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羅克韋爾/Allen Bradley
據(jù)韓媒報(bào)道，英特爾已經(jīng)獲得了阿斯麥(ASML)在明年上半年制造的大部分高數(shù)值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備。
ASML今年計(jì)劃生產(chǎn)5臺(tái)高NA EUV光刻設(shè)備，而這些設(shè)備將全部供應(yīng)給英特爾。
他們表示，ASML每年生產(chǎn)高數(shù)值孔徑(NA) EUV設(shè)備的能力約為5-6臺(tái)，由此可見(jiàn)英特爾已經(jīng)獲得了計(jì)劃在2024年生產(chǎn)的全部5臺(tái)設(shè)備——每臺(tái)單位的成本約為3.7億美元，這凸顯了英特爾在先進(jìn)制造技術(shù)上的巨大投資。
與此同時(shí)，英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如三星和SK海力士則必須等到2025年下半年才能獲得此類設(shè)備。他們還表示，這家美國(guó)芯片制造商在宣布重新進(jìn)入芯片代工或代工芯片生產(chǎn)業(yè)務(wù)時(shí)，搶先購(gòu)買(mǎi)了這些設(shè)備。
許多人或許會(huì)禁不住好奇：臺(tái)積電何時(shí)會(huì)加入這一潮流。到目前為止，該公司表示，它沒(méi)有看到高數(shù)值孔徑(NA)的配置對(duì)客戶帶來(lái)的好處，因此在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，它將堅(jiān)持使用極紫外(EUV)光刻設(shè)備。不過(guò)，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，此舉或許并不壞，因?yàn)樗环Ω呤杖肟蛻?。包括英偉達(dá)(Nvidia)、AMD、蘋(píng)果(Apple)甚至英特爾(Intel)在內(nèi)的科技巨頭，已經(jīng)準(zhǔn)備好并愿意為英特爾先進(jìn)的產(chǎn)品付出任何代價(jià)，所以我們必須等上幾年，才能看到英特爾的這場(chǎng)賭博是否會(huì)得到回報(bào)。
ASML的高數(shù)值孔徑 (NA) 極紫外EUV設(shè)備，是2nm工藝節(jié)點(diǎn)芯片的必備設(shè)備，單價(jià)超過(guò)5000億韓元。
數(shù)值孔徑 (NA) 是收集和聚焦光線能力的衡量標(biāo)準(zhǔn)。數(shù)值越高，收集光的效果越好，高NA EUV設(shè)備的NA從0.33提高到0.55。這基本上意味著設(shè)備可以繪制更精細(xì)的電路圖案。近年來(lái)，通過(guò)改變用于將圖案投影到晶圓上的光學(xué)器件的設(shè)計(jì)，高數(shù)值孔徑 EUV 技術(shù)在分辨率和晶體管尺寸方面取得了重大進(jìn)步。
英特爾正在比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更快地采用高數(shù)值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備，以贏得客戶。該公司于2021年重新進(jìn)入代工市場(chǎng)，但去年該業(yè)務(wù)虧損了70億美元。
英特爾于今年1月從ASML獲得了首臺(tái)高NA EUV設(shè)備，并于4月中旬在俄勒岡州完成了組裝。這臺(tái)TWINSCAN EXE:5000設(shè)備是該類型的首個(gè)商用光刻系統(tǒng)，英特爾計(jì)劃使用它來(lái)減少外包晶圓的總數(shù)，從而提升其代工業(yè)務(wù)的盈利能力。
該公司希望這將有助于其陷入困境的代工業(yè)務(wù)開(kāi)始扭轉(zhuǎn)命運(yùn)，此前該公司在2023年報(bào)告中達(dá)到了70億美元的運(yùn)營(yíng)虧損。
盡管該設(shè)備預(yù)計(jì)要到2025年才能全面投入使用，但英特爾已經(jīng)表示將利用其生產(chǎn)14A工藝芯片，并預(yù)計(jì)在2026年左右實(shí)現(xiàn)全面運(yùn)營(yíng)。這顯示了英特爾在先進(jìn)制造技術(shù)方面的長(zhǎng)期規(guī)劃和堅(jiān)定決心?？紤]到所涉及的時(shí)間表，英特爾將如何處理5臺(tái)高NA設(shè)備還有待觀察，因?yàn)樗粫?huì)在芯片的整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中使用它們。
ASML是制造先進(jìn)的3nm和5nm芯片所需的極紫外光刻機(jī)的全球供應(yīng)商。ASML總部位于荷蘭埃因霍溫郊區(qū)，是歐洲最有價(jià)值的科技公司，市值為3387億歐元(3632億美元)。
該公司的高NA EUV機(jī)器的工作原理是用激光撞擊加熱到大約22萬(wàn)攝氏度((396032華氏度)的錫滴，產(chǎn)生13.5nm波長(zhǎng)的光，這在地球上是不會(huì)自然產(chǎn)生的。然后，這些光被一個(gè)包含電路模式模板的掩模反射，然后通過(guò)一個(gè)由有史以來(lái)精確的鏡子組成的光學(xué)系統(tǒng)。
2024年4月，長(zhǎng)期擔(dān)任ASML首席執(zhí)行官的Peter Wennink宣布退休，接替他的是該公司前首席商務(wù)官Christophe Fouquet。
ASML作為制造先進(jìn)芯片所需極紫外光刻機(jī)的全球供應(yīng)商，其高NA EUV設(shè)備的工作原理涉及復(fù)雜的物理過(guò)程。通過(guò)激光撞擊加熱到極高溫度的錫滴，產(chǎn)生特定波長(zhǎng)的光，然后通過(guò)精密的光學(xué)系統(tǒng)將這些光反射并聚焦到晶圓上，從而實(shí)現(xiàn)高精度的圖案刻蝕。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，先進(jìn)制造技術(shù)已成為芯片制造領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。英特爾此次購(gòu)買(mǎi)高NA EUV設(shè)備將進(jìn)一步提升其在代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，并有助于推動(dòng)整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。
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