無錫國勁合金有限公司
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訪問次數(shù):229更新時間:2019-07-08 17:42:54
HastelloyB-3無縫管規(guī)格對合金進(jìn)行了多道次熱變形模擬實驗,實驗結(jié)果表明,二道次變形時,合金中的動態(tài)再結(jié)晶進(jìn)行得較為*,繼續(xù)變形道次后合金再結(jié)晶程度無明顯。通過對單次變形及多道次熱變形實驗,確定了Ti-12Mo-3Nb-1.5Cu合金板材軋制的優(yōu)參數(shù),并對合金板材的微觀組織和力學(xué)性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,軋制后合金板材組織為等軸亞穩(wěn)β晶粒,并且晶粒內(nèi)部存在大量的位錯亞晶。而900℃單相區(qū)固溶后,組織為再結(jié)晶等軸β晶粒。原始板材和固溶處理后的拉伸力學(xué)性能表明,原始板材抗拉強度和性模量較高但塑性變形能力較差;固溶處理后板材拉伸強度和性模量較低但延伸率可達(dá)達(dá)35.56%。拉伸斷口則表明合金原始板材的的斷裂機制為混合型斷裂,斷裂強度較高;而固溶處理后板材的斷裂機制為韌性斷裂,斷口上存在大量韌窩,塑性但斷裂強度較低。
無錫國勁合金*生產(chǎn)724L、Inconel617、N6、N4、07Cr18Ni11Nb、astelloyB-3、Inconel625、G3030、310S、Monel400、G4169、F44、astelloyC-4等材質(zhì)。
結(jié)果表明:隨著冷速的,顯微織構(gòu)含量。在該相變中,TiB由β相中析出,兩者符合位相關(guān)系:{011}β‖(001)B27,<111>β‖[010]B27;同時,α相與Ti B存在兩類不同的位相關(guān)系,可分別形成Burgersα相以及非Burgersα相。Burgersα和非Burgersα相之間存在競爭生長關(guān)系,快冷時非Burgersα相生長被;慢冷時Burgersα相和非Burgersα相均可充分長大。提出了一種新的高鈮TiAl合金凝固組織控制,即凝固中兩步恒溫處理(Two-step isothermal Treatment,TIT)。TIT由β單相區(qū)的短時保溫(1st IT)以及略高于Tα+β的保溫(2nd IT)兩步組成。1st IT可合金中的包晶α相,保證合金整體以β凝固路徑發(fā)生相變,從而凝固偏析,使組織均勻性。2nd IT可片層團(tuán)界面處呈連續(xù)狀分布的β偏析,并且少量的殘余B2相可釘扎α晶粒防止片層團(tuán)的粗化。與此同時,在2nd IT中發(fā)生了魏氏體α相的破碎與球化以及等軸α相的形核與生長,形成了等軸且尺寸均勻的片層結(jié)構(gòu)。此外,Al、Nb元素的充分?jǐn)U散為非Burgersα的生長提供了條件,從而使顯微織構(gòu)含量,片層界面的取向更加隨機,從而了合金的力學(xué)性能,減小了開裂傾向。鎳基高溫合金返回料中含有多種稀有金屬元素,具有重要的和再利用價值。本文采用的冷坩堝感應(yīng)重熔,在保持K418和G4169合金設(shè)計成分的同時,避免坩堝材料對合金熔體反應(yīng)產(chǎn)生的二次污染,合金返回料中氧氮含量,使合金組織和力學(xué)性能。選用的兩種復(fù)合鹽凈化劑,可有效G4169和K418返回料合金中氧氮化物夾雜,使G4169返回料的氧氮含量達(dá)到新料的水平,在鎳基高溫合金返回料的凈化和成分調(diào)控方面取得新的進(jìn)展。為鎳基高溫合金返回料的凈化提供了新的思路和有效技術(shù)手段,具有重要的理論和實際意義。
HastelloyB-3無縫管規(guī)格熱處理對葉片微結(jié)構(gòu)演變規(guī)律研究表明:固溶處理后,枝晶干和枝晶間界限變的較為模糊,但還是有較清晰的分界,元素偏析有所減輕,γ’相及枝晶間γ/γ’共晶組織,析出的不規(guī)則的γ’相,隨著葉片壁厚,殘余共晶增多,γγ’相尺寸增大。再經(jīng)時效處理后,γ’相尺寸分布集中,尺寸差異,形貌規(guī)則,立方度,Y基體通道中析出分布不規(guī)則、的三次γ’相。葉片榫頭再結(jié)晶行為研究表明:不同載荷下的DD5單晶試樣經(jīng)1230℃/4h,ac熱處理后,隨著載荷,受載荷影響區(qū)域深度,該區(qū)域枝晶間空間增大,未溶解的共晶組織周圍彌散分布大量與γ相共格的γ’相顆粒物,γ’相粒子以胞狀形式重新析出,尺寸和深度隨載荷的增大而;經(jīng)1315℃/4h, ac.熱處理后發(fā)生再結(jié)晶現(xiàn)象,隨著載荷再結(jié)晶區(qū)域增大,受載荷影響區(qū)域的枝晶干發(fā)生鈍化,枝晶干與枝晶間界限消失,再結(jié)晶晶粒間存在γ/γ’共晶組織。分析認(rèn)為,修復(fù)態(tài)試樣修復(fù)區(qū)在磁場攪拌作用下的液態(tài)金屬的對流作用了Les相含量,顯微硬度,但修復(fù)區(qū)Les相含量偏少,顯微硬度值不大;而合金元素被磁場作用后,枝晶干Nb元素固溶含量,時效熱處理后,修復(fù)區(qū)枝晶干區(qū)域析出強化相γ″數(shù)量,顯微硬度值顯著。室溫拉伸性能分析表明,激光修復(fù)G4169合金試樣的抗拉強度隨磁場強度的呈現(xiàn)先增大后減小的變化規(guī)律。未施加電磁攪拌條件下,材料抗拉強度為889.2MPa,延伸率為16.1%,當(dāng)磁場強度為2.0T,磁場為100z時,修復(fù)件抗拉強度達(dá)到1045.2MPa,其延伸率達(dá)到22.7%;當(dāng)沉積態(tài)試樣經(jīng)過時效熱處理后,未施加電磁攪拌條件下,材料抗拉強度為1271.2MPa,延伸率為13.2%,在磁場強度為2.0T,磁場為100z時,抗拉強度達(dá)到大值,修復(fù)件抗拉強度達(dá)到1487.8MPa,其延伸率達(dá)到14.1%,抗拉強度和延伸率性能均接近鍛件熱處理。近些年研究結(jié)果表明,在某些高溫合金中加入適當(dāng)含量的P元素,能顯著合金的持久及蠕能。因此,關(guān)于P的作用研究成為。但由于高溫合金中的合金元素種類多至十余種,使得P的作用及機理研究復(fù)雜。因此,本文并未選用現(xiàn)有牌號的高溫合金,而是設(shè)計了更便于研究的新合金體系。首先,在綜合分析確定Ni-Cr系合金及Ni-Cr-Fe系合金基體均為γ相的前提下,Ni、Fe含量的例。其次,合金中除了加入P以及少量用于強化晶界的C外,不加入Al、Ti、Nb等強化元素,排除γ’及γ"相的。后,通過合金中的P含量,對分析P與主要基體強化元素間的交互作用,為深入了解P在合金基體中的強化機理,合金使用性能以及發(fā)展新合金提供可參考的及途徑。本文首先研究了 P對Ni-Cr系合金的鑄態(tài)組織,軋態(tài)組織以及不同熱處理條件下力學(xué)性能的影響。
羽-柱狀7YSZ涂層平均熱震壽命(208次)是層狀7YSZ涂層(139次)的1.5倍。隨著噴距,羽-柱狀7YSZ涂層孔隙率,應(yīng)變?nèi)菹?從而涂層的抗熱震性能。5.羽-柱狀結(jié)構(gòu)7YSZ涂層等效電路由四個串聯(lián)的R-C電路組成。對噴涂態(tài)涂層阻抗譜分析表明,隨著溫度的升高,阻抗譜中容抗弧數(shù)量,YSZ晶界電阻值(y)與孔隙率(x)存在指數(shù)關(guān)系y=(1.3)x+1.43×103。高溫氧化阻抗譜分析表明TGO層在高溫氧化50h后發(fā)生致密化使得TGO層電阻率,氧化中涂層表面形成的燒結(jié)收縮裂紋是YSZ晶界電容值不斷下降、電阻值不斷的主要原因;而二次柱狀晶的熔融燒結(jié)(即二次柱狀晶界減小),是YSZ層電容值下降、電阻值的主要因素。熱沖擊阻抗譜分析表明,隨著熱沖擊的,TGO層電阻值增大,電容值減小,表明TGO層在熱沖擊中不斷生長。熱沖擊對二次柱狀納米晶粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)無明顯影響,但在涂層表面燒結(jié)而成的收縮裂紋會造成YSZ晶界電阻值和電容值減小。316不銹鋼和Inconel625合金在氯化物熔鹽中,基體表面氧化膜與熔鹽反應(yīng)生成的,穿過氧化膜到達(dá)氧化膜/基體界面與基體反應(yīng)生成金屬氯化物,金屬氯化物向外逸出,到達(dá)氧化膜/基體界面處氧壓較高的地方又生成,繼續(xù)向里滲入,形成循環(huán),造成基體材料的不斷腐蝕。(3)316不銹鋼表面制備的Ni-SiC復(fù)合鍍層,具有較高的硬度和耐磨性,在氯化物熔鹽中的極化曲線具有明顯的鈍化征,表明其在氯化物熔鹽中具有很好的耐蝕性,當(dāng)SiC含量為40g/L時,耐蝕性佳。在進(jìn)一步涂層致密度和與基體粘結(jié)性能的基礎(chǔ)上,Ni-SiC復(fù)合鍍層有望應(yīng)用于太陽能熱發(fā)電氯化物熔鹽腐蝕防護(hù)領(lǐng)域。連接體作為固體氧化物燃料電池(SOFC)的重要組件之一,不僅起著連接電池陰陽極、隔絕陰陽極、導(dǎo)通電流等作用,而且與電池的成本、作效率、使用壽命均密切相關(guān)。作為SOFC的連接體材料不僅要具有與電池其他組件相匹配的熱系數(shù)(CTE),良好的抗高溫氧化性能和高溫導(dǎo)電性能,而且應(yīng)具有成本低廉、易于加等點。隨著SOFC技術(shù)的發(fā)展,其作溫度從初的1000 ℃降至600-800 ℃,目前,商業(yè)合金中適合用作連接體材料的是鐵素體不銹鋼。但仍需解決兩個問題:一是高溫下Cr元素?fù)]發(fā)至電池陰極電池效率;二是富Cr氧化膜增長面電阻增大。