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真空鍍膜+等離子
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更新時(shí)間：2023-02-15 10:06:51瀏覽次數(shù)：222
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真空鍍膜+等離子
真空鍍膜設(shè)備技術(shù)門檻比較高，目前在國(guó)內(nèi)是技術(shù)空白，大族真空鍍膜設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有豐富的設(shè)備制造和工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，大族真空鍍膜設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)在手機(jī)中框以及其他零部件表面涂層領(lǐng)域，具有非常好的聲譽(yù)。大族真空鍍膜設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)在國(guó)外聯(lián)合其他公司、科研院所，做到產(chǎn)學(xué)研一體化，在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域取得了不錯(cuò)的效果，特別是手機(jī)、汽車、音響、各類小家電、電腦、鐘表、滾齒刀、沖壓模具、立銑刀、類金剛石、塑膠磨具等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
本公司真空鍍膜設(shè)備實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)真正意義上的“一鍵式"操作，包括：抽真空，智能加熱、氬離子轟擊清洗、電弧轟擊清洗、離子源轟擊清洗、鍍膜、冷卻、冷卻水自動(dòng)切換、氮?dú)饫鋮s等功能。只有真正意義的全自動(dòng)才能保證鍍膜的穩(wěn)定性和重復(fù)性。 本公司真空鍍膜設(shè)備對(duì)全部設(shè)定和實(shí)際鍍膜過(guò)程參數(shù)實(shí)時(shí)自動(dòng)記錄IPC硬盤，形成數(shù)據(jù)庫(kù)，保存過(guò)去一年來(lái)的所有數(shù)據(jù)資料。操作人員可以在時(shí)序曲線上方便查找全部鍍膜過(guò)程狀態(tài)細(xì)節(jié)。為工藝開發(fā)工程工作，以及鍍膜生產(chǎn)品質(zhì)管理工作提供關(guān)鍵性的支持和幫助。
概覽
關(guān)于4G陰極電弧源
大族真空鍍膜設(shè)備技術(shù)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的鍍膜設(shè)備配置我公司專有的陽(yáng)極層矩形氣體離子源，采用氣體離子源產(chǎn)生的氣體離子代替陰極電弧源產(chǎn)生的金屬離子對(duì)被鍍工件表面進(jìn)行鍍膜前的離子轟擊清洗（濺射）。從而避免了金屬微液滴的問(wèn)題，轟擊濺射更柔、更、膜基結(jié)合力更高。該設(shè)備配置有專為鍍膜開發(fā)的4G陰極電弧源。
4G陰極電弧源采用永磁場(chǎng)和電磁場(chǎng)共同驅(qū)動(dòng)電弧移動(dòng)：弧斑更細(xì)碎、移動(dòng)更快、燒蝕更均勻。顯著抑制微液滴的產(chǎn)生，顯著提高金屬等離子體的輸出，改善所鍍膜層的致密性和光亮度。該電弧技術(shù)是國(guó)際的技術(shù)，在多個(gè)客戶處，不論是工具涂層的應(yīng)用還是模具涂層的應(yīng)用，都可以與國(guó)外涂層設(shè)備有效競(jìng)爭(zhēng)。
4G陰極電弧源優(yōu)勢(shì)
大族的4G電弧技術(shù)在導(dǎo)電鍍鈦領(lǐng)域取得了非常好的效果。做出的鍍層質(zhì)量可以和國(guó)外涂層公司的產(chǎn)品直接競(jìng)爭(zhēng)，也奠定了大族涂層設(shè)備在 國(guó)內(nèi)的優(yōu)勢(shì)。
本技術(shù)采用特殊的電磁場(chǎng)設(shè)計(jì)驅(qū)使電弧弧斑跑動(dòng)更快，弧斑在同一位置停 留的時(shí)間更短，弧斑更細(xì)碎，單體能量更小，有效地降低微液滴的尺寸和數(shù)量；
放電的弧斑數(shù)量更多，產(chǎn)生的等離子體更強(qiáng)，在電磁場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，大大增強(qiáng)了真空室內(nèi)的等離子體密度，改善離子反應(yīng)鍍鈦的環(huán)境；
微液滴減少了，極大的提高了電弧涂層的表面光亮度，鍍層色澤更加飽滿。
特點(diǎn)
更好的涂層性能
更高的可靠性
超高的生產(chǎn)效率
技術(shù)參數(shù)
功能指標(biāo)
- 極限真空：3.0 x 10-4 Pa
- 漏氣率：> 3 Hr/Pa
- 抽氣時(shí)間（室溫空真空室條件下由大氣抽至4.0 x 10-3 Pa）< 15 min
設(shè)備介紹
真空室：
- 帶增強(qiáng)水冷殼的真空室，采用304不銹鋼材料制造。
- 真空室殼體內(nèi)外表面拋光，外表面拋光后做噴丸，并作防指紋表面處理。
- 真空室內(nèi)部溫度達(dá)到500℃，能夠長(zhǎng)期工作在不低于500℃高溫環(huán)境中。
- 配置鍍后氮冷卻功能，為防止真空室正壓，應(yīng)配置真空壓力開關(guān)等安全裝置。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：
- 采用手動(dòng)、自動(dòng)一體機(jī)的控制，用戶可以通過(guò)手動(dòng)控制面板進(jìn)行手動(dòng) 鍍膜操作，也可以采用一鍵式全自動(dòng)控制方式。
- 整個(gè)控制系統(tǒng)建立了嚴(yán)密的互鎖機(jī)構(gòu)，保證設(shè)備的使用安全和操作員 的人身安全。
- 有在線監(jiān)測(cè)、報(bào)警和幫助系統(tǒng)。
- 設(shè)備上所有工作狀態(tài)參數(shù)數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)（曲線）記錄，方便隨時(shí)研究查 詢和生產(chǎn)質(zhì)量管理（QC）。
- 所有鍍膜工藝（菜單）以純數(shù)據(jù)包形式存儲(chǔ)在IPC中，隨時(shí)調(diào)用，方便管理
加熱系統(tǒng)：
- 一套高功率電加熱管(4.5X6=27 KW)在1小時(shí)內(nèi)真空室達(dá)到500度，并在500度保持3 小時(shí)以上，保證設(shè)備可靠運(yùn)行。
轉(zhuǎn)架系統(tǒng)：
- 工件轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)速控制采用變頻器驅(qū)動(dòng)，同時(shí)，為了保證可靠和安全，在轉(zhuǎn)架主軸上安 裝了速度編碼器，利用速度編碼器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)轉(zhuǎn)架的實(shí)際轉(zhuǎn)速，當(dāng)實(shí)際轉(zhuǎn)速和設(shè)定轉(zhuǎn)速的差別超過(guò)一定比例時(shí)，系統(tǒng)會(huì)給操作人員報(bào)警提示，工件轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)動(dòng)異常，需要作出相應(yīng)的處理，否則系統(tǒng)會(huì)結(jié)束自動(dòng)工藝。
- 在轉(zhuǎn)架驅(qū)動(dòng)電機(jī)和主軸的連接機(jī)構(gòu)中，安裝有3支尼龍柱，當(dāng)發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)載時(shí)，3支尼龍柱會(huì)立即切斷，以保護(hù)轉(zhuǎn)架驅(qū)動(dòng)電機(jī)不被損壞，也保證真空室內(nèi)產(chǎn)品不被損壞。由于此時(shí)轉(zhuǎn)架與電機(jī)脫開，編碼器檢測(cè)不到轉(zhuǎn)速，系統(tǒng)會(huì)給操作人員報(bào)警提示，工件轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)動(dòng)異常，需要作出相應(yīng)的處理，否則系統(tǒng)會(huì)結(jié)束自動(dòng)工藝。
主要應(yīng)用技術(shù)：
GISETCH：等離子刻蝕清洗技術(shù)
氣體離子源（GIS）產(chǎn)生的氣體等離子體對(duì)被鍍工件表面進(jìn)行鍍膜前的氣體離子轟擊清洗（濺射和刻蝕），代替?zhèn)鹘y(tǒng)的陰極電弧金屬離子轟擊清洗，避免了金屬微液滴 的問(wèn)題。氣體離子轟擊濺射更溫柔、更、 膜基結(jié)合力更高。
4G-CAE：第四代陰極電弧技術(shù)
配置了2到4組（8-16套）專為金屬鍍膜開發(fā)的新一代 陰極電弧源系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)永磁場(chǎng)和電磁場(chǎng)協(xié)同驅(qū)動(dòng)弧斑移動(dòng)：弧斑更細(xì)碎、移動(dòng)更快、燒蝕更均勻， 顯著抑制微液滴的產(chǎn)生，提高金屬等離子體的輸出， 改善所鍍膜層的反應(yīng)性、致密性和光亮度。
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