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      國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體掀起擴產(chǎn)浪潮!2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展重磅揭曉

      2024-12-10 16:50:35來源:智能制造網(wǎng)整理 關(guān)鍵詞:第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料閱讀量:40962

      導(dǎo)讀:從“2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展”中可以看出,國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體正在全球范圍內(nèi)掀起擴產(chǎn)浪潮!在實現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)突破的同時,還顯著提升芯片出口量。
        2024年以來,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體向好,尤其是第三代半導(dǎo)體技術(shù),備受市場關(guān)注!
       
        什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù)?
       
        第三代半導(dǎo)體技術(shù)基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料,代表了新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向。該技術(shù)主要應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通訊、軌道交通等領(lǐng)域。
       
        近日,“2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展”(簡稱“十大進展”)在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)與第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)開幕式上重磅揭曉。
        從十大進展中可以看出,國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體正在全球范圍內(nèi)掀起擴產(chǎn)浪潮!在實現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)突破的同時,還顯著提升芯片出口量。
       
        據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,我國芯片累計產(chǎn)量達到2071.1億顆,同比增長28.9%。此外,我國芯片出口金額高達5427億元,較去年同期增長25.6%。
       
        12月5日,由世界集成電路協(xié)會主辦的“2024-2025全球半導(dǎo)體市場峰會”在上海成功召開。峰會上,世界集成電路協(xié)會表示,2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達到6202億美元,同比增長17%。與此同時,還表示,全球半導(dǎo)體市場觸底反彈,即將進入“硅周期”上行階段!
       
        “硅周期”是指半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮與蕭條相互交替的現(xiàn)象,一般每四到五年為一個周期。這是否也預(yù)示著,我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“春天”即將來臨?
       
        12月10日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請一項名為“發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用”的專利。據(jù)悉,該專利將降低外延片中發(fā)光層的應(yīng)力,增強發(fā)光層內(nèi)的輻射復(fù)合效率,提高 LED 外延片的亮度。
       
        12月5日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司申請一項名為“分柵結(jié)構(gòu)碳化硅 MOSFET 及其制造方法”的專利。根據(jù)專利摘要顯示,該發(fā)明公開了一種分柵結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET及其制造方法。
       
        12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基激光器和相關(guān)設(shè)備”的專利。根據(jù)專利摘要的顯示,該專利中提到的氮化鎵基激光器還加入了電勢平衡層,這一創(chuàng)新性結(jié)構(gòu)使得激光器的耗盡區(qū)能夠與有源區(qū)精確重疊。
       
        11月27日,位于新埭鎮(zhèn)高端裝備智造產(chǎn)業(yè)園的晶馳機電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目正式投產(chǎn)。據(jù)悉,該項目將推進8英寸大尺寸碳化硅外延設(shè)備與碳化硅長晶設(shè)備、4-6英寸大尺寸金剛石長晶設(shè)備、氮化鋁長晶設(shè)備等三大類產(chǎn)品生產(chǎn)。一旦達產(chǎn),項目預(yù)計能夠?qū)崿F(xiàn)年產(chǎn)120臺半導(dǎo)體長晶和外延專用設(shè)備的生產(chǎn)能力,進而實現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元的目標(biāo)。
       
        ......
       
        在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,這些都將進一步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主可控實力!
       
        近年來,我國高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,并在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新方面出臺了一系列支持政策。
       
        2024年1月,工業(yè)和信息化部等七部門聯(lián)合印發(fā)的關(guān)于推動未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實施意見提出,前瞻部署新賽道。在未來材料方面,提出:推動有色金屬、化工、無機非金屬等先進基礎(chǔ)材料升級,發(fā)展高性能碳纖維、先進半導(dǎo)體等關(guān)鍵戰(zhàn)略材料,加快超導(dǎo)材料等前沿新材料創(chuàng)新應(yīng)用。
       
        相信隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的逐漸成熟,我國自主可控實力將逐漸提升,該技術(shù)在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求將日益增長。
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