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      伯東企業(yè)(上海)有限公司
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      上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 系列

      參  考  價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號

      品       牌

      廠商性質(zhì)代理商

      所  在  地上海市

      更新時(shí)間:2021-09-13 14:03:13瀏覽次數(shù):545次

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      KRI 射頻離子源 RFICP 系列

      KRI 射頻離子源 RFICP 系列
      上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
      射頻離子源
      射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

      型號

      RFICP 40

      RFICP 100

      RFICP 140

      RFICP 220

      RFICP 380

      Discharge 陽極

      RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      離子束流

      >100 mA

      >350 mA

      >600 mA

      >800 mA

      >1500 mA

      離子動(dòng)能

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      柵極直徑

      4 cm Φ

      10 cm Φ

      14 cm Φ

      20 cm Φ

      30 cm Φ

      離子束

      聚焦, 平行, 散射


      流量

      3-10 sccm

      5-30 sccm

      5-30 sccm

      10-40 sccm

      15-50 sccm

      通氣

      Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

      典型壓力

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      長度

      12.7 cm

      23.5 cm

      24.6 cm

      30 cm

      39 cm

      直徑

      13.5 cm

      19.1 cm

      24.6 cm

      41 cm

      59 cm

      中和器

      LFN 2000


















      射頻離子源 RFICP 系列應(yīng)用:
      離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
      離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
      表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
      離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
      離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
      離子濺射鍍膜

      上海伯東離子源典型應(yīng)用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機(jī)中, 實(shí)現(xiàn)離子輔助鍍膜 IBAD 及預(yù)清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產(chǎn)
      右圖: 在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試, 樣品無崩邊

      射頻離子源

      上海伯東離子源典型應(yīng)用: 安裝在離子蝕刻機(jī)中的 KRI 射頻離子源, 對應(yīng)用于半導(dǎo)體后端的6寸晶圓進(jìn)行刻蝕. 右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內(nèi)

      射頻離子源

       

      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)zhuan利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

      若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
      上海伯東: 羅先生                                中國臺灣伯東: 王小姐

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