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北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號Pioneer 180 PED System
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地北京市
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更新時間:2024-04-23 14:47:35瀏覽次數(shù):629次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)脈沖電子束沉積系統(tǒng)是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對靶材的非平衡提?。疲┦沟入x子體的組成與靶材的化學(xué)計量組成*。在一定條件下,靶材的化學(xué)計量與沉積薄膜的保持*。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用PED 技術(shù)沉積各自的薄膜。
產(chǎn)品簡介
脈沖電子束沉積(Pulsed Electron Deposition)系統(tǒng)能發(fā)射高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。在靶材上的非平衡提?。疲┠苁沟入x子體的組成與靶材的化學(xué)計量組成一致。在最\佳條件下,靶材的化學(xué)計量與沉積薄膜可以保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用PED 技術(shù)沉積各自的薄膜。
產(chǎn)品特點
* 獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED
* 外延薄膜沉積,多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)(heterostructures)與超晶格
* 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容
* 升級選項:離子輔助PED, 連續(xù)組份沉積PED, 進(jìn)樣系統(tǒng)load-lock
* 可附加的沉積源:脈沖激光與射頻/ 直流濺射
* 集成XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng),原位高真空基片傳送系統(tǒng)
脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED沉積的代表性材料示例
* 高溫超導(dǎo)(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
* 順電(Ba-SrTiO3) 薄膜
* 金屬氧化物(SrRuO3) 薄膜
* 隔熱/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜
* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜
技術(shù)指標(biāo)
真空腔 | 18" 直徑的球形腔體 8"CF 窗口 6.75"CF PED 源窗口 3 個6"CF 窗 額外的2.75" 與1.33"CF 窗口 | PED源 | 電子槍能量:8-20 keV 脈沖能量:大能量800 mJ 小能量100 mJ 工藝氣體壓強: 3-20 mTorr 工藝氣體: 氧氣,氮氣,氬氣 脈沖能量變化: ±10% 脈沖寬度: 100 ns 大重復(fù)率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV 小束截面: 8 x10-2 cm2 大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 Z 向?qū)?zhǔn)范圍: 50 mm XY 向?qū)?zhǔn)范偉: +/- 20 mm 火花塞壽命 ~3x107 脈沖 |
基片加熱器 | 大直徑2",小10x10mm2 大溫度:850 ℃ 基片旋轉(zhuǎn):1-30 RPM(360° 旋轉(zhuǎn)) 基片加熱器:兼容1 個大氣壓的氧壓 加熱器溫度通過可編程的PID 控制 | ||
多靶材旋轉(zhuǎn)臺 | 6 個1" 的靶材或3 個2" 的靶材 靶材旋轉(zhuǎn):360° 連續(xù)旋轉(zhuǎn)(1-20 RPM) 靶材柵格式掃描 *的靶材柵格化燒蝕方案 靶材索引,鍍多層薄膜 靶材高度可調(diào) 靶材擋板避免靶材間的交叉污染 提供連續(xù)組成擴展/ 組合PED 的能力 | PED系統(tǒng)軟件 | Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加熱臺 控制靶材公轉(zhuǎn)臺 控制真空泵 控制質(zhì)量流量計? 外部的PED 源觸發(fā)器 可選的工藝自動化選項 |
真空泵 | 干泵,渦輪分子泵 本底真空壓強:標(biāo)準(zhǔn)配置8 x 10-8 Torr 渦輪分子泵轉(zhuǎn)速由軟件控制 |
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