規(guī)定。
　　雖然ＮＳＡ６５－６沒(méi)有打算替代ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５，但其已經(jīng)成了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５中建議的測(cè)試頻率為１５０ＫＨｚ到４００ＭＨｚ（建議到１０ＧＨｚ），而ＮＳＡ６５－６規(guī)定的測(cè)試頻率范圍為１ＫＨｚ到１０ＧＨｚ。和ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５一樣，ＮＳＡ６５－６也含有一個(gè)包括頻率點(diǎn)和場(chǎng)的分類表格（參見(jiàn)表１）。
　　與ＭＩＬ－ＳＴＤ－２８５相比，ＮＳＡ６５－６不但增加了大量被測(cè)頻率點(diǎn)，而且明確規(guī)定了測(cè)試點(diǎn)的位置。ＮＳＡ６５－６也了測(cè)試區(qū)域如門(mén)框（或周?chē)?、接縫、濾波器和通風(fēng)管。它也規(guī)定至少需要在四個(gè)不同位置移動(dòng)天線來(lái)確定屏蔽室泄漏的zui大信號(hào)。
４　測(cè)試大綱
５　測(cè)試程序
５.１　屏蔽性能要求
　　衰減或屏蔽效能是屏蔽室的性能標(biāo)準(zhǔn)。屏蔽效能由屏蔽體導(dǎo)致的電磁衰減量來(lái)定義。
　　電場(chǎng)屏蔽效能的定義為：ＳＥｄＢ＝２０l(fā)og10Eb/Ea
式中Ｅｂ是沒(méi)有屏蔽的電場(chǎng)強(qiáng)度，而Ｅａ是加屏蔽后的電場(chǎng)強(qiáng)度。
磁場(chǎng)屏蔽效能定義為：ＳＥｄＢ＝２０l(fā)og10Hb/Ha
式中Ｈｂ是沒(méi)有屏蔽的磁場(chǎng)強(qiáng)度，而Ｈａ是加屏蔽后的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
５.２　磁場(chǎng)和電場(chǎng)
　　在進(jìn)行磁場(chǎng)和電場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試之前，需要確立參考電平和動(dòng)態(tài)范圍。為了確立參考電平和動(dòng)態(tài)范圍，發(fā)射天線（測(cè)量磁場(chǎng)用可調(diào)的環(huán)狀天線,測(cè)量電場(chǎng)用可調(diào)的棒狀天線）應(yīng)放在屏蔽室的外面,以確保接收機(jī)或頻譜分析儀的外殼沒(méi)有泄漏.天線相距２４英寸遠(yuǎn),外加屏蔽介質(zhì)約１英寸厚，總共相距２５英寸（參見(jiàn)圖１）。在確立參考電平和動(dòng)態(tài)范圍過(guò)程中天線應(yīng)保持同軸。

圖１　測(cè)量參考電平和動(dòng)態(tài)范圍的測(cè)試裝置
　　接收信號(hào)電平值記錄在屏蔽效能測(cè)試結(jié)果表（參見(jiàn)圖２）的“參考電平”欄內(nèi)。參考電平值是由任何外部衰減和在頻譜儀（或接收機(jī)）上顯示的接收信號(hào)電平共同決定的。
屏蔽效能測(cè)試結(jié)果
　　　　　　　　工作序號(hào)：
　　　　　　　　 工程：
　　　　　　　　 位置：
　　合格測(cè)試 驗(yàn)收測(cè)試 其它
場(chǎng) 中心頻率 測(cè)試位置 參考電平
（dBm） 接收機(jī)靈敏度
（dBm） 動(dòng)態(tài)范圍
（dBm） 接收機(jī)電平（dBm） 衰減
（屏蔽效能）（dB） 指標(biāo)（dB）
　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　 　 　
　　H=磁場(chǎng)　E=電場(chǎng)　P=平面波　MW=微波
證明人：　　　　　　　　　　測(cè)試人　　　　　　　　　
日期：　　　　　　　　　　　日期：　　　　　　　　　　　

圖2 樣品屏蔽效能測(cè)試結(jié)果表
　　在確定和記錄參考電平之后，接收機(jī)的靈敏度／噪聲基準(zhǔn)就確定了。這可以通過(guò)把接收機(jī)天線放置在屏蔽室的內(nèi)部并移去任何固定的衰減器和任何頻譜儀／接收機(jī)內(nèi)部的衰減器來(lái)完成。如果接收信號(hào)要求前置放大，那么在測(cè)量中要保留前置放大器。接收機(jī)靈敏度電平（以ｄＢ為單位）記錄在測(cè)試結(jié)果表（參見(jiàn)圖２）的“接收機(jī)靈敏度”欄內(nèi)。在這個(gè)測(cè)試過(guò)程中，發(fā)射機(jī)或源是關(guān)閉的。
　　此時(shí)，已經(jīng)能確立系統(tǒng)或測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍。動(dòng)態(tài)范圍就是參考電平值和接收機(jī)靈敏度值之間的數(shù)值之差。
　　在確立和記錄參考電平、接收機(jī)靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)，將接收天線放在屏蔽室內(nèi)事先確定的測(cè)試點(diǎn)處。天線與屏蔽表面（面板）之間的距離是１２英寸，其方向與參考電平確立時(shí)保持*。發(fā)射天線放在屏蔽室外面相同的測(cè)試點(diǎn)，距屏蔽表面（面板）１２英寸處并與接收天線保持同樣的方向（參見(jiàn)圖３）。在確立參考電平時(shí)使用的任何固定衰減器要從接收或發(fā)射線路上移出，并關(guān)上屏蔽室門(mén)。
　　在這個(gè)位置點(diǎn)的接收信號(hào)電平記錄在測(cè)試結(jié)果表的“接收機(jī)電平”欄里。參考電平與接收機(jī)電平之間的數(shù)值之差就是該位置點(diǎn)的衰減或屏蔽效能。這個(gè)值記錄在測(cè)試結(jié)果表的“衰減（屏蔽效能）"欄內(nèi)。發(fā)射和接收天線放置在其它的任何測(cè)試點(diǎn)位置，要記錄接收信號(hào)電平。在所有位置點(diǎn)測(cè)試完成后，為了保證源的增益或接收機(jī)靈敏度不發(fā)生變化，需要建立第二參考電平。
　　在某頻率點(diǎn)上記錄的zui低值即為該頻率點(diǎn)的衰減或屏蔽效能。
５.３　平面波
　　表１給出了平面波測(cè)量的測(cè)試頻率點(diǎn)。平面波的測(cè)試過(guò)程與磁場(chǎng)、電場(chǎng)的測(cè)試相同。
　　在進(jìn)行屏蔽效能測(cè)試之前，先要確立參考電平和動(dòng)態(tài)范圍。為了確立參考電平和動(dòng)態(tài)范圍，發(fā)射（偶極子或?qū)?shù)周期）天線和接收（偶極子或?qū)?shù)周期）天線放置在屏蔽室的外面，以確保接收機(jī)或頻譜儀機(jī)殼沒(méi)有泄漏。天線相距７４英寸，加上屏蔽介質(zhì)大約１英寸厚，總共相距７５英寸（參見(jiàn)圖４）。在參考電平和動(dòng)態(tài)范圍確立過(guò)程中，天線采用兩種極化方向（水平或者垂直極化）。
圖3 在事先確定的測(cè)試點(diǎn)放置的接收天線
圖4 平面波測(cè)量用測(cè)試裝置
　　接收信號(hào)電平值記錄在屏蔽效能測(cè)試結(jié)果表中（參見(jiàn)圖２）。參考電平值由任何外部衰減和顯示在頻譜儀（或接收機(jī)）上的接收信號(hào)電平共同決定。
　　隨著參考電平的確立和記錄，接收機(jī)的靈敏度／噪聲基準(zhǔn)就被確定了。這可以通過(guò)把接收天線放置于屏蔽室的內(nèi)部并移去任何固定的衰減器和任何頻譜儀／接收機(jī)內(nèi)部的衰減器來(lái)完成。如果接收信號(hào)要求前置放大，那么在測(cè)量中要使用前置放大器。接收機(jī)靈敏度的電平（以ｄＢｍ為單位）記錄在測(cè)試結(jié)果表（參見(jiàn)圖２）的“接收機(jī)靈敏度”欄內(nèi)。在這個(gè)測(cè)試過(guò)程中，發(fā)射機(jī)或源是關(guān)閉的。
　　此時(shí)，已經(jīng)確立了系統(tǒng)或測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍。動(dòng)態(tài)范圍是參考電平值和接收機(jī)靈敏度值之間的數(shù)值之差。
　　在確立和記錄參考電平、接收機(jī)靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)，接收天線放在屏蔽室事先確定的測(cè)試點(diǎn)處。天線與屏蔽表面（面板）之間距離至少２英寸，方向與參考電平確立時(shí)保持*。發(fā)射天線放在屏蔽室外面相同的測(cè)試點(diǎn)，距離屏蔽表面（面板）７２英寸處并和接收天線保持同樣的方向（參見(jiàn)圖５）。在確立參考電平時(shí)使用的固定衰減器要從接收或發(fā)射器線路上移去，并關(guān)上屏蔽室門(mén)。
圖5 平面波屏蔽性能的測(cè)試裝置
　　在這個(gè)位置點(diǎn)的接收信號(hào)電平記錄在測(cè)試結(jié)果表的“接收機(jī)電平”欄里。參考電平與接收機(jī)電平之間的數(shù)值之差就是測(cè)試點(diǎn)的衰減或屏蔽效能。這個(gè)值記錄在測(cè)試結(jié)果表的“衰減（屏蔽效能）”欄內(nèi)。發(fā)射和接收天線可放置在任何測(cè)試點(diǎn)，接收的信號(hào)電平要記錄。在所有位置點(diǎn)完成測(cè)試后，為了保證源的增益或接收機(jī)靈敏度不發(fā)生變化，需要建立第二參考電平。
５.４　測(cè)試點(diǎn)位置
　　測(cè)試點(diǎn)位置包括以下一些區(qū)域：
　　ａ.門(mén)的邊框；
　?。?波導(dǎo)管穿透孔；
　　ｃ.波導(dǎo)ＨＶＡＣ通風(fēng)口（全掃描）；
　　ｄ.電子和通信濾波器區(qū)域（全掃描）；
　?。?墻縫（縫的數(shù)量取決于屏蔽室的尺寸和在該位置點(diǎn)測(cè)試是否可行）。
　　至少要在門(mén)的六個(gè)位置點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試；如果屏蔽層的兩個(gè)方向都可以進(jìn)行測(cè)試，那么每面墻至少要測(cè)試一個(gè)縫隙。實(shí)際測(cè)試點(diǎn)的位置到測(cè)試時(shí)確定。
６　結(jié)論
　　無(wú)論使用哪種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和程序，制定測(cè)試大綱并實(shí)施是很重要的。制定測(cè)試大綱后，實(shí)際測(cè)試要定期進(jìn)行。當(dāng)重新校準(zhǔn)屏蔽室時(shí)，如果只有輕微調(diào)整，還可使用同樣的或原有的測(cè)試大綱。

 
 
 
電磁屏蔽原理
在電子設(shè)備及電子產(chǎn)品中，電磁干擾（Electromagnetic Interference）能量通過(guò)傳導(dǎo)性耦合和輻射性耦合來(lái)進(jìn)行傳輸。為滿足電磁兼容性要求，對(duì)傳導(dǎo)性耦合需采用濾波技術(shù)，即采用EMI濾波器件加以抑制；對(duì)輻射性耦合則需采用屏蔽技術(shù)加以抑制。在當(dāng)前電磁頻譜日趨密集、單位體積內(nèi)電磁功率密度急劇增加、高低電平器件或設(shè)備大量混合使用等因素而導(dǎo)致設(shè)備及系統(tǒng)電磁環(huán)境日益惡化的情況下，其重要性就顯得更為突出。
屏蔽是通過(guò)由金屬制成的殼、盒、板等屏蔽體，將電磁波局限于某一區(qū)域內(nèi)的一種方法。由于輻射源分為近區(qū)的電場(chǎng)源、磁場(chǎng)源和遠(yuǎn)區(qū)的平面波，因此屏蔽體的屏蔽性能依據(jù)輻射源的不同，在材料選擇、結(jié)構(gòu)形狀和對(duì)孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設(shè)計(jì)中要達(dá)到所需的屏蔽性能，則需首先確定輻射源，明確頻率范圍，再根據(jù)各個(gè)頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu)，確定控制要素，進(jìn)而選擇恰當(dāng)?shù)钠帘尾牧希O(shè)計(jì)屏蔽殼體。

屏蔽體對(duì)輻射干擾的抑制能力用屏蔽效能SE（Shielding Effectiveness）來(lái)衡量，屏蔽效能的定義:沒(méi)有屏蔽體時(shí)，從輻射干擾源傳輸?shù)娇臻g某一點(diǎn)（P）的場(chǎng)強(qiáng) 1（ 1）和加入屏蔽體后，輻射干擾源傳輸?shù)娇臻g同一點(diǎn)（P）的場(chǎng)強(qiáng) 2（ 2）之比，用dB（分貝）表示。

圖1 屏蔽效能定義示意圖
屏蔽效能表達(dá)式為 （dB） 或 （dB）

工程中，實(shí)際的輻射干擾源大致分為兩類：類似于對(duì)稱振子天線的非閉合載流導(dǎo)線輻射源和類似于變壓器繞組的閉合載流導(dǎo)線輻射源。由于電偶極子和磁偶極子是上述兩類源的zui基本形式，實(shí)際的 輻射源在空間某點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)，均可由若干個(gè)基本源的場(chǎng)疊加而成（圖2）。因此通過(guò)對(duì)電偶極子和磁偶極子所產(chǎn)生的場(chǎng)進(jìn)行分析，就可得出實(shí)際輻射源的遠(yuǎn)近場(chǎng)及波阻抗和遠(yuǎn)、近場(chǎng)的場(chǎng)特性，從而為屏蔽 分類提供良好的理論依據(jù)。

圖2 兩類基本源在空間所產(chǎn)生的疊加場(chǎng)
遠(yuǎn)近場(chǎng)的劃分是根據(jù)兩類基本源的場(chǎng)隨1/r（場(chǎng)點(diǎn)至源點(diǎn)的距離）的變化而確定的， 為遠(yuǎn)近場(chǎng)的分界點(diǎn)，兩類源在遠(yuǎn)近場(chǎng)的場(chǎng)特征及傳播特性均有所不同。
表1 兩類源的場(chǎng)與傳播特性
場(chǎng)源類型 近場(chǎng)（ ）
遠(yuǎn)場(chǎng)（ ）

場(chǎng)特性 傳播特性 場(chǎng)特性 傳播特性
電偶極子 非平面波 以 衰減
平面波 以 衰減

磁偶極子 非平面波 以 衰減
平面波 以 衰減

波阻抗 為空間某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度之比，場(chǎng)源不同、遠(yuǎn)近場(chǎng)不同，則波阻抗也有所不同，表2與圖3分別用圖表給出了 的波阻抗特性。
表2 兩類源的波阻抗
場(chǎng)源類型 波阻抗 （Ω）

近場(chǎng)（ ）
遠(yuǎn)場(chǎng)（ ）

電偶極子 120π
120π
磁偶極子 120π
120π

能量密度包括電場(chǎng)分量能量密度和磁場(chǎng)分量能量密度，通過(guò)對(duì)由同一場(chǎng)源所產(chǎn)生的電場(chǎng)、磁場(chǎng)分量的能量密度進(jìn)行比較，可以確定場(chǎng)源在不同區(qū)域內(nèi)何種分量占主要成份，以便確定具體的屏蔽分類。能量密度的表達(dá)式由下列公式給出:
電場(chǎng)分量能量密度
磁場(chǎng)分量能量密度
場(chǎng)源總能量密度
表3 兩類源的能量密度
場(chǎng)源類型 能量密度比較
近場(chǎng)（ ）
遠(yuǎn)場(chǎng)（ ）

電偶極子

磁偶極子

表3給出了兩種場(chǎng)源在遠(yuǎn)、近場(chǎng)的能量密度。從表中可以看出，兩類源的近場(chǎng)有很大的區(qū)別，電偶極子的近場(chǎng)能量主要為電場(chǎng)分量，可忽略磁場(chǎng)分量；磁偶極子的近場(chǎng)能量主要為磁場(chǎng)分量，可忽略電場(chǎng)分量；兩類源在遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)，電場(chǎng)、磁場(chǎng)分量均必須同時(shí)考慮。
屏蔽類型依據(jù)上述分析可以進(jìn)行以下分類：
表4 屏蔽分類
場(chǎng)源類型 近場(chǎng)（ ）
遠(yuǎn)場(chǎng)（ ）

電偶極子（非閉合載流導(dǎo)線） 電屏蔽（包括靜電屏蔽） 電磁屏蔽
磁偶極子（閉合載流導(dǎo)線） 磁屏蔽（包括恒定磁場(chǎng)屏蔽） 電磁屏蔽

電屏蔽的實(shí)質(zhì)是減小兩個(gè)設(shè)備（或兩個(gè)電路、組件、元件）間電場(chǎng)感應(yīng)的影響。電屏蔽的原理是在保證良好接地的條件下，將干擾源所產(chǎn)生的干擾終止于由良導(dǎo)體制成的屏蔽體。因此，接地良好及選擇良導(dǎo)體做為屏蔽體是電屏蔽能否起作用的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
磁屏蔽的原理是由屏蔽體對(duì)干擾磁場(chǎng)提供低磁阻的磁通路，從而對(duì)干擾磁場(chǎng)進(jìn)行分流，因而選擇鋼、鐵、坡莫合金等高磁導(dǎo)率的材料和設(shè)計(jì)盒、殼等封閉殼體成為磁屏蔽的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
電磁屏蔽的原理是由金屬屏蔽體通過(guò)對(duì)電磁波的反射和吸收來(lái)屏蔽輻射干擾源的遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)，即同時(shí)屏蔽場(chǎng)源所產(chǎn)生的電場(chǎng)和磁場(chǎng)分量。由于隨著頻率的增高，波長(zhǎng)變得與屏蔽體上孔縫的尺寸相當(dāng)，從而導(dǎo)致屏蔽體的孔縫泄漏成為電磁屏蔽zui關(guān)鍵的控制要素。

屏蔽體的泄漏耦合結(jié)構(gòu)與所需抑制的電磁波頻率密切相關(guān)，三類屏蔽所涉及的頻率范圍及控制要素如表5所示：
表5 泄漏耦合結(jié)構(gòu)與控制要素
屏蔽類型 磁屏蔽 電屏蔽 電磁屏蔽
頻率范圍 10kHz~500kHz 1MHz~500MHz 500MHz~40GHz
泄漏耦合結(jié)構(gòu) 屏蔽體殼體 屏蔽體殼體及接地 孔縫及接地
控制要素 合理選擇殼體材料 合理選擇殼體材料
良好接地 抑制孔縫泄漏
良好接地
實(shí)際屏蔽體上同時(shí)存在多個(gè)泄漏耦合結(jié)構(gòu)（n個(gè)），設(shè)機(jī)箱接縫、通風(fēng)孔、屏蔽體壁板等各泄漏耦合結(jié)構(gòu)的單獨(dú)屏蔽效能（如只考慮接縫）為SEi（i=1,2,…，n），則屏蔽體總的屏蔽效能
由上式可以看出，屏蔽體的屏蔽效能是由
各個(gè)泄漏耦合結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生zui大泄漏耦合的結(jié)構(gòu)所決定的，即由屏蔽zui薄弱的環(huán)節(jié)所決定的。因此進(jìn)行屏蔽設(shè)計(jì)時(shí)，明確不同頻段的泄漏耦合結(jié)構(gòu)，確定zui大泄漏耦合要素是其首要的設(shè)計(jì)原則。
在三類屏蔽中，磁屏蔽和電磁屏蔽的難度較大。尤其是電磁屏蔽設(shè)計(jì)中的孔縫泄漏抑制zui為關(guān)鍵，成為屏蔽設(shè)計(jì)中應(yīng)重點(diǎn)考慮的首要因素。

圖4 典型機(jī)柜結(jié)構(gòu)示意圖
根據(jù)孔耦合理論，決定孔縫泄漏量的因素主要有兩個(gè)：孔縫面積和孔縫zui大線度尺寸。兩者皆大，則泄漏zui為嚴(yán)重；面積小而zui大線度尺寸大則電磁泄漏仍然較大。
圖4所示為一典型機(jī)柜示意圖，上面的孔縫主要分為四類：
● 機(jī)箱（機(jī)柜）接縫
該類縫雖然面積不大，但其zui大線度尺寸即縫長(zhǎng)卻非常大，由于維修、開(kāi)啟等限制，致使該類縫成為電子設(shè)備中屏蔽難度zui大的一類孔縫，采用導(dǎo)電襯墊等特殊屏蔽材料可以有效地抑制電磁泄漏。
該類孔縫屏蔽設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于：合理地選擇導(dǎo)電襯墊材料并進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖冃慰刂??！?通風(fēng)孔
該類孔面積和zui大線度尺寸較大，通風(fēng)孔設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于通風(fēng)部件的選擇與裝配結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。在滿足通風(fēng)性能的條件下，應(yīng)盡可能選用屏效較高的屏蔽通風(fēng)部件。
● 觀察孔與顯示孔
該類型孔面積和zui大線度尺寸較大，其設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于屏蔽透光材料的選擇與裝配結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。
● 連接器與機(jī)箱接縫
這類縫的面積與zui大線度尺寸均不大，但由于在高頻時(shí)導(dǎo)致連接器與機(jī)箱的接觸阻抗急劇增大，從而使得屏蔽電纜的共模傳導(dǎo)發(fā)射變大，往往導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備的輻射發(fā)射出現(xiàn)超標(biāo)，為此應(yīng)采用導(dǎo)電橡膠等連接器導(dǎo)電襯墊。
綜上所述，孔縫抑制的設(shè)計(jì)要點(diǎn)歸納為：
● 合理選擇屏蔽材料；
● 合理設(shè)計(jì)安裝互連結(jié)構(gòu)。