脈沖電子束沉積系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號Pioneer 180 PED System

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更新時間：2024-04-23 14:47:35瀏覽次數(shù)：629次

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產(chǎn)品簡介

脈沖電子束沉積系統(tǒng)是高能脈沖（100ns）電子束（約1000 A,15 keV）在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對靶材的非平衡提?。疲┦沟入x子體的組成與靶材的化學(xué)計量組成*。在一定條件下，靶材的化學(xué)計量與沉積薄膜的保持*。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用PED 技術(shù)沉積各自的薄膜。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡介

脈沖電子束沉積（Pulsed Electron Deposition）系統(tǒng)能發(fā)射高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。在靶材上的非平衡提?。疲┠苁沟入x子體的組成與靶材的化學(xué)計量組成一致。在最\佳條件下，靶材的化學(xué)計量與沉積薄膜可以保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用PED 技術(shù)沉積各自的薄膜。

產(chǎn)品特點

* 獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED
* 外延薄膜沉積，多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)（heterostructures）與超晶格
* 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容
* 升級選項：離子輔助PED, 連續(xù)組份沉積PED, 進(jìn)樣系統(tǒng)load-lock
* 可附加的沉積源：脈沖激光與射頻/ 直流濺射
* 集成XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng)，原位高真空基片傳送系統(tǒng)

脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED沉積的代表性材料示例
* 高溫超導(dǎo)(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
* 順電(Ba-SrTiO₃) 薄膜
* 金屬氧化物(SrRuO₃) 薄膜
* 隔熱/ 音玻璃(SiO₂) 膜和Al₂O₃ 膜
* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜

技術(shù)指標(biāo)

真空腔	18" 直徑的球形腔體 8"CF 窗口 6.75"CF PED 源窗口 3 個6"CF 窗額外的2.75" 與1.33"CF 窗口	PED源	電子槍能量：8-20 keV 脈沖能量：大能量800 mJ 小能量100 mJ 工藝氣體壓強: 3-20 mTorr 工藝氣體: 氧氣，氮氣，氬氣脈沖能量變化: ±10% 脈沖寬度: 100 ns 大重復(fù)率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV 小束截面: 8 x10-2 cm2 大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 Z 向?qū)?zhǔn)范圍: 50 mm XY 向?qū)?zhǔn)范偉: +/- 20 mm 火花塞壽命 ~3x107 脈沖
基片加熱器	大直徑2"，小10x10mm2 大溫度：850 ℃ 基片旋轉(zhuǎn)：1-30 RPM（360° 旋轉(zhuǎn)）基片加熱器：兼容1 個大氣壓的氧壓加熱器溫度通過可編程的PID 控制
多靶材旋轉(zhuǎn)臺	6 個1" 的靶材或3 個2" 的靶材靶材旋轉(zhuǎn)：360° 連續(xù)旋轉(zhuǎn)(1-20 RPM) 靶材柵格式掃描 *的靶材柵格化燒蝕方案靶材索引，鍍多層薄膜靶材高度可調(diào) 靶材擋板避免靶材間的交叉污染提供連續(xù)組成擴展/ 組合PED 的能力	PED系統(tǒng)軟件	Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加熱臺控制靶材公轉(zhuǎn)臺控制真空泵控制質(zhì)量流量計? 外部的PED 源觸發(fā)器可選的工藝自動化選項
真空泵	干泵，渦輪分子泵本底真空壓強：標(biāo)準(zhǔn)配置8 x 10-8 Torr 渦輪分子泵轉(zhuǎn)速由軟件控制

關(guān)鍵詞：PID 質(zhì)量流量計

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