
產(chǎn)品外觀因型號不同而有所差異,圖片僅供參考,請以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。
DDR4-2133 SO-DIMM內(nèi)存模塊超越經(jīng)過嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)室測試,以確保主流筆記本的性能和穩(wěn)定性。因?yàn)樾〉男问揭蛩?,例超薄筆記本電腦的外殼通常是伴隨著緊密間隔的散熱空間有限成分,超越的DDR4 SO-DIMM工作在標(biāo)稱電壓只有1.2V至不僅沒有減少產(chǎn)熱,而且整體功耗節(jié)省更多能源。
容量 | DRAM | 創(chuàng)見型號 | 描述 |
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4GB | 512Mx8 | TS512MSH64V1H | 4GB DDR4 2133 SO-DIMM 1Rx8 |
8GB | 512Mx8 | TS1GSH64V1H | 8GB DDR4 2133 SO-DIMM 2Rx8 |
16GB | 1024Mx8 | TS2GSH64V1B | 16GB DDR4 2133 SO-DIMM 2Rx8 |