国产强伦姧在线观看无码,中文字幕99久久亚洲精品,国产精品乱码在线观看,色桃花亚洲天堂视频久久,日韩精品无码观看视频免费

      行業(yè)產(chǎn)品

      • 行業(yè)產(chǎn)品

      西安易恩電氣科技有限公司


      當前位置:西安易恩電氣科技有限公司>>IGBT試驗臺>>IGBT試驗臺系列

      IGBT試驗臺系列

      返回列表頁
      參  考  價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準

      產(chǎn)品型號

      品       牌

      廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

      所  在  地西安市

      聯(lián)系方式:李想查看聯(lián)系方式

      更新時間:2018-06-01 10:58:12瀏覽次數(shù):460次

      聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)

      經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

      商鋪產(chǎn)品:20條

      所在地區(qū):陜西渭南市

      聯(lián)系人:李想 (經(jīng)理)

      產(chǎn)品簡介

      該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。

      詳細介紹

      IGBT試驗臺系列

       

      高溫阻斷試驗臺

       

       

      阻斷(或反偏)耐久性試驗是在一定溫度下,對半導體 器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規(guī)定的時間,從而對器件進 行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。        

      一般情況下,此項試驗是對器件在結(jié)溫(Tjm ℃)和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下,進行規(guī)定時間的 試驗,并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù),確認是否通過, 同時獲 取相關(guān)試驗數(shù)據(jù)。       

      該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求??晒┌雽w器件配以適當?shù)臏囟瓤煽匮b置, 作交流阻斷(或反偏)耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反 偏耐久性試驗、高溫漏電流測試(HTIR)和老煉篩選。

      系統(tǒng)組成

      漏電流保護回路 試驗電壓保護回路

      在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲,當試品在試驗期內(nèi)發(fā) 生劣化或突然擊穿或轉(zhuǎn)折,保險絲將熔斷,設(shè)備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警,同時蜂鳴器報警提示。

      試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元,通過峰保器輸出與電 壓設(shè)定值比較,當試驗電壓高于電壓保護設(shè)定值時,過壓報警器響, 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。

      高壓回路

      電特性參數(shù)測試回路 試驗電壓 試品漏電流

      由電源開關(guān)、控制繼電器、自藕調(diào)壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成,產(chǎn)生規(guī)定的試驗電壓并通過組合高壓線排,接入試品工位。

      由電壓取樣回路,經(jīng)采集、保持 電路送到設(shè)備的數(shù)字電壓表顯示;

      對每一試品漏電流獨立采樣,通 過設(shè)備上的波段開關(guān)分別進行轉(zhuǎn) 換,傳送到數(shù)字電流表顯示。

      技術(shù)指標

      試驗電壓  VDRM.VRRM/VRRM   300V ~ 4000V 連續(xù)可調(diào), 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM   1.0 mA ~200.0mA

      試驗溫度

      溫度范圍:室溫~150℃;溫度均勻性125℃±3℃; 溫度波動度±0.5℃

      試驗工位  10工位 試驗容量 80×16=1280位

      加電方式

      器件試驗參數(shù)從器件庫中導入,ATTM自動加電試驗 方式,可單通道操作;老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗電壓 和上電時間程控步進加載

       

       

       

      高壓反偏試驗臺

      技術(shù)指標

      0.01mA~2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA~2mA±3%±0.1mA 測試條件: 反向電壓:直流50~5000V ±3%±10V.

      器件在特定溫度下存儲一定時間后,先測試IR ,每只 器件依次進行測試,測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR,依次采集電流。間隔時間為約100mS。

      50V~5000V ±3%±10V。 測試條件: 反向電流:0.01mA~2mA;直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA; 1mA~2mA±3%±0.1mA。

      靜態(tài)參數(shù)測試 高壓反偏測試

      測試 參數(shù) IR

      測試 參數(shù) BVR

      測試 方法

      試驗電壓: 50~5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍: 0.01mA~2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA~2mA±3%±0.1mA 測試時間:計算機設(shè)定 測試方法: 器件在特定溫度下存儲一定時間后,在設(shè)定電壓下對每只器件同 時持續(xù)加反壓進行測試,每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結(jié)果, 監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù),并保存測試數(shù)據(jù)。

      功能指標

      -50 ºC~140ºC ±1 -50℃~RT ≤±2℃(空載時) ≤±3℃(空載時) 不小于1~3℃/min(空載時) 220V±10%,50Hz±1Hz,安全接地

      試驗高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動 溫度均勻 升溫速率 供電電源

      規(guī)格

      尺       寸:1800×650×500(mm)

      質(zhì)       量:175kg

      測試工位:20工位

      工位轉(zhuǎn)換:自動切換

      耐溫范圍:-50ºC~140ºC

      基礎(chǔ)規(guī)格 設(shè)備

      高壓反偏試驗 1套 PC 機  1臺 控制軟件 1套 溫度箱 1臺

       

       

      正向壽命試驗臺

       

       

      系統(tǒng)概述

           絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,

      簡稱IGBT)作為功率開關(guān)器件,具有載流密度大、飽和壓降低等

      許多優(yōu)點,

              但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運

      行環(huán)境復雜,IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機理已進行了深入研究,在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預測技術(shù)以提高變流器運行可靠性。

      技術(shù)指標

      測試參數(shù) VF

       

      0.01~20V 0.01~10V±3%±0.01V 10~20V±3%±0.1V

      測試條件 正向電流:1mA~60A  直流方波 脈寬 50uS-1mS 工位 20只

      測試方法

      器件在特定溫度下存儲一定時間后,在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進行測試,測試間 隔時間約100mS

      其他推薦產(chǎn)品更多>>

      感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN

      智能制造網(wǎng) 設(shè)計制作,未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ? Copyright(C)?2021 http://towegas.com,All rights reserved.

      以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負責,智能制造網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。 溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

      會員登錄

      ×

      請輸入賬號

      請輸入密碼

      =

      請輸驗證碼

      收藏該商鋪

      登錄 后再收藏

      提示

      您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復您~