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- VTB5051光電二極管 產(chǎn)品型號(hào)
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訪問次數(shù):2636更新時(shí)間:2022-04-01 08:08:07
PN高速光電探測(cè)器
一、InGaAsAPD/PIN光電探測(cè)器:
1、InGaAsAPD光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,人眼安全激光測(cè)距機(jī)等。
型號(hào):C30644E、C30645E、C30733、C30662E
2、InGaAsPIN(小面積)光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,儀表等。
型號(hào):C30616E、C30637E
3、InGaAsPIN(大面積)光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量窗口以及光纖封裝。典型應(yīng)用于光功率表,人眼安全激光通信,儀表等。
型號(hào):C30619G、C30641G、C30665G、C30723G
4、InGaAsPIN(大面積)擴(kuò)展波長(zhǎng)光電探測(cè)器:(1um-2.5um)高質(zhì)量陶瓷封裝,提供不帶制冷器、一級(jí)制冷器和二級(jí)制冷器三種封裝的產(chǎn)品。典型應(yīng)用于非破壞性檢查,水汽測(cè)量,生物化學(xué)應(yīng)用,環(huán)境監(jiān)控等,需要相關(guān)資料,請(qǐng)咨詢。
二、SiliconAPD光電探測(cè)器:
1、SiliconAPD標(biāo)準(zhǔn)雪崩管:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于熒光探測(cè),小信號(hào)快速探測(cè),LIDAR,光子計(jì)數(shù),數(shù)據(jù)傳輸,儀表,自適應(yīng)光學(xué),共焦微透鏡等。
型號(hào):C30817E、C30872E、C30902E、C30916E
2、SiliconAPD光電探測(cè)器陣列:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,分光鏡,粒子探測(cè),自適應(yīng)光學(xué),跟蹤系統(tǒng)等。
型號(hào):四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E
3、SiliconAPD低價(jià)格光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)大量,低價(jià)格探測(cè)器。典型應(yīng)用于激光測(cè)距,防碰撞系統(tǒng)等。
型號(hào):低增益C30724、高增益C30737E
4、SiliconAPD熱電致能型光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)帶一級(jí)或者兩級(jí)熱電致冷器,冷卻APD,減少小信號(hào)探測(cè)時(shí)的熱噪聲,內(nèi)部集成的熱電阻用來溫度監(jiān)控以及致冷器控制。典型應(yīng)用于小信號(hào)熒光探測(cè),光子計(jì)數(shù),快速或者微弱信號(hào)探測(cè),自適應(yīng)光學(xué)等。型號(hào):C30902S-TC,C30902S-DTC
5、SiliconAPD近紅外增強(qiáng)型(1.064um)光電探測(cè)器:密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,紅外激光測(cè)距,熒光探測(cè),快速或者小信號(hào)探測(cè)。
型號(hào):C30954E,C30955E,C30956E
6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測(cè)器:光纖耦合封裝。典型應(yīng)用于光纖數(shù)據(jù)傳輸,遠(yuǎn)程光傳感器,小信號(hào)探測(cè)等。
型號(hào):C30921
7、SiliconAPD輻射探測(cè)器:大光敏面積,平板封裝。典型應(yīng)用于直接探測(cè)光,x-Rays,電子的輻射。
型號(hào):C30626,C30703