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      英特爾目標(biāo)將封裝中的密度提升10倍以上 并布局非硅基半導(dǎo)體

      2021-12-14 11:11:39來(lái)源:TechWeb.com.cn 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)閱讀量:22013

      導(dǎo)讀:摩爾定律滿足了從大型計(jì)算機(jī)到移動(dòng)電話等每一代技術(shù)的需求,并與計(jì)算創(chuàng)新同步前行。如今,隨著我們進(jìn)入一個(gè)具有無(wú)窮數(shù)據(jù)和人工智能的計(jì)算新時(shí)代,這種演變?nèi)栽诶^續(xù)。
        12月14日消息,在不懈推進(jìn)摩爾定律的過(guò)程中,英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)突破,這些突破對(duì)推進(jìn)和加速計(jì)算進(jìn)入下一個(gè)十年至關(guān)重要。在2021 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上,英特爾概述了其未來(lái)技術(shù)發(fā)展方向,即通過(guò)混合鍵合(hybrid bonding)將在封裝中的互連密度提升 10 倍以上,晶體管微縮面積提升 30% 至 50%,在全新的功率器件和內(nèi)存技術(shù)上取得重大突破,基于物理學(xué)新概念所衍生的新技術(shù),在未來(lái)可能會(huì)重新定義計(jì)算。
       
        英特爾高級(jí)院士兼組件研究部門總經(jīng)理 Robert Chau 表示:“在英特爾,為持續(xù)推進(jìn)摩爾定律而進(jìn)行的研究和創(chuàng)新從未止步。英特爾的組件研究團(tuán)隊(duì)在 IEDM 2021 上分享了關(guān)鍵的研究突破,這些突破將帶來(lái)革命性的制程工藝和封裝技術(shù),以滿足行業(yè)和社會(huì)對(duì)強(qiáng)大計(jì)算的無(wú)限需求。這是我們十分優(yōu)秀的科學(xué)家和工程師們不懈努力的結(jié)果,他們將繼續(xù)站在技術(shù)創(chuàng)新的前沿,不斷延續(xù)摩爾定律。”
       
        摩爾定律滿足了從大型計(jì)算機(jī)到移動(dòng)電話等每一代技術(shù)的需求,并與計(jì)算創(chuàng)新同步前行。如今,隨著我們進(jìn)入一個(gè)具有無(wú)窮數(shù)據(jù)和人工智能的計(jì)算新時(shí)代,這種演變?nèi)栽诶^續(xù)。
       
        持續(xù)創(chuàng)新是摩爾定律的基石,英特爾的組件研究團(tuán)隊(duì)致力于在三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng)新:第一,為提供更多晶體管的核心微縮技術(shù);第二,在功率器件和內(nèi)存增益領(lǐng)域提升硅基半導(dǎo)體性能;第三,探索物理學(xué)新概念,以重新定義計(jì)算。眾多突破摩爾定律昔日壁壘并出現(xiàn)在當(dāng)前產(chǎn)品中的創(chuàng)新技術(shù),都源自于組件研究團(tuán)隊(duì)的研究工作,包括應(yīng)變硅、高 K- 金屬柵極技術(shù)、FinFET 晶體管、RibbonFET,以及包括 EMIB 和 Foveros Direct 在內(nèi)的封裝技術(shù)創(chuàng)新。
       
        在 IEDM 2021 上披露的突破性進(jìn)展表明,英特爾正通過(guò)對(duì)以下三個(gè)領(lǐng)域的探索,持續(xù)推進(jìn)摩爾定律,并將其延續(xù)至 2025 年及更遠(yuǎn)的未來(lái)。
       
        一、為在未來(lái)的產(chǎn)品中提供更多的晶體管,英特爾正針對(duì)核心微縮技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)研究:
       
        ·英特爾的研究人員概述了混合鍵合互連中的設(shè)計(jì)、制程工藝和組裝難題的解決方案,期望能在封裝中將互連密度提升 10 倍以上。在今年 7 月的英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)中,英特爾宣布計(jì)劃推出 Foveros Direct,以實(shí)現(xiàn) 10 微米以下的凸點(diǎn)間距,使 3D 堆疊的互連密度提高一個(gè)數(shù)量級(jí)。為了使生態(tài)系統(tǒng)能從前沿封裝中獲益,英特爾還呼吁建立新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試程序,讓混合鍵合芯粒(hybrid bonding chiplet)生態(tài)系統(tǒng)成為可能。
       
        ·展望其 GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技術(shù),英特爾正推動(dòng)著即將到來(lái)的后 FinFET 時(shí)代,通過(guò)堆疊多個(gè)(CMOS)晶體管,實(shí)現(xiàn)高達(dá) 30% 至 50% 的邏輯微縮提升,通過(guò)在每平方毫米上容納更多晶體管,以繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。
       
        ·英特爾同時(shí)也在為摩爾定律進(jìn)入埃米時(shí)代鋪平道路,其前瞻性的研究展示了英特爾是如何克服傳統(tǒng)硅通道限制,用僅有數(shù)個(gè)原子厚度的新型材料制造晶體管,從而實(shí)現(xiàn)在每個(gè)芯片上增加數(shù)百萬(wàn)晶體管數(shù)量。在接下來(lái)的十年,實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的計(jì)算。
       
        二、英特爾為硅注入新功能:
       
        ·通過(guò)在 300 毫米的晶圓上首次集成氮化鎵基(GaN-based)功率器件與硅基 CMOS,實(shí)現(xiàn)了更高效的電源技術(shù)。這為 CPU 提供低損耗、高速電能傳輸創(chuàng)造了條件,同時(shí)也減少了主板組件和空間。
       
        ·另一項(xiàng)進(jìn)展是利用新型鐵電體材料作為下一代嵌入式 DRAM 技術(shù)的可行方案。該項(xiàng)業(yè)界前沿技術(shù)可提供更大內(nèi)存資源和低時(shí)延讀寫能力,用于解決從游戲到人工智能等計(jì)算應(yīng)用所面臨的日益復(fù)雜的問(wèn)題。
       
        三、英特爾正致力于大幅提升硅基半導(dǎo)體的量子計(jì)算性能,同時(shí)也在開(kāi)發(fā)能在室溫下進(jìn)行高效、低功耗計(jì)算的新型器件。未來(lái),基于全新物理學(xué)概念衍生出的技術(shù)將逐步取代傳統(tǒng)的 MOSFET 晶體管:
       
        ·在 IEDM 2021上,英特爾展示了全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件,這表明未來(lái)有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。
       
        ·英特爾和比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)在自旋電子材料研究方面取得進(jìn)展,使器件集成研究接近實(shí)現(xiàn)自旋電子器件的全面實(shí)用化。
       
        ·英特爾還展示了完整的 300 毫米量子比特制程工藝流程。該量子計(jì)算工藝不僅可持續(xù)微縮,且與 CMOS 制造兼容,這確定了未來(lái)研究的方向。
       
        (原標(biāo)題:英特爾目標(biāo)將封裝中的密度提升10倍以上 并布局非硅基半導(dǎo)體)
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        養(yǎng)元飲品半導(dǎo)體長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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        半導(dǎo)體
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