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大型雙門(mén)冷熱溫控試驗(yàn)箱模擬不同環(huán)境
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廣皓天
三星曾計(jì)劃在今年開(kāi)始制造更快、更高效的處理器，但技術(shù)進(jìn)步的進(jìn)展不如預(yù)期將使得全環(huán)繞柵極晶體管工藝的芯片將在2022年才能夠出現(xiàn)。這家韓國(guó)電子巨頭周三在其Samsung Foundry Forum上分享了這一轉(zhuǎn)變的時(shí)間表。這一延遲意味著依賴(lài)三星的客戶(hù)將不得不等待更長(zhǎng)時(shí)間來(lái)利用這一前沿技術(shù)。使用該公司服務(wù)的最大公司包括手機(jī)芯片設(shè)計(jì)商高通公司、服務(wù)器制造商IBM和三星公司本身。
該公司現(xiàn)在計(jì)劃在2022年上半年開(kāi)始為客戶(hù)生產(chǎn)第一批基于3納米的芯片設(shè)計(jì)。與5納米芯片相比，采用多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MBCFET)的首個(gè)3納米全門(mén)(GAA)工藝節(jié)點(diǎn)將使面積減少35%，性能提高30%，功耗降低50%。
不過(guò)，對(duì)這些客戶(hù)來(lái)說(shuō)，好消息是，三星還宣布了之后在下一代制造方面的進(jìn)展，全面的工藝改進(jìn)應(yīng)該在2025年到來(lái)。三星表示，這應(yīng)該會(huì)在芯片性能、電源效率和電子產(chǎn)品的小型化方面帶來(lái)另一次進(jìn)步。
三星的芯片制造對(duì)手臺(tái)積電在8月披露了類(lèi)似技術(shù)的延遲，而英特爾正在推出自己的代工業(yè)務(wù)，作為旨在奪回被臺(tái)積電和三星奪去的前沿地位的恢復(fù)計(jì)劃的一部分，該時(shí)間表的滑落稍微緩解了英特爾的壓力。
全球范圍看，處理器業(yè)務(wù)正面臨著極大的壓力，隨著大流行病推動(dòng)了個(gè)人電腦的銷(xiāo)售、智能手機(jī)的使用以及數(shù)據(jù)中心的在線(xiàn)服務(wù)，對(duì)處理器的需求已經(jīng)超過(guò)了制造能力。芯片短缺已經(jīng)阻礙了個(gè)人電腦、游戲機(jī)、汽車(chē)和其他依賴(lài)全球電子供應(yīng)鏈的產(chǎn)品的銷(xiāo)售。
三星代工企業(yè)高級(jí)副總裁Shawn Han說(shuō)，根據(jù)三星與客戶(hù)的溝通，處理器的短缺在2022年前不會(huì)緩解。他在三星論壇舉辦之前的一次簡(jiǎn)報(bào)會(huì)上說(shuō)："在我們看來(lái)，這將再持續(xù)六到九個(gè)月，盡管我們正在投資，其他代工供應(yīng)商也在增加他們的產(chǎn)能。"
轉(zhuǎn)向下一代制造技術(shù)是異常復(fù)雜的。芯片是由被稱(chēng)為晶體管的數(shù)十億個(gè)電子元件組成的，每一個(gè)都比一?；覊m小得多。芯片制造廠(chǎng)，即晶圓廠(chǎng)，在硅片上蝕刻電路圖案，其過(guò)程需要幾十個(gè)步驟，耗時(shí)數(shù)月。
通常而言計(jì)算芯片的進(jìn)展來(lái)自于晶體管的微型化，更多的晶體管可以擠在一個(gè)芯片上，提高其速度并降低其功耗。三星的下一代工藝，它稱(chēng)之為3GAE，采用了一種被稱(chēng)為"全環(huán)繞柵極晶體管"(GAA)的技術(shù)。這是該技術(shù)的一個(gè)早期版本。
在2023年，三星預(yù)計(jì)將通過(guò)一個(gè)名為3GAP的更成熟的版本達(dá)到高產(chǎn)量。名字中的3指的是3納米的測(cè)量，雖然不再與芯片電子的尺寸直接相關(guān)，但它是制造方法進(jìn)步的一個(gè)標(biāo)簽。
然后在2025年，該公司計(jì)劃轉(zhuǎn)向第二種更先進(jìn)的全門(mén)控技術(shù)，它稱(chēng)之為2GAP。這種制造方法將是三星2納米的第一代產(chǎn)品。
隨著芯片變得越來(lái)越復(fù)雜，它們往往也變得越來(lái)越昂貴，這就是為什么許多芯片買(mǎi)家堅(jiān)持使用GlobalFoundries等公司的舊的、更便宜的制造工藝，但三星相信它能使新的制造工藝在經(jīng)濟(jì)上對(duì)客戶(hù)具有吸引力。
"即使GAA是一項(xiàng)困難的技術(shù)，我們?nèi)詫⑴档兔總€(gè)晶體管的成本，"三星代工戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Moonsoo Kang說(shuō)。"這一趨勢(shì)將繼續(xù)下去"。
(原標(biāo)題：三星全環(huán)繞柵極晶體管設(shè)計(jì)將推遲到2022年 2納米制程預(yù)計(jì)2025年出現(xiàn))
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