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      北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司

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      Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡
      參考價(jià): 面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 產(chǎn)品型號(hào)
      • 品牌
      • 其他 廠商性質(zhì)
      • 所在地

      訪問次數(shù):262更新時(shí)間:2023-03-05 19:58:42

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      產(chǎn)品簡(jiǎn)介
      Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡
      產(chǎn)品介紹

            新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計(jì),可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是挑戰(zhàn)性的樣品。


            Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn):的材料對(duì)比度,、、確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。

        半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù):





        Helios 5 CX

        Helios 5 HP

        Helios 5 UX

        Helios 5 HX

        Helios 5 FX

         

        樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像

        最終樣品制備 (TEM薄片,APT)

        STEM 亞納米成像與樣品制備

        SEM

        著陸電壓

        20 eV~30 keV

        20 eV~30 keV

        分辨率

        0.6 nm@15 keV

        1.0 nm@1 keV

        0.6 nm@2 keV

        0.7 nm@1 keV

        1.0 nm@500 eV

        STEM

        分辨率@30 keV

        0.7 nm

        0.6 nm

        0.3 nm

        FIB制備過程

        材料去除束流

        65 nA

        100 nA

        65 nA

        最終拋光電壓

        2 kV

        500 V

        TEM樣品制備

        樣品厚度

        50 nm

        15 nm

        7 nm

        自動(dòng)化

        樣品處理

        行程

        110×110×65 mm

        110×110×65 mm

        150×150×10 mm

        100×100×20 mm

        100×100×20 mm+5軸(STEM Compustage

        快速進(jìn)樣器

        手動(dòng)

        自動(dòng)

        手動(dòng)

        自動(dòng)

        自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM 樣品






        材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù):


         

         

        Helios 5 CX

        Helios 5 UX

        離子光學(xué)

         

        具有越的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

        具有越的大流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒

        離子束電流范圍

        1 pA – 100 nA

        1 pA – 65 nA

        加速電圧

        500 V – 30 kV

        500 V – 30 kV

        水平視場(chǎng)寬度

        束重合點(diǎn)0.9 mm

        束重合點(diǎn)0.7 mm

        離子源壽命

        1,000 小時(shí)

        1,000 小時(shí)

         

        兩級(jí)差分抽吸

        兩級(jí)差分抽吸

        飛行時(shí)間校準(zhǔn)

        飛行時(shí)間校準(zhǔn)

        15孔光闌

        15孔光闌

        電子光學(xué)

        Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

        Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

        磁浸沒物鏡

        磁浸沒物鏡

        高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

        高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

        電子束分辨率

        工作距離下

        0.6 nm @ 30 kV STEM

        0.6 nm @ 30 kV STEM

        0.6 nm @ 15 kV

        0.7 nm @ 1 kV

        1.0 nm @ 1 kV

        1.0 nm @ 500 V (ICD)

        0.9 nm @ 1 kV 減速模式*

         

        在束流重合點(diǎn)

        0.6 nm @ 15 kV

        0.6 nm @ 15 kV

        1.5 nm @ 1 kV 減速模式*  DBS*

        1.2 nm @ 1 kV

        電子束參數(shù)

        電子束流范圍

        0.8 pA ~ 176 nA

        0.8 pA ~ 100 nA

        加速電壓范圍

        200 V ~ 30 kV

        350 V ~ 30 kV

        著陸電壓

        20 eV ~ 30 keV

        20 eV ~ 30 keV

        水平視場(chǎng)寬度

        2.3 mm @ 4 mm WD

        2.3 mm @ 4 mm WD

        探測(cè)器

        Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (TLD-SE, TLD-BSE)

        Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (ICD)*

        Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測(cè)器 (MD)*

        樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測(cè)器 (ETD)

        紅外相機(jī)

        高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測(cè)器 (SE)*

        樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機(jī)*

        可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測(cè)器 (DBS)*

        可伸縮STEM 3+ 探測(cè)器*

        電子束流測(cè)量

        樣品臺(tái)和樣品

        樣品臺(tái)

        高度靈活五軸電動(dòng)樣品臺(tái)

        壓電陶瓷驅(qū)動(dòng) XYR 軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái)

        XY

        110 mm

        150 mm

        Z

        65 mm

        10 mm

        R

        360° (連續(xù))

        360° (連續(xù))

        傾斜

        -15° ~ +90°

        -10° ~ +60°

        樣品高度

        與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 85 mm

        與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 55 mm

        樣品質(zhì)量

        樣品臺(tái)任意位置 500 g

        樣品臺(tái)任意位置 500 g

         0° 傾斜時(shí) 5 kg

        樣品尺寸

        直徑 110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

        直徑 150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

         

        優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

        優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜




        更易于使用:

        Helios 5 對(duì)所有經(jīng)驗(yàn)水平用戶而言都是最容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天,其系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作人員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。


        提高了生產(chǎn)率:

        Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的*自動(dòng)化功能,增強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


        改善時(shí)間和結(jié)果:
        Helios 5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH (閃調(diào))技術(shù)。借助 FLASH 技術(shù),您只需在用戶界面中進(jìn)行簡(jiǎn)單的鼠標(biāo)操作,系統(tǒng)即可“實(shí)時(shí)"進(jìn)行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡(jiǎn)化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言,F(xiàn)LASH 技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時(shí)間最多縮短 10 倍。


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