IGBT器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的器件。它既有易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。在節(jié)能市場領(lǐng)域獲得較為廣泛的應(yīng)用。從消費(fèi)電子，到工業(yè)控制都能見到IGBT身影。在眾多應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng)下，IGBT已經(jīng)成為功率器件家族中的新興力量。
　　投資邏輯：我們建議從戰(zhàn)略角度來看待中國IGBT行業(yè)的投資機(jī)會(huì)。我們認(rèn)為，中國IGBT市場未來五年將保持復(fù)合25%以上增速增長，而未來本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新將凸顯投資價(jià)值。
　　革命性、必要性：節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟(jì)勢必推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場繁榮，而IGBT是功率半導(dǎo)體的技術(shù)前沿，具有節(jié)能效率高，便于規(guī)?；a(chǎn)，較易實(shí)現(xiàn)節(jié)能智能化等優(yōu)點(diǎn)，將成為功率半導(dǎo)體市場發(fā)展的主流技術(shù)。而目前該產(chǎn)品市場應(yīng)用率較低，市場增長空間巨大。節(jié)能推動(dòng)變頻家電市場的爆發(fā)性增長，進(jìn)而推動(dòng)其核心器件IGBT的快速成長。通常情況下變頻家電比定頻家電可節(jié)電30%~40%。2009年變頻空調(diào)銷售開始放量，變頻空調(diào)銷量占空調(diào)總銷量的比例由2008年的不足7%上升到2009年的18%左右。預(yù)計(jì)2012年變頻空調(diào)銷量將突破1000萬臺，年復(fù)合增長率達(dá)到30%~35%。同樣的，應(yīng)用變頻器的電動(dòng)機(jī)節(jié)能效果明顯，一般節(jié)電率在20%-30%，較高的可超過50%。而目前我國電機(jī)配備變頻器還不足10%，尚處于粗放式用電的階段，市場潛力巨大。
　　高增長、高容量：2009年我國IGBT市場為53億元左右，目前我國IGBT市場占整個(gè)功率器件*尚不足10%，我們預(yù)計(jì)未來幾年IG－BT市場隨著節(jié)能減排的推進(jìn)將得到快速發(fā)展，增速將達(dá)到20%~30%，遠(yuǎn)超整個(gè)功率器件市場。
　　進(jìn)口替代：中國已經(jīng)擁有較好的IGBT的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，同時(shí)，部分本土企業(yè)已經(jīng)積極進(jìn)行IGBT制造技術(shù)的突破，并取得較好的進(jìn)展。而智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車以及家電節(jié)能等本土市場，更為這些企業(yè)的技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)IGBT的“進(jìn)口替代”創(chuàng)造了堅(jiān)實(shí)的市場基礎(chǔ)。
　　投資策略：我們圍繞著以下三點(diǎn)來選擇IGBT相關(guān)企業(yè)進(jìn)行投資，在行業(yè)發(fā)展初期，芯片制造環(huán)節(jié)利潤zui為豐厚，擁有IGBT芯片制造技術(shù)的企業(yè)成為我們優(yōu)先考慮條件之一；而在“進(jìn)口替代”的投資邏輯下，IGBT制造技術(shù)突破順序成為企業(yè)受益的先決條件，因此，技術(shù)突破順序也是我們考慮因素；本土市場是這些企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破的關(guān)鍵因素，對企業(yè)的選擇我們也將立足于zui貼近本土市場的企業(yè)。

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