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- LD-InGaAs-010-QD 產(chǎn)品型號
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- 西安市 所在地
訪問次數(shù):5934更新時間:2023-08-17 21:03:06

劉丹

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我司有多種四象限探測器,包括用在紫外波段的硅探測器和用在紅外波段的銦鎵砷探測器,這些探測器是在一塊芯片上封裝了四個單獨的感光面(四個獨立的陽極共用一個陰極),這類探測器接收光信號時可以在中心位置接收到強的信號,因為每一個單獨光敏面類似于一個單獨的探測器可以接收不同電壓的寬光譜或者接收一個比較寬范圍的電信號,和一些非PSD探測器不同需要有高電壓和穩(wěn)定的頻率;NEP值和探測率、線寬之間的轉換可以通過四個象限的電信號處理來保證性能。
用四象限探測器作為定位傳感器是有一些復雜,但是兩維的定位傳感是可行的方式,只要光束能夠覆蓋在四個光敏面上。一旦在某一個光敏面上有光信號就可以以幾何形式被檢測到,當然終的結果是和光斑大小和形狀有關系;如果光斑很小只能在某一個光敏面上顯示那么整個定位信息就不會準確。
橫向偏移二分之一光斑的時候就會出現(xiàn)這種情況。所以光斑大小和探測器大小之間的匹配就很關鍵。其他需要考慮的就是光束的位置、象元間距和雜散光的處理。
需要說明的是我司InGaAs 四象限探測器是集成了四路信號放大器,可以提供四路的模擬電壓輸出。增益值可以進行調節(jié),從高探測率低頻率測量到低增益寬帶寬,詳細指標參照產(chǎn)品具體信息。
InGaAs 四象限探測器指標:
型號 | LD-InGaAs-010-QD | LD-InGaAs-020-QD | LD-InGaAs-030-QD |
Active Diameter (mm) ,Overall | 1.0 | 2.0 | 3.0 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 |
Shunt Resistance(Ω) (Each Quadrant) | >100M | >60M | >30M |
Shunt Capacitance (pF) (Each Quadrant) | 40typ | 100typ | 200typ |
Element Spacing | <35 microns | <100 microns | 20micronstyp;45 microns max |
Responsivity @1.3μm (A/W) | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
Crosstalk | <1% | <1% | <1% |