上海傳澤電子科技有限公司
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訪問次數(shù):985更新時間:2022-04-25 08:07:03
IXYS快恢復(fù)二極管
IXYS二極管
IXYS可控硅
MCC可控硅
IXYS整流橋
IXYSMOS管
MEO快恢復(fù)二極管
DSEI快恢復(fù)二極管
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MEO、MEK、MEA、MEE系列快恢復(fù)二極管模塊
IXYS晶體管模塊 IXYS電力半導(dǎo)體模塊 IXYS可控硅 IXYS可控硅模塊
IXYS整流橋 IXYS整流橋模塊 IXYS三相整流橋 IXYS單相整流橋
IXYS快恢復(fù)二極管 IXYS快速二極管 IXYS快恢復(fù)二極管模塊 IXYS MOSFET
IXYS MOS管 IXYS MOS管模塊 IXYS IGBT模塊 艾賽斯晶體管模塊
艾賽斯電力半導(dǎo)體模塊 艾賽斯可控硅 艾賽斯可控硅模塊 艾賽斯整流橋
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艾賽斯快速二極管 艾賽斯快恢復(fù)二極管模塊 艾賽斯 MOSFET 艾賽斯 MOS管
艾賽斯 MOS管模塊 艾賽斯 IGBT模塊
MDD26-14N1B
MCC200-16iol
MCC44-14IO8B
MCC162-16io1
MCC56-16io1B
MCC310-16io1
MCO600-22io1
IXFE180N10
DSEI30-12A
IXFE180N20
MCC19-14io1B
MCD255-16IO1
MDD95-08N1B
IXFN34N100
DSEI30-06A
DSEI60-06A
DSEI60-12A
IXTH460P2
VUO160-16N07
MCD224-20IO1
IXFE180N15
MEE75-12DA
VV240-16IO1
MCD500-16IO1
大衛(wèi)快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
結(jié)構(gòu)特點
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。
使用注意事項
1)有些單管,共三個引腳,中間的為空腳,一般在出廠時剪掉,但也有不剪的。
2)若對管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。
3)測正向?qū)▔航禃r,必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測試電流太小,遠低于管子的正常工作電流,故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測量,正向電阻就等于2.2kΩ,此時n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V,遠低于正常值(0.6V)。