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      西安立鼎光電科技有限公司

      中級(jí)會(huì)員·8年

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      13379509417

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      LD-S / S -025雙色探測(cè)器
      參考價(jià): 面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • LD-S / S -025 產(chǎn)品型號(hào)
      • 品牌
      • 代理商 廠商性質(zhì)
      • 西安市 所在地

      訪問(wèn)次數(shù):3863更新時(shí)間:2023-08-18 08:26:53

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      劉丹

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      光電探測(cè)器

      高品質(zhì)相機(jī)

      激光測(cè)距系列

      通用測(cè)試測(cè)量?jī)x器設(shè)備

      專用測(cè)試設(shè)備

      目標(biāo)模擬器

      光纖滑環(huán)

      微光管

      光學(xué)鏡頭及附件

      THz系列

      紅外熱像儀及組件

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      劉丹
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      產(chǎn)品簡(jiǎn)介
      雙色探測(cè)器每個(gè)探測(cè)器都有不同的光譜響應(yīng)率,裝在一個(gè)類似三明治結(jié)構(gòu)的裝置里。這樣的幾何結(jié)構(gòu),頂部不僅有正常工作特性的探測(cè)器,還可作為一個(gè)長(zhǎng)波帶通濾光片通過(guò)底部的探測(cè)器。所涉及的材料有:硅和硅、銦鎵砷和銦鎵砷、紫外硅和銦鎵砷、硅和銦鎵砷、紫外硅和擴(kuò)展型銦鎵砷(有制冷型)、硅和鍺、紫外硅和鍺、硅和砷化銦、紫外硅和砷化銦、硅和硫化鉛(有制冷型)、紫外硅和硫化鉛(有制冷型)、硅和硒化鉛、紫外硅和硒化鉛。
      產(chǎn)品介紹

      雙色探測(cè)器簡(jiǎn)介

      每個(gè)探測(cè)器都有不同的光譜響應(yīng)率,裝在一個(gè)類似三明治結(jié)構(gòu)的裝置里。這樣的幾何結(jié)構(gòu),頂部不僅有正常工作特性的探測(cè)器,還可作為一個(gè)長(zhǎng)波帶通濾光片通過(guò)底部的探測(cè)器。所涉及的材料有:硅和硅、銦鎵砷和銦鎵砷、紫外硅和銦鎵砷、硅和銦鎵砷、紫外硅和擴(kuò)展型銦鎵砷(有制冷型)、硅和鍺、紫外硅和鍺、硅和砷化銦、紫外硅和砷化銦、硅和硫化鉛(有制冷型)、紫外硅和硫化鉛(有制冷型)、硅和硒化鉛、紫外硅和硒化鉛。

      產(chǎn)品包括室溫雙色、一級(jí)制冷雙色、二級(jí)制冷雙色

      室溫雙色探測(cè)器室溫參數(shù)

       

       

      type

      Active

      Dia.(mm)

      OperatingWavelength (um)

      Shunt

      Resistanve

      (Ω) typ

      Shunt Capacitance

      (pF),tpy

       NEP

       

      Responsivity

      @850nm

      (A/W)

      LD-S / S -025

      Si         2.5                                                 

      0.3-1.0

      200M min,500M

      600

      <10-14@850nm

      0.5@850nm

      Si         2.5

      1.0-1.1

      2G min,5G

      500

      <10-14@1050nm

      0.1@1050nm

      LD-IGA/ IGA-020

      InGaAs    2.0                                          

      0.9-1.7

      10M min@0V

      500

      <5 x 10-14@1.3nm

      0.9@1300nm

      InGaAs    2.0

      1.7

      10M min@0V

      500

      <1x10-12@1.75nm

      0.05@1.75nm

      LD-S/IGA-025/020

      Si         2.5

      0.3-1.0

      500M min@0V

      200

      <1x10-14@850nm

      0.6@850nm

      InGaAs    2.0

      1.0-1.7

      10M min@0V

      400

      <1x10-13@1300nm

      0.6@1300nm

      LD-UVS/IGA-025/010

      Si         2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.6@850nm

      InGaAs    1.0

      1.0-1.7

      200M min@0V

      90

      <1.5x10-14@1300nm

      0.6@1300nm

      LD-UVS/IGA-025/020

      UVS      2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.6@850nm

      InGaAs    2.0

      1.0-1.7

      10M min@0V

      400

      <1x10-13@1300nm

      0.6@1300nm

      LD-S/IGA-050/030

      Si          5

      0.3-1.0

      200M

      1500

      <1.5x10-14

      0.5@900nm

      InGaAs     3

      1.0-1.7

      5M

      1000

      <1.5x10-13

      0.6@1300nm

      LD-UVS/IGA-050/030

      Si          5

      0.2-1.0

      50M

      1000

      <3.0x10-14

      0.5@900nm

      InGaAs     3

      1.0-1.7

      5M

      1000

      <1.5x10-13

      0.6@1300nm

      LD-S/IGA2.2-025/010

      Si         2.5                                                  

      0.3-1.0

      500Mmin,0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55@850nm

      Ex-InGaAs  1.0

      1.2-2.6

      >3k

      300

      <1x10-11@2200nm

      0.50@2200nm

      LD-UVS/IGA2.2-025/010

      UV Si      2.5                                       

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.50@850nm

      Ex-InGaAs  1.0

      1.2-2.6

      >3k

      300

      <1x10-11@2200nm

      0.50@2200nm

      LD-S/G-025/020

      Si         2.5

      0.3-1.0

      500M min@0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55@850nm

      Ge        2.0

      1.0-1.7

      90k min@0V

      9000

      <7x10-13@1500nm

      0.6@1500nm

      LD-UVS/G-025/020

      UVS      2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.5@850nm

      Ge        2.0

      1.0-1.7

      90k min@0V

      900

      <7x10-13@1500nm

      0.6@1500nm

      LD-S/G-050

      Si         5

      0.3-1.0

      200M

      1500

      <1.5x10-14

      0.5@900nm

      Ge        5

      1.0-1.8

      5k

      30000

      <2.5x10-12

      0.6@1500nm

      LD-UVS/G-050

      UVSi      5

      0.2-1.0

      50M

      1000

      <3.0x10-14

      0.5@900nm

      Ge        3

      1.0-1.8

      15k

      30000

      <2.5x10-12

      0.6@1500nm

      LD-S/IA-025/020

      Si        2.5

      0.3-1.0

      500Mmin,0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55@850nm

      InAs      2.0

      1.0-3.4

      >10

      1200

      <1x10-10@3200nm

      0.50@3200nm

      LD-UVS/IA-025/020

      UV Si    2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.50@850nm

      InAs     2.0

      1.0-3.4

      >10

      1200

      <1x10-10@3200nm

      0.50@3200nm

      LD-S/PBS-025 /020

      Si       2.5

      0.3-1.0

      500M min@0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55A/W@850nm

      PBS     2.0

      1.0-2.8

      0.5-2.0M

       

      <4x10-12@2600nm

      105V/W@1500nm

      LD-UVS/PBS-025/020

      UVS     2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.50A/W@850nm

      PBS     2.0

      1.0-1.8

      0.5-2.0M

       

      <4x10-12@2600nm

      105V/W@2600nm

      LD-S/PBS-025 /020

      Si       2.5

      0.3-1.0

      500Mmin@0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55A/W@850nm

      PBS     2.0

      1.0-2.8

      0.5-2.0M

       

      <4x10-12@2600nm

      105V/W@1500nm

      LD-UVS/PBS-025/020

      UVS     2.5

      0.2-1.0

      200M min@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.50A/W@850nm

      PBS      2.0

      1.0-1.8

      0.5-2.0M

       

      <4x10-12@2600nm

      105V/W@2600nm

      LD-S/PBSE-025/020

      Si        2.5                                                      

      0.3-1.0           

      500Mmin@0V

      400

      <1x10-14@850nm

      0.55@850nm

      PbSe     2.0            

      1.0-4.5

      0.3-1.0M

       

      <7x10-11@4200nm

      >2000V/W@4200nm

      LD-UVS/PBSE-025/020

      UV Si    2.5                                               

      0.2-1.0            

      200Mmin@0V

      300

      <1.5x10-14@850nm

      0.50A/W@850nm

      PbSe     2.0

      1.0-4.5

      0.3-1.0M

       

      <7x10-11@4200nm

      >2000V/W@4200nm

      LD-S/PBSE-050

      Si        5

      0.3-1.0

      200Mmin@0V

      1500

      <1.5x10-14

      0.55A/W@900nm

      PbSe     5

      1.0-4.5

      0.2-1.0M

       

      <5x10-10@4200nm

      >500V/W@4200nm

      LD-UVS/PBSE-050

      UVS     5

      0.2-1.0

      50M

      1000

      <3.0x10-14

      0.55A/W@800nm

      PbSe     5

      1.0-4.5

      0.2-1.0M

       

      <5x10-10@4200nm

      500V/W@4200nm

       

      LD-S/IGA-010/010

      Si       1.5*2

      0.3-1.0

      200/500

      200

      <1.0x10-14@850nm

      0.60@850nm

      InGaAs    1.0

      1.0-1.7

      100/200

      100

      <1.0x10-14@1300nm

      0.90@1300nm

       

      LD-S/IGA-025/010

       

       

       

      Si         2.5

      0.3-1.0

      500Mmin@0V

      200

      <1.0x10-14@850nm

      0.60@850nm

      InGaAs    1.0

      1.0-1.7

      100Mmin@0V

      100

      <2x10-14@1300nm

      0.60@1300nm

       

      LD-S/IGA-025/030

       

      Si         2.5

      0.3-1.0

      500Mmin@0V

      200typ

      <1.0x10-14@850nm

      0.60@850nm

      InGaAs    3.0

      1.0-1.7

      5Mmin@0V

      400typ

      <2x10-14@1300nm

      0.60@1300nm

       

      LD-UVS/IGA-050/050

      UVSi       5.0

      0.2-1.0

      50M

      1000typ

      <3.0x10-14

      0.50@900nm

      InGaAs    5.0

      1.0-1.7

      0.5M

      1500typ

      <2.0x10-14

      0.60@1300nm

       

      LD-UVS/G-050/030

      UVSi       5.0

      0.20-1.0

      50M

      1000typ

      <3.0x10-14

      0.50@900nm

      Ge       3.0

      1.0-1.8

      40K

      4000typ

      <1.0x10-12

      0.60@1500nm

       

      LD-UVS/G-100

      UVSi       10

      0.20-1.0

      50M min,100M typ

      1000typ

      <3.0x10-14

      0.50@900nm

      Ge       10*10

      1.0-1.8

      2k min,4k typ

      40000typ

      <6.0x10-12

      0.60@1500nm

       

      LD-S/PBS-100

      UVSi       10

      0.3-1.0

      200M

      1500

      <1.5x10-14

      0.55@900nm

      PBS      10*10

      1.0-2.8

      0.2-1.0M

      N/A

      <1.5x10-11@2600nm

      20000V/W@2600nm

       

      LD-UVS/PBS-050

      UVSi       5

      0.2-1.0

      50M

      1000

      <3.0x10-14

      0.55@800nm

      PBS      5*5

      1.0-2.8

      0.2-1.0M

      N/A

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