無錫國勁合金有限公司
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訪問次數(shù):89更新時間:2019-08-20 08:57:43
NS334無縫管生產(chǎn)1120°℃固溶4h加930°℃或950°℃時效4h再加760°℃或800°℃時效20h后,析出兩種尺寸的γ’相,較大γ’相的平均尺寸約為130nm,較小丫’相的平均尺寸約為25nm,γ’相分布較稀疏,室溫拉伸變形時,試樣中滑移帶的數(shù)量明顯,位錯運動的阻力減小,拉伸強度下降,其中屈服強度大到674MPa,抗拉強度到891MPa;高溫持久變形時,位錯較容易切過大尺寸γ’相并留下層錯,且γ’顆粒間距大,γ基體通道較寬,位錯運動較容易,因此持久強度下降,其中750°℃/430MPa持久壽命低降到13.9h。因此,從合金的綜合力學性能考慮,K4750合金適宜的熱處理制度為1120°℃×4h.空冷+800°℃ ×20h.空冷。實驗了K4750合金650~800°℃不同應力作用下的持久性能,基于大量持久壽命數(shù)據(jù),擬合出該合金拉森-米勒參數(shù)P與持久應力σ的一元線性和非線性回歸方程分別為σ=3173.05-120.15*P 和σ=-31146.3+4555.3*P-211.5*P2+3.2*P3,擬合系數(shù)分別為0.9803和0.9893。
無錫國勁合金*生產(chǎn)S31254、317L、Inconel617、Inconel718、Ni2201、254o、725LN、astelloyB-2、Nickel201、C-276、N6、N4、Incoloy825等材質(zhì)。
電子產(chǎn)品高集成度和高功率化的發(fā)展趨勢,推動了基于Si C、Ga N等寬禁帶半導體材料的新型功率器件迅猛發(fā)展。以Si C為代表的寬禁帶半導體功率器件高可以在600℃下作,然而能與之匹配的芯片高溫連接材料卻十分。過高的回流溫度將造成較大的熱應力,并可能同一中其他溫度型器件,因此要求焊接材料好可以在低溫短時的回流條件下即可實現(xiàn)焊接,所得焊點能夠耐受更高的服役溫度。并且出于焊點熱-機械可靠性的考慮,焊縫好具有一定厚度以緩解應力集中問題。為此,本文成功制備出Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)雙金屬粉,將其作為新型焊接材料引入到功率器件封裝領域,能夠第三代半導體器件對封裝材料的一系列要求,提供了一種有效的芯片貼裝解決方案。本文成功制備出微米級Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)雙金屬粉,該粉體具有以下征:低溫回流時外表Sn鍍層即可熔化并連接相鄰Cu核,充足的Cu原子來源和顆粒較高的表面活性使得Sn層短時間回流即可生成具有更高熔點的Cu-Sn金屬間化合物。ECAP可以顯著細化ZAM63-1Si合金基體晶粒及改變第二相的形貌分布,其作用機制為機械剪切破碎和動態(tài)再結(jié)晶。BC路徑1道次后合金晶粒明顯細化、第二相基本被擠碎,但仍然分布在原位附近,室溫性能明顯;2道次后,合金平均晶粒更加細化,第二相分布更加均勻,并呈條帶狀分布;4道次后,合金中部分晶粒開始長大,第二相分布更加彌散。其中1道次后合金的屈服強度高,達到了147MPa;4道次后合金綜合性能好,抗拉強度和伸長率分別達到了283MPa和25.8%;BC-m路徑4道次變形后第二相分布發(fā)生改變,但彌散程度變化不大,合金中大晶粒數(shù)量增多,抗拉強度和伸長率分別為288MPa和13.7%。(3)BC路徑態(tài)ZAM63-1Si合金高溫抗蠕能明顯優(yōu)于鑄態(tài)合金。并且隨著道次的,合金的抗蠕能逐漸增強,4道次后合金的穩(wěn)態(tài)蠕變速率為1.41E-6 s-1。與BC路徑4道次變形相,BC-m路徑4道次抗蠕能變差,穩(wěn)態(tài)蠕變速率到1.93E-6 s-1。(4)在(448498K)/(5070MPa)的蠕變條件下,BC路徑4道次變形后合金的應力指數(shù)分別為4.76、5.55、6.22,蠕變能分別為62、71、84kJ/mol。蠕變機制由低溫時受擴散控制的位錯攀移機制,逐漸過渡為高溫時位錯攀移和第二相增強共同作用蠕變機制。
NS334無縫管生產(chǎn)由η值曲線結(jié)合微觀組織征確定了不同溫度區(qū)間所對應的變形機制:(i)350-400°C區(qū)間,組織演化以動態(tài)回復(DRV)為主;(ii)溫度高于400℃時轉(zhuǎn)變?yōu)閯討B(tài)再結(jié)晶(DRX);(iii)450℃為基體合金的等強轉(zhuǎn)變點(Teq)。高于Teq時,晶界運動對變形的貢獻。基于MDMM構(gòu)建的失穩(wěn)圖與熱壓試樣出現(xiàn)宏觀裂紋的參數(shù)具有很好的*性。在355-495 °C和0.001-1 s-1實驗參數(shù)范圍內(nèi),隨溫度和應變速率的升高,材料內(nèi)部的損傷逐漸加劇。在460°C和0.001s-1低應變速率下,雖然試樣側(cè)面未出現(xiàn)宏觀裂紋,但在承受橫向拉應力的側(cè)面靠近邊緣處形成了裂紋及孔洞等微觀損傷。TiAl基合金是一種應用前景的中高溫結(jié)構(gòu)材料,對于含片層TiAl基合金,通過定向凝固技術控制其微觀組織可其綜合力學性能。本文主要采用Bridgman定向凝固技術,控制具有不同凝固路徑的TiAl基合金的微觀組織。首先研究了不同凝固路徑的TiAl合金在定向凝固階段糊狀區(qū)內(nèi)的微觀組織演變,而后通過定向凝固技術對TiAl合金定向凝固,重點研究了起始界面處糊狀區(qū)對微觀組織的影響,后采用籽晶法了糊狀區(qū)對微觀組織的影響,以達到定向凝固合金的微觀組織控制。在α型凝固Ti-43Al-3Si合金中含有先析出Ti5Si3相、共晶Ti5Si3相和α2+γ片層組織,在一定溫度梯度下,對該合金進行熱化處理后,該合金的糊狀區(qū)由液相、α晶粒和Ti5Si3相組成。隨著熱時間的,溫度梯度區(qū)熔效應(TGZM)發(fā)生,糊狀區(qū)逐漸變短,糊狀區(qū)內(nèi)液相體積分數(shù)逐漸,Ti5Si3相不斷長大。對于β包晶凝固型Ti-47Al-1.0W-0.5Si合金,鑄態(tài)合金主要有片層組織和Ti5Si3相及少量B2相組成。鎳基合金滲鋁可顯著其抗高溫氧化性能。滲鋁鎳基合金在服役過會受到應力作用,滲層產(chǎn)生微裂紋。本文采用熱擴散,在K403合金表面制備滲鋁層,研究在扭轉(zhuǎn)應力作用下,K403合金滲鋁層微裂紋的形成和擴展。本文利用JMatPro計算25℃下K403合金基體應力與應變速率(在0.001-1000s-1)之間的關系、滲鋁層鋁含量分別為:20wt.%、25wt.%、30wt.%的K403合金的應力與應變速率(在0.001-1000s-1)之間的關系和在常溫下的楊氏模量、泊松、密度、硬度等物理性能。通過JMatPro計算所的材料數(shù)據(jù)和Auto-CAD繪出的滲鋁層厚度分別為:20μm、25μm、30μm的三維實體,分別導入DEFORM有限元中進行扭轉(zhuǎn)模擬。有限元模擬分析結(jié)果表明:在模擬扭轉(zhuǎn)中,隨著扭轉(zhuǎn)角度的增大,試樣表面等效應力,等效應力大值首先出現(xiàn)在試樣表面中間區(qū)域,中間區(qū)域易形成微裂紋。
考慮到Ti-Cu合金的加和使用,本文擬對Ti-Cu合金不同加載條件和溫度況下的力學響應進行深入分析,具體研究內(nèi)容與結(jié)論如下:(1)以海綿鈦和金屬銅制備Ti-Cu合金,利用XRD、SEM對Ti-Cu合金的物相組成、微觀結(jié)構(gòu)進行表征,并通過納米法分析加載和加、卸載參數(shù)對合金硬度和性模量的影響。結(jié)果表明:Ti-Cu合金由α’相與Ti2Cu相組成;與循環(huán)加載和恒載荷速率加載相,連續(xù)剛度法測得的性模量與硬度值相對較高;加載速率對測量值的影響較小,但卸載速率對測量結(jié)果有較大影響,隨著卸載速率的,測得的性模量有所,而硬度則有所;析出的Ti2Cu相能有效材料的強度。在外加應力的作用下微裂紋的萌生及擴展是第Ⅳ階段蠕變速率上升的原因,此階段合金中位錯及層錯等缺陷密度顯著。初始顯微組織對蠕能影響的研究表明:具有不同初始γ通道寬度、γ’相尺寸以及γ/γ’界面位錯密度等初始組織征的Co-Al-W-Ta-Ti單晶合金的高溫蠕變行為均由上述4個蠕變階段組成。其中,初始γ’相尺寸是影響合金高溫蠕能的主要因素。在0.15~0.53μm范圍內(nèi),Co-Al-W-Ta-Ti單晶合金在900℃/420MPa條件下的蠕變壽命隨初始γ’相尺寸的呈現(xiàn)出先增長后縮短的變化趨勢。合金中初始γ/γ’界面位錯密度越大,小蠕變速率越高。但是,初始顯微組織征對穩(wěn)態(tài)蠕變速率沒有明顯影響。根據(jù)以上三部分的研究結(jié)果和認識,本作初步建立了含Ta、Ti的Co-Al-W基高溫合金的合金成分、顯微組織演變和蠕能之間的關系,為后續(xù)進一步Co-Al-W基高溫合金承溫能力提供理論和實驗依據(jù)。并根據(jù)直達波和缺陷反射回波的時間差Δt驗證渦輪界面缺陷的可靠性。后,設計并制作渦輪椎體試樣和球孔渦輪試樣,設計整體渦輪結(jié)合面缺陷檢測流程,利用4.5Mz、16陣元超聲相控陣作為發(fā)射,小角度縱波和曲面作為接收的收發(fā)分離檢測藝分別對其進行檢測,并對缺陷進行判別、和成像。研究結(jié)果表明:收發(fā)分離超聲相控陣檢測藝可以對雙金屬渦輪結(jié)合面缺陷進行判別、和成像。利用有限元和試驗對試樣分析研究,可根據(jù)直達波與結(jié)構(gòu)之間是否存在缺陷反射回波判別是否存在界面缺陷;采用渦輪界面,對界面缺陷進行分析,誤差在2mm內(nèi);通過對接收在渦輪試樣底部接收到的超聲波進行幅值成像,界面缺陷征明顯,了檢測效率。