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ZG2Cr25Ni13鑄鋼件

無(wú)錫國(guó)勁合金有限公司是一家鑄造離心鑄造,沉沒輥,爐底輥,耐熱鋼、耐磨鋼、耐腐蝕、高鎳、高鉻合金鋼，離心鑄造、鑄管、不銹鋼鑄造及機(jī)械加工為一體的企業(yè)。主要生產(chǎn)耐熱鋼、耐磨鋼、耐腐蝕鋼、不銹鋼鑄件、離心鑄管、制氫管、輻射管（I型、U型、W型輻射管）燃?xì)饧訜峁堋⒎磻?yīng)管、各類爐輥、玻璃輥、穩(wěn)定輥、熱鍍鋅沉沒輥、熱處理爐配件、鳳葉、鳳帽、料盤、料筐、滑塊、蓖板、篩板、襯板、窯口護(hù)鐵、窯尾護(hù)鐵、垃圾爐爐排、不銹鋼管件、法蘭、標(biāo)準(zhǔn)件等　　大部分地區(qū)不銹鋼彎頭價(jià)格普漲，其中建材漲幅為顯著。9月各地限產(chǎn)加嚴(yán)作為不銹鋼彎頭主產(chǎn)區(qū)的唐山地區(qū)限產(chǎn)一直是重點(diǎn)，9月2日遷安市在9月份唐山市大氣污染管控方案的基礎(chǔ)上，結(jié)合該區(qū)域?qū)嶋H情況制定了各鋼企停限產(chǎn)措施，有進(jìn)一步加嚴(yán)的趨勢(shì)?！　±钛訌?qiáng)在致辭中指出：津西鋼鐵集團(tuán)此次選擇在防城港投資建設(shè)項(xiàng)目，不僅符合鋼鐵產(chǎn)業(yè)布局的戰(zhàn)略要求，順應(yīng)廣西冶金產(chǎn)業(yè)“二次創(chuàng)業(yè)"和沿海鋼鐵產(chǎn)業(yè)集群及產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展需要，而且符合津西集團(tuán)和防城港產(chǎn)業(yè)布局的未來(lái)發(fā)展需求?！　　皬囊陨蠑?shù)據(jù)可以看出，越來(lái)越多的涉焦企業(yè)認(rèn)識(shí)到利用工具風(fēng)險(xiǎn)的重要性。"山西地區(qū)一位焦化企業(yè)人士告訴記者，焦炭的價(jià)格發(fā)現(xiàn)和套期保值功能，不僅可以幫助相關(guān)企業(yè)規(guī)避市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，企業(yè)抵御風(fēng)險(xiǎn)的能力，還可以幫助企業(yè)及時(shí)、準(zhǔn)確把握市場(chǎng)趨勢(shì)，增強(qiáng)企業(yè)決策的預(yù)見性和科學(xué)性。

鑄造工藝是保證ZG2Cr25Ni13鑄件質(zhì)量的關(guān)鍵。編制這種鋼的工藝時(shí)主要考慮避免裂紋生成。影響裂紋產(chǎn)生的主要因素有：鑄件結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù)、澆冒口設(shè)置、型芯結(jié)構(gòu)形式、澆注溫度等。我們用40Cr鋼高頻淬火制造變速箱齒輪，代替原20CrMnTi鋼滲碳淬火齒輪取得了成功。以局部加熱代替整體加熱對(duì)一些局部又技術(shù)要求的零件（如耐磨的齒軸徑、軋輥輥徑等），可采用浴爐加熱、感應(yīng)加熱、脈沖加熱、火焰加熱等局部加熱方式代替如箱式爐等的整體加熱，可以實(shí)現(xiàn)各零件摩擦咬合部位之間的適當(dāng)配合，提高零件使用壽命，又因?yàn)槭蔷植考訜?，所以能顯著減小淬火變形，降低能耗。我們深深體會(huì)到，一個(gè)企業(yè)能夠合理地利用能源，用有限的能源取得大的經(jīng)濟(jì)效益，涉及到用能設(shè)備效率的高低，工藝技術(shù)路線是否合理，管理是否科學(xué)等因素。這就要求我們用系統(tǒng)的觀點(diǎn)綜合考慮，每一個(gè)環(huán)節(jié)都不能忽視，同時(shí)，要求在制定工藝時(shí)，也要有全局的觀念，要和企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益緊密結(jié)合，不能為了制定工藝而制定工藝，在市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的今天，這一點(diǎn)尤為重要。2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新我國(guó)的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個(gè)企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來(lái)形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊(duì)，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體的不斷,對(duì)碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵,高溫?cái)U(kuò)散或離子注入等制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)同質(zhì)外延一層結(jié)晶高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個(gè)重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺(tái)階側(cè)向生長(zhǎng)的可以實(shí)現(xiàn)晶型的延續(xù),即使在較低的生長(zhǎng)溫度下也可高結(jié)晶的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD具有設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點(diǎn),適合生長(zhǎng)微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD的外延膜生長(zhǎng)速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長(zhǎng),本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長(zhǎng)研究.1實(shí)驗(yàn)1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實(shí)驗(yàn)使用的是Cree公司生長(zhǎng)的8°偏向<1120>的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)進(jìn)行生長(zhǎng).生長(zhǎng)分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長(zhǎng).具體的生長(zhǎng)工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長(zhǎng)的氣源為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長(zhǎng)中的碳硅比(C/Si).部分高生長(zhǎng)速率樣品在生長(zhǎng)初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長(zhǎng).1.2生長(zhǎng)后的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計(jì)算外延膜的生長(zhǎng)速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體缺陷.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長(zhǎng)完成后,首*行了Raman表征以確定1400℃生長(zhǎng)時(shí)外延膜的晶型.如圖2所示,對(duì)比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長(zhǎng)溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實(shí)驗(yàn)樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會(huì)明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,980cm1對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實(shí)驗(yàn)通過霍爾(Hall)對(duì)樣品的結(jié)果相吻合.因?yàn)?C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對(duì)外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實(shí)驗(yàn).根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會(huì)出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實(shí)驗(yàn)中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長(zhǎng)溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長(zhǎng)速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會(huì)呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測(cè)出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種,可以不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長(zhǎng)速率.圖3(a)是不同SiH4流量時(shí)的生長(zhǎng)速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長(zhǎng)速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個(gè)區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長(zhǎng)速率隨SiH4流量而線性.在這個(gè)區(qū)域,內(nèi)反應(yīng)處于非飽和狀態(tài),因此生長(zhǎng)速率由反應(yīng)物的輸運(yùn)控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長(zhǎng)速率已達(dá)到的飽和值,SiH4流量并不生長(zhǎng)速率.對(duì)于本實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長(zhǎng)速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量的不同C/Si比的生長(zhǎng)速率圖,從中可以看出,在C/Si<1.5時(shí),由于內(nèi)的C源不足,生長(zhǎng)速率遠(yuǎn)低于正常狀態(tài),生長(zhǎng)速率由C3H8流量控制.當(dāng)C/Si>1.5時(shí),生長(zhǎng)速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再C3H8流量并不能生長(zhǎng)速率.由于在生長(zhǎng)溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長(zhǎng)速率對(duì)應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌缺陷利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌缺陷.外延膜表面出現(xiàn)的典型缺陷為圖4(a)所示的三角形缺陷.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形缺陷的SEM照片,從圖中可以看出,三角形缺陷在表面凹陷,沿<1120>生長(zhǎng)方向,在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)處深,其對(duì)應(yīng)的底邊通常與臺(tái)階流方向(即<1120>方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長(zhǎng)速率時(shí)外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長(zhǎng)速度下外延膜表面缺陷較少,隨著生長(zhǎng)速率的,外延膜表面的缺陷密度迅速.當(dāng)生長(zhǎng)速率達(dá)到6μm/h時(shí),表面已幾乎被缺陷覆蓋.因此,在較高生長(zhǎng)速度下,需做進(jìn)一步地研究來(lái)控制和外延膜表面缺陷密度.不同C/Si比生長(zhǎng)的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時(shí),在外延膜表面形成大量的“逗號(hào)"狀的凹坑.通過Raman表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā).但C/Si比大于1.5時(shí),外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對(duì)生長(zhǎng)機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑缺陷是由臺(tái)階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺(tái)階控制"生長(zhǎng)理論模型,同質(zhì)外延利用臺(tái)階的側(cè)向生長(zhǎng)以襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長(zhǎng)中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個(gè)缺陷點(diǎn)(可能是晶體缺陷、外來(lái)粒子等),就會(huì)阻礙此處臺(tái)階的側(cè)向.隨著生長(zhǎng)的不斷進(jìn)行,缺陷點(diǎn)不斷側(cè)向生長(zhǎng)的進(jìn)行,而在臺(tái)階流下方會(huì)逐漸恢復(fù)到正常的生長(zhǎng).終就會(huì)在外延膜表面留下一個(gè)臺(tái)階流上方頂點(diǎn)處凹陷下去的三角形缺陷,且三角形缺陷在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)深,而對(duì)應(yīng)邊與臺(tái)階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶缺陷由于襯底以及生長(zhǎng)工藝因素的影響,外延膜中通常會(huì)形成一些結(jié)晶缺陷.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀"腐蝕坑,對(duì)應(yīng)著基平面位錯(cuò)(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲?huì)演變形成堆垛層錯(cuò),造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(cuò)(對(duì)應(yīng)7(b)中“六邊形"腐蝕坑)對(duì)器件性能的影響則相對(duì)較小.因此,在SiC外延生長(zhǎng)中襯底中的BPDs向外延膜中延伸對(duì)器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長(zhǎng)速率分別為2.2和3.5μm/h時(shí)外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長(zhǎng)速率為2.2μm/h時(shí),外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(cuò)(TEDs),說明低生長(zhǎng)速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長(zhǎng)速度到3.5μm/h時(shí),由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長(zhǎng)速度后,外延膜生長(zhǎng)中形成了大量的新缺陷.不同C/Si比條件生長(zhǎng)的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗(yàn).結(jié)果表明,低C/Si時(shí),外延膜中仍存在著BPDs;高C/Si時(shí),外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長(zhǎng)條件下BPDs密度的可能是富C情況下臺(tái)階側(cè)向生長(zhǎng)所占比例,空間螺旋生長(zhǎng)所占比例,了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面缺陷的控制研究在低生長(zhǎng)速率時(shí),由于生長(zhǎng)初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(zhǎng)(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對(duì)較平穩(wěn),因此外延膜表面缺陷較少.但在高生長(zhǎng)速率時(shí),初期界面的轉(zhuǎn)換非常,初期在界面處波動(dòng)太大,形成大量的缺陷中心,從而在后續(xù)正常生長(zhǎng)中引入大量的缺陷點(diǎn),根據(jù)三角形缺陷產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑缺陷.從上述分析可以看出,外延膜的缺陷密度受生長(zhǎng)速率密切影響.高生長(zhǎng)速率時(shí)在生長(zhǎng)初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量缺陷并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面缺陷.因此在高生長(zhǎng)速率的情況下,要低缺陷密度的外延膜,需要控制并在初期生長(zhǎng)界面處形成缺陷.通過在生長(zhǎng)初期逐漸源氣體流量,控制生長(zhǎng)初期時(shí)生長(zhǎng)界面的異常成核,可以在外延中缺陷形成.圖8是生長(zhǎng)速率為5.5μm/h時(shí),直接外延生長(zhǎng)和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長(zhǎng)條件后外延膜表面缺陷的密度*地,了外延膜的.利用熔融KOH腐蝕對(duì)有無(wú)初期生長(zhǎng)的外延膜結(jié)晶缺陷做了對(duì)比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長(zhǎng)的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長(zhǎng)速率(5.5μm/h,接近飽和生長(zhǎng)速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速,說明通過引入初期生長(zhǎng)能大大外延生長(zhǎng)初期缺陷的形成,從而*高速生長(zhǎng)時(shí)外延膜中的缺陷密度,因此引入初期生長(zhǎng)是高速生長(zhǎng)外延膜的重要手段之一。

ZG2Cr25Ni13鑄件產(chǎn)生拉裂的原因有：一是材料延伸率低，硫磷含量超標(biāo)；二是壓邊圈的壓力過大，沖壓時(shí)造成將毛坯拉裂；三是效果差，模具與坯料間力不均造成封頭的拉裂；四是沖壓時(shí)模具行程過快，旋壓翻邊時(shí)旋壓速度過快，圓滑過渡區(qū)已造成橫向拉裂。1.7凹坑缺陷及產(chǎn)生原因分析凹坑是封頭加工中形成的局部或整周凹陷。產(chǎn)生凹坑主要原因是：一是模具位置不正。沖壓工藝中，模具如果偏心，兩邊間隙大小不一，間隙小的一側(cè)，坯料不易被壓下，模具運(yùn)行到該部位被卡，強(qiáng)行下壓，就會(huì)該側(cè)局部嚴(yán)重減薄形成凹坑；二是旋壓時(shí)，壓鼓工藝不當(dāng)也會(huì)凹坑產(chǎn)生，特別是薄壁封頭，封頭變形量大，鼓頭捶打不均就有可能局部凹坑。2不銹鋼壓力容器封頭缺陷的預(yù)防措施不銹鋼壓力容器封頭壓制中，受力復(fù)雜，容易產(chǎn)生各種各樣的缺陷。

鑄造的毛坯在水韌處理前都處于脆性狀態(tài)，任何影響收縮的因素都會(huì)使鑄件在澆注后的收縮階段產(chǎn)生裂紋，比較明顯的是箱式鑄件，這種件由砂芯形成內(nèi)腔，砂芯退讓性好，高應(yīng)力區(qū)非常容易產(chǎn)生裂紋。解決辦法是往芯中加入鋸末、泡沫等保證砂芯有合適的退讓性

　　“自創(chuàng)區(qū)、高新區(qū)建設(shè)取得新成效，為穩(wěn)增長(zhǎng)、調(diào)結(jié)構(gòu)提供支撐。"*副陰和俊在日前*的發(fā)布會(huì)上表示。尤其是１７個(gè)自創(chuàng)區(qū)對(duì)所在地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展發(fā)揮了的輻射帶用。武漢東湖、湖南長(zhǎng)株潭、四川成都等自創(chuàng)區(qū)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)連續(xù)數(shù)年保持３０％左右的增速?！　′撹F業(yè)作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主要推動(dòng)力，對(duì)經(jīng)濟(jì)的可發(fā)展具有重要作用，要想使鋼鐵業(yè)能夠繼續(xù)保持高發(fā)展態(tài)勢(shì)，就必須走可發(fā)展道路，鋼鐵業(yè)在制造中必須要將自然生態(tài)的保護(hù)、自然資源。每萬(wàn)名從業(yè)人員擁有發(fā)明１６２．３件，是全國(guó)就業(yè)人員平均水平（１９件）的８．５倍。"[3]P26恢復(fù)和健全規(guī)章制度，關(guān)鍵在于建立責(zé)任制。[3]P30在《解放思想，實(shí)事求是，團(tuán)結(jié)*向前看》這篇重要講話中，指出:“一個(gè)很大的問題就是無(wú)人負(fù)責(zé)"，他強(qiáng)調(diào)在制度上“要特別注意加強(qiáng)責(zé)任制"。覆膜砂的強(qiáng)韌性，覆膜砂的潰散性，覆膜砂的熱變形性，加快覆膜砂的硬化速度。建立與近無(wú)余量成形技術(shù)相適應(yīng)的新涂料系列——大力有機(jī)和無(wú)機(jī)系列非占位涂料，用于成形鑄造生產(chǎn)。對(duì)單件小批量生產(chǎn)精密鑄件用的金屬型、熱芯盒及模具等自硬轉(zhuǎn)移涂料，對(duì)精密砂芯微波硬化的轉(zhuǎn)移涂料，為汽車缸體缸蓋重要鑄件內(nèi)腔尺寸精度和表面，解決鑄鋼件殼型鑄造中粘砂、表面粗糙等問題，推廣非占位涂料或高滲透、薄層涂料技術(shù)與覆模砂技術(shù)的結(jié)合應(yīng)用?！　?019年以來(lái)澳洲巴西鐵礦石累計(jì)發(fā)貨量同比下降8.1%，4月同比下降25.5%；1-5月累計(jì)進(jìn)口鐵礦量同比下降5.2%，其中5月同比下降11%。鋼企利潤(rùn)被侵蝕而鐵礦石價(jià)格的上漲，也了鋼鐵行業(yè)的利潤(rùn)被擠壓。

公司擁有500Kg-2000Kg的熔煉爐三臺(tái)，實(shí)驗(yàn)爐1臺(tái)，混砂造型，精密鑄造，拋丸，熱處理等設(shè)備10余臺(tái)套，各類金屬切削機(jī)床五臺(tái)套，軋花編織機(jī)2套，鋼絲調(diào)直機(jī)2臺(tái)。公司檢測(cè)設(shè)備及試驗(yàn)手段：化學(xué)性能試驗(yàn)設(shè)備3臺(tái)、機(jī)械性能試驗(yàn)設(shè)備2臺(tái)、手持光譜儀2臺(tái)，X光探傷機(jī)1臺(tái)、磁粉機(jī)2臺(tái)，能生產(chǎn)單臺(tái)噸位達(dá)4T的大型耐熱鋼鑄件產(chǎn)品。*的生產(chǎn)和生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備，為產(chǎn)品的優(yōu)良品質(zhì)提供了有力的保證。確保產(chǎn)品在每一道工序的每個(gè)工位“*"生產(chǎn)。