摘要：近年來，國際IC產業(yè)變化加快，幾家龍頭大廠不斷增加資本投入力度，制程工藝也得到提升。與此同時，國內IC業(yè)因為“國家集成電路產業(yè)基金”(大基金)等的設立，受到業(yè)內外的廣泛關注。應當如何看待集成電路產業(yè)新出現的發(fā)展趨勢?如何借國家政策助推之力追趕國際先進水平?在近日中國科學院微電子所舉辦的“第二屆科技開放日”上，記者采訪了中國科學院微電子研究所所長葉甜春。

　　
　　現在產業(yè)談不上過熱
　　
　　現在的半導體行業(yè)還遠遠談不上過熱，只是預熱罷了。一個高速發(fā)展的行業(yè)，適度的泡沫是需要的。
　　
　　記者：大基金建立已有半年左右時間。經過這半年來的運行，您認為其有何經驗與應當注意的地方?
　　
　　葉甜春：任何產業(yè)的發(fā)展都需要產業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈與金融鏈的協同推進。2008年隨著《核高基》、《集成電路專項》、《新一代無線通信》等國家科技重大專項的啟動，我國開始圍繞集成電路的產業(yè)鏈加快部署創(chuàng)新鏈;2011年發(fā)布的“關于進一步鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展若干政策”(國發(fā)〔2011〕4號文)，在資金、政策、融資、人才等方面為集成電路企業(yè)提供了重大支持，產業(yè)鏈建設加速;而2014年“國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要”(國發(fā)〔2014〕4號文)發(fā)布后，建立了的集成電路產業(yè)基金，同時鼓勵社會資本投入，激活了集成電路產業(yè)的金融鏈。這是建立大基金有意義的地方。
　　
　　至于你所說的評價總結，現在還有點早。畢竟它才只投出幾個項目，還處于布局階段。不過，我這里可以給出二點建議：一是基金的布局應當加快步伐。有的時候機會稍縱即逝，資金只有投出去了，效果是好是壞才能看得出來，猶豫不決沒有任何作用。二是可以更多關注制造、裝備、材料等領域。這些領域可能投資風險更大，但是這些領域也更加需要國家資金的引導和支持。只有這些領域趕上來了，國家集成電路的整體實力才能提升。
　　
　　記者：有觀點認為受大基金建立的影響，我國集成電路產業(yè)現在有些過熱了。您怎么看?
　　
　　葉甜春：現在還遠遠談不上過熱，只是預熱罷了，行業(yè)也沒有出現過多的泡沫。一個高速發(fā)展的行業(yè)，適度的泡沫是需要的，當然過多的泡沫是不利的，但現在還沒有達到這種程度。
　　
　　記者：觀察大基金現在實施的幾個投資案例，多為參與(或者支持)企業(yè)的并購活動。您認為在扶持產業(yè)成長上，是否應當有更多的手段?
　　
　　葉甜春：扶持產業(yè)成長，手段當然是多樣的。但我認為就現階段而言，國家基金的主要工作就是輔助企業(yè)完成并購整合。因為我國企業(yè)僅靠自我循環(huán)發(fā)展是不夠的，并購可以整合全球的資源，可以獲得更大的加乘效應。另外，目前全球集成電路產業(yè)相對飽和，每年產業(yè)規(guī)模增長速度也就5%左右。如果我們不從全球產業(yè)角度看問題，盲目投入擴大產能，產能過剩等問題就有可能出現，進而引起更加激烈的競爭。這對中國企業(yè)來說并不是一件好事。而通過并購整合，可以把現有的資源拿來為我所用，既解決自身存在的問題，又不致導致大量過剩產能問題，這才是雙贏的局面。當然了，有些工作是必須要中國企業(yè)自己完成的，比如涉及關鍵設備、材料等，事關產業(yè)鏈、供應鏈等。
　　
　　目前，大基金正處布局階段，在制造、封裝、設計等領域已經有了投資案例，相信隨著晶圓制造等領域布局的初步完成，未來將會在裝備材料等領域加大力度。
　　
　　夯實基礎是大成就
　　
　　以前我們常說中國集成電路與國際水平相差二代，這其實帶有一定自欺欺人的意味。
　　
　　記者：去年以來三星、臺積電、英特爾在先進工藝上取得較快進展，現已量產14納米，16納米(今年中期也將量產)，并開始向10納米挺進。相對而言，中芯國際28納米量產仍不順暢。有人認為中國半導體產業(yè)，至少是晶圓制造上，又與國際先進水平間的差距拉大了。對此您如何看待?
　　
　　葉甜春：這個問題要全面來看。以前我們常說中國集成電路與國際水平相差二代，這其實帶有一定自欺欺人的意味。一個成熟的工業(yè)產業(yè)就像一座金字塔，如果說先進工藝是塔尖的話，其他材料、裝備以及各種IP、工具就是塔基。只有有了堅實塔基之后逐漸向上延展終形成塔尖，才是一個康健成熟的產業(yè)。以前我們說與先進水平相差二代，實際在許多基礎領域是有很多缺失的。打個比方就像是在一個金字塔的基座上插了一根旗桿去和別人的金字塔比，從單一指標看起來好似與國際先進水平只差了一到兩代，實際從整體上根本不能相比，差5代都不止?？墒墙涍^這些年的努力，特別是經過重大專項的實施，我們正在逐漸把這個缺失的環(huán)節(jié)彌補起來，也即是把金字塔的基礎逐步壘起來了，這個1到2代的差距是真實的差距。這是大的成就。盡管國際先進水平已經到達14納米，可是當我們的基礎夯實后，再追趕就快了，況且我們已經在14納米等工藝節(jié)點上，包括工具、裝備、材料等進行了大量布局，各項研發(fā)工作早就展開了。
　　
　　至于中芯國際，28納米的量產爬坡本就需要一定時間，況且其面對的多是一些客戶，需要長一些時間，也屬正常。他們的計劃和國際上一樣，要跳過20納米直接進入14納米。所以，考慮到20納米是一個被放棄的技術代，實際上差距已經縮短到1代了，而且從綜合實力和研發(fā)準備來看，追趕的速度應該會很快。
　　
　　在世界技術前沿尋找突破點
　　
　　近年來微電子所在14納米至7納米工藝技術帶上進行了大量關鍵工藝的研發(fā)，比如14納米FinFET器件等。
　　
　　記者：中科院微電子所近年在技術研發(fā)上取得哪些進展?將有哪些新的舉措?
　　
　　葉甜春：中科院微電子所的創(chuàng)新理念是要在國家集成電路產業(yè)鏈建設與戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展中尋找定位，同時面向世界前沿的微電子技術創(chuàng)新中尋找突破點。就集成電路先導技術領域而言，近年來微電子所在14納米至7納米工藝技術帶上進行了大量關鍵工藝的研發(fā)，取得了一定的成績，比如在22納米高k介質/金屬柵工程、14納米FinFET器件等關鍵技術上就有許多突破，高k介質/金屬柵領域的申請數世界排名第六，FinFET領域的申請數世界排名第十二。此外，特別是在三維存儲器技術上，微電子所與武漢新芯共建了中科新芯先進存儲器聯合研發(fā)中心，在授權許可相關的基礎上，派出核心技術團隊進駐企業(yè)進行聯合研發(fā)。這種新的模式取得了良好的效果。2015年5月，武漢新芯宣布，其3DNAND項目研發(fā)取得突破性進展，個具有9層結構的存儲測試芯片通過存儲器功能的電學驗證，這項突破只用了8個月時間。按計劃將于今年底拿出32層結構的測試芯片。
　　
　　另外，微電子所為了響應國家“大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新”的號召，近期啟動了一項“微電子所創(chuàng)新計劃”的活動，目的是鼓勵全國范圍內高校在校學生、研究生和社會研發(fā)人員開展新產品、新技術和新服務的研發(fā)，可以利用微電子所現有的科研平臺、經費和場地，支持有志于在微電子技術領域有創(chuàng)新思想的人員開展活動。只要通過評估，具體方式分為三個階段進行：階段是以新產品為目的的創(chuàng)新技術研發(fā)，時間為6個月，微電子所將提供研發(fā)經費以及前道、后道、測試和設計支持;第二階段，以產品開發(fā)和市場應用為目的，在階段一的基礎上，通過評估，時間為12到18個月，微電子所提供研發(fā)經費以及前道、后道、測試和設計支持;第三階段，以市場應用為目的，時間一年半，微電子所協助融資。
　　
　　目前，社會上有創(chuàng)新想法的人很多，有些理念也很好?？墒沁@些想法往往不完整，也缺乏技術手段和資金去實現。這些有創(chuàng)意的人，在落實創(chuàng)新想法的過程中，需要技術支撐，需要投融資服務。在國家倡導創(chuàng)新，營造創(chuàng)新氛圍的背景下，國有的科研院所可以發(fā)揮哪些作用?我們認為微電子所與社會上的一般的創(chuàng)新孵化平臺不同之處是有更豐富的設備和技術實力，不僅能夠提供各種開發(fā)過程中的設備，而且有專業(yè)的導師進行輔導，也就是說有一支團隊在進行支持。