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型號
M3S0-4GSJDCPC
品牌
廠商性質(zhì)
代理商
所在地
北京市

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更新時間：2022-03-08 11:00:45瀏覽次數(shù)：359次

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產(chǎn)品分類品牌分類

內(nèi)存條

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡介

innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G 1600筆記本
嵌入式系統(tǒng)系列
我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標準，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。

詳情介紹

innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G 1600筆記本

嵌入式系統(tǒng)系列

我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標準，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。

產(chǎn)品特色

•小型 DIMM
•經(jīng)過充分測試和優(yōu)化的穩(wěn)定性和性能
•使用原始集成電路以滿足嚴格的行業(yè)標準
• jedec 標準1.5 v (1.425 v ~ 1.575 v)和1.35 v (1.28 v ~ 1.45 v)
•操作環(huán)境: 0 ° c ~ 85 ° c
• rohs 符合性
• ce/fcc 認證

DDR3 筆記本內(nèi)存（小外框）是一種緊湊的工業(yè)標準內(nèi)存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動化設(shè)置中。DDR3筆記本內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標準，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。

規(guī)格：

規(guī)格	DDR3 筆記本
bbbb Factor	SODIMM
主頻	1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
容量：	1GB, 2GB, 4GB, 8GB
特色	Non-ECC
針腳	204pin
bbbbb	64Bits
電壓	1.5V, 1.35V
PCB 厚度	1.18 Inches
工作溫度：	0°C to 85°C

產(chǎn)品料號：miaoliwei 1314651 2271

4GB	1866MT/s	2	2	M3S0-4GSV0CQE
4GB	1600MT/s	2	2	M3S0-4GSV0CPC
4GB	1333MT/s	2	2	M3S0-4GSV0CN9
4GB				M3S0-4GMV0CQE
4GB				M3S0-4GMV0CPC
4GB				M3S0-4GMV0CN9
4GB				M3S0-4GSJDCQE
4GB				M3S0-4GSJDCPC
4GB				M3S0-4GSJDCN9
4GB				M3S0-4GSJDCM7
4GB				M3S0-4GSJDCL6
4GB				M3S0-4GMJDCQE
4GB				M3S0-4GMJDCPC
4GB				M3S0-4GMJDCN9
4GB				M3S0-4GSSCCQE
4GB				M3S0-4GSSCCPC
4GB				M3S0-4GSSCCN9
4GB				M3S0-4GMSCCQE
4GB				M3S0-4GMSCCPC
4GB				M3S0-4GMSCCN9

4GB						M3S0-4GSJDLQE
4GB						M3S0-4GSJDLPC
4GB						M3S0-4GSJDLN9
4GB						M3S0-4GSJDLM7
4GB						M3S0-4GSJDLL6
4GB						M3S0-4GMJDLQE
4GB						M3S0-4GMJDLPC
4GB						M3S0-4GMJDLN9
4GB						M3S0-4GSV0LQE
4GB						M3S0-4GSV0LPC
4GB						M3S0-4GSV0LN9
4GB						M3S0-4GMV0LQE
4GB						M3S0-4GMV0LPC
4GB						M3S0-4GMV0LN9
4GB						M3S0-4GSSCLQE
4GB						M3S0-4GSSCLPC
4GB						M3S0-4GSSCLN9
4GB						M3S0-4GMSCLQE
4GB						M3S0-4GMSCLPC
4GB						M3S0-4GMSCLN9

DDR3 是一種電腦存儲器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM(四倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器)的后繼者(增加至八倍)。

折疊降低功耗

DDR3內(nèi)存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗，當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個平衡，對比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比上代更好。

考慮服務(wù)器與工業(yè)級內(nèi)存需能承受全天候運作的工作負載， DDR4-2933/3200工業(yè)級內(nèi)存采用好質(zhì)量等級原廠DRAM IC，具長期穩(wěn)定供貨與固定組件優(yōu)勢，同時支持抗硫化技術(shù)應(yīng)用，可為常于污染或嚴苛環(huán)境運作的邊緣設(shè)備，提供抗硫化內(nèi)存產(chǎn)品。上市的DDR4-2933/3200工業(yè)級內(nèi)存包含UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM與ECC SODIMM等規(guī)格。