華測壓電陶瓷高壓極化裝置（多通道）

壓電材料高壓極化裝置采用華測公司研發(fā)的超低紋波、線性高壓直流電源；科學(xué)穩(wěn)定的加熱電極，并配合計算機控制實現(xiàn)的多功能極化的裝置。還可以進行擴展更多的功能。它以穩(wěn)定的測量指標在材料極化過程中電場分布更加均勻，極化效果較好。

極 化 過 程 中 需 考 慮 的 因 素

1、電壓作用時間  

電壓作用時間越長，擊穿電壓越低，若外施電壓作用時間很短時（如0.1s），固體電介質(zhì)被擊穿，這個時候時間太短，熱、化學(xué)等影響還不明顯，這種擊穿很可能是電擊穿。若電壓作時間時間較長時（如幾分鐘到數(shù)小時）發(fā)生擊穿，則熱擊穿往往起決定性的作用。實際上各種擊穿形式之間的界限并不清晰，如在交流1min耐壓試驗中發(fā)生的擊穿，則常常是因為電和熱的雙重作用。若在電壓作用時間長達幾個小時或更長的時間發(fā)生擊穿，大多數(shù)定義為化學(xué)擊穿。注意：很多材料短時擊穿電壓很高，但他們耐受局部放電的能力比較差。因此長時間的電氣強度很低的。這一點一定要引起重視。

2、溫度  

當(dāng)環(huán)境溫度低于某個值時，材料的擊穿電壓很高而且與溫度幾乎無關(guān)，此時若發(fā)生擊穿就屬于電擊穿，當(dāng)溫度高于轉(zhuǎn)折溫度的拐點時，隨著溫度越高，聚乙烯的擊穿場強迅速下降，這種擊穿屬于熱擊穿。

3、電場均勻程度  

在均勻電場中，在電擊穿的范圍內(nèi)，因固體的電介質(zhì)擊穿強度與厚度幾種無關(guān)，擊穿電壓與厚度呈線性關(guān)系，而在熱擊穿范圍，電介質(zhì)越厚，平均擊穿場強就越低。在不均勻電場中，電介質(zhì)的厚度的增加也導(dǎo)致電場不均勻度增加。因為散熱條件變差，擊穿的電壓不再隨電介質(zhì)的厚度的增加呈線性的關(guān)系。因此當(dāng)厚度達到一定的程度后，再增加對提高電擊穿的意義不大。工程中常用的固體絕緣材料內(nèi)部往往有氣孔或其它缺陷，導(dǎo)致內(nèi)部的電場畸變，容易產(chǎn)生局放放電，降低了絕緣擊穿電壓。

4、材料品質(zhì)  

當(dāng)固體電介質(zhì)承受電壓作用時，介質(zhì)損耗使電介電發(fā)熱、溫度升高；而電介質(zhì)的電阻具有負溫度系數(shù)，所以電流進一步增大，損耗發(fā)熱也隨之增加，電介質(zhì)的熱擊穿是由電介質(zhì)內(nèi)部的熱不平衡過程所造成的，如果發(fā)熱量大于散熱量，電介質(zhì)溫度就會不斷上升，形成惡性循環(huán)，引起電介質(zhì)分解、碳化等。從而使電氣強度下降，最終導(dǎo)致?lián)舸?/span>

5、局部放電  固體電介質(zhì)受到電、熱、化學(xué)和機械力的長期作用時，其物理和化學(xué)性能會發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)的老化，擊穿電壓逐漸下降，長時間擊穿電壓常常只有短時擊穿電壓的幾分之一，這種絕緣擊穿為電化學(xué)擊穿。造成電化的擊穿的原因主要是局部放電。由于固體電介質(zhì)內(nèi)問不可避免地存在缺陷（如氣隙），當(dāng)電場強度超過缺陷區(qū)內(nèi)的絕緣材料的擊穿強度時，就會在這些區(qū)域發(fā)生局部放電。局部放電屬非*擊穿，并不立即形成貫穿性的放電通道，但它使電介質(zhì)的放電處發(fā)生化學(xué)電離。長期的局部放電使絕緣材料逐步劣化，損傷擴大，最終發(fā)展到整個絕緣擊穿。

三、北京華測高壓極化試驗裝置參數(shù)規(guī)格：

●極化路數(shù)：4路；
●極化電壓：DC 0---12KV；
●溫度范圍：室溫-260°C ;
●控溫精度：±1°C ;
●升溫斜率：1-10℃/min；
●樣品形狀:  方、圓、環(huán)等異形件 ;
●樣品尺寸：直徑＜20mm，厚度＜5mm；
●軟件免費升級。

四、北京華測高壓極化試驗裝置產(chǎn)品特點：

●智能化監(jiān)控，軟件顯示電流變化的曲線，可實時觀察極化過程；
●電壓、時間、溫度同步顯示，實現(xiàn)可視化；
●觸摸屏設(shè)計，操作方便、可靠；
●6路同時極化，每路具備檢測、保護、切斷功能和燈光指示；
●每路當(dāng)漏電流超過規(guī)定值時，不影響其它回路，仍可按正常極化時間完成極化；
●升溫與恒溫，升溫速度可搞，恒溫時間也可自由設(shè)定；
●電磁攪拌裝置，使加熱更均勻；
●采用PID控制硅油加熱，精確控溫，采集更加jing準；

五、北京華測高壓極化試驗裝置主要優(yōu)點：

● TVS瞬間抑zhi防護技術(shù)： 光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于閃絡(luò)放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護起不到任何作用。華測獨立開 發(fā)的TVS瞬間抑zhi防護技術(shù)，將起到對控制系統(tǒng)的防護。
● 多級循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設(shè)備采用PID算法，以及多級循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值?？販睾蜏y溫采用同一個傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實際溫度.
● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設(shè)備不僅具備過壓、過流保護系統(tǒng)，雙系統(tǒng)互鎖機制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 目前進口設(shè)備大都采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高，便于維護等優(yōu)點。
● 測試電壓可達到12000V 目前測試電阻率儀器測試電壓為12000V?？蓾M足國內(nèi)外材料極化要求，是測試通道數(shù)多的檢測設(shè)備。